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1.
本文以钼酸钠、硫代乙酰胺为前驱体, 硅钨酸为添加剂, 成功用水热法合成高纯度纳米花状二硫化钼. 产物特性用X射线衍射(XRD)、能量色散谱(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)进行表征. XRD和EDS图显示实验产物为二硫化钼, 且其结晶度和层状堆垛良好. SEM图谱则表明二硫化钼为纳米花状结构, 颗粒直径300 nm左右, 由几十上百片花瓣组成, 每片花瓣厚度十个纳米左右. 通过以硅钨酸为变量的梯度实验, 研究发现, 硅钨酸对于纳米花状MoS2的形成具有重要作用, 不添加硅钨酸, 无法形成纳米花状MoS2, 此外, 硅钨酸的剂量会影响合成MoS2的大小和形貌. 本文还对纳米花状二硫化钼的形成机理做了初步的讨论. 相似文献
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5.
Photosensitization of TiO2 colloid by hypocrellin B (HB),a natural photodynamic pigment with extremely high photosta-bility,has been studied by surface enhanced Raman spec-troscopy (SERS),laser flash photolysis and electron paramagnetic resonance (EPR) techniques.The photoseiisitization of TiO2 occurred practically from the excited triplet dye and the electron injection rate constant is 1.3×106 s-1.The influences of donor and acceptor on the electron injection were investigated. 相似文献
6.
The properties of six kinds of intrinsic point defects in monolayer GeS are systematically investigated using the“transfer to real state”model,based on density functional theory.We find that Ge vacancy is the dominant intrinsic acceptor defect,due to its shallow acceptor transition energy level and lowest formation energy,which is primarily responsible for the intrinsic p-type conductivity of monolayer GeS,and effectively explains the native p-type conductivity of GeS observed in experiment.The shallow acceptor transition level derives from the local structural distortion induced by Coulomb repulsion between the charged vacancy center and its surrounding anions.Furthermore,with respect to growth conditions,Ge vacancies will be compensated by fewer n-type intrinsic defects under Ge-poor growth conditions.Our results have established the physical origin of the intrinsic p-type conductivity in monolayer GeS,as well as expanding the understanding of defect properties in lowdimensional semiconductor materials. 相似文献
7.
8.
测定了以荧光素为光敏剂的电子给体-受体二元化合物荧光素蒽醌甲酯(FL- AQ)及模型化合物荧光素丁酯(FL4)在溶液中和在二氧化钛(TiO_2)胶体中的吸 收光谱、荧光光谱、荧光寿命等。发现荧光素蒽醌甲酯与荧光素丁酯均可通过酚羟 基较好地吸附在TiO_2胶体上。从吸收光谱可得,FL4与TiO_2形成表面络合物的表 观结合常数(K_(app))大约为3590 mol~(-1)·L,结合率(α)为0.86;FL-AQ与 TiO_2形成表面络合物的K_(app)大约为3060 mol~(-1)·L,α为0.84。同时通过 ESR光谱讨论了光诱导电子注入机制。 相似文献
9.
半导体光催化剂的表面修饰 总被引:80,自引:5,他引:80
从半导体光催化剂表面修饰的类型、机理及效果出发,对其研究进展作了综合评述。 相似文献
10.
高等数学(以下简称高数)是工科院校最重要的基础课之一,也是大学一年级学时数最多的一门课程.它不仅是学生学习后继课程的必要基础,而且对学生各种能力的培养有着重要作用.通过高数的教学,对于刚刚结束中学学习的一年级学生掌握大学阶段的学习方法,培养良好的学风,也有着重要的意义.因此,本门课程的教学质量、教学效果不仅关系到学生对该门课程的学习,而且将直接或间接地影响到后继课程的教学,最终影响到高质量人才的培养.那么,怎样才能找准提高教学质量的切入点呢?我认为:教师只有真正认清和掌握学生学习的兴趣、动机等心… 相似文献