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1.
高端芯片制造所需要的极紫外光刻技术位于我国当前面临35项"卡脖子"关键核心技术之首.高转换效率的极紫外光源是极紫外光刻系统的重要组成部分.本文通过采用双激光脉冲打靶技术实现较强的6.7 nm极紫外光输出.首先,理论计算Gd18+—Gd27+离子最外层4d壳层的4p-4d和4d-4f能级之间跃迁、以及Gd14+—Gd17+离子最外层4f壳层的4d-4f能级之间跃迁对波长为6.7 nm附近极紫外光的贡献.其后开展实验研究,结果表明,随着双脉冲之间延时的逐渐增加,波长为6.7 nm附近的极紫外光辐射强度呈现先减弱、后增加、之后再减弱的变化趋势,在双脉冲延时为100 ns处产生的极紫外光辐射最强.并且,在延时为100 ns处产生的光谱效率最高,相比于单脉冲激光产生的光谱效率提升了33%.此外,发现双激光脉冲打靶技术可以有效地减弱等离子体的自吸收效应,获得的6.7 nm附近极紫外光谱宽度均小于单激光脉冲打靶的情形,且在脉冲延时为30 ns时刻所产生的光谱宽度最窄,约为单独主脉冲产生极紫外光谱宽度的1/3.同时...  相似文献   
2.
Hu  Duo-Duo  Gao  Qian  Dai  Jing-Cheng  Cui  Ru  Li  Yuan-Bo  Li  Yuan-Ming  Zhou  Xiao-Guo  Bian  Kang-Jie  Wu  Bing-Bing  Zhang  Kai-Fan  Wang  Xi-Sheng  Li  Yan 《中国科学:化学(英文版)》2022,65(4):753-761
Science China Chemistry - A light-induced, nickel-catalyzed three-component arylsulfonation of 1,3-enynes in the absence of photocatalyst is reported. This methodology exhibited mild conditions,...  相似文献   
3.
Zhang  Jia-Rui  Zhang  Jia-Qi  Zheng  Zhao-Lin  Lin  Da  Shen  Yu-Jia 《Nonlinear dynamics》2022,108(2):1005-1026
Nonlinear Dynamics - Parametrically excited oscillators are used in several domains, in particular to improve the dynamical behaviour of systems like in the case of the parametric amplification or...  相似文献   
4.
Journal of Thermal Analysis and Calorimetry - Thermal runaway phenomena of the Panasonic 21,700 LiNi0.8Co0.15Al0.05O2 lithium-ion batteries with 100, 50 and 25% capacity were studied under thermal...  相似文献   
5.
Liang  Guiming  Huang  Yunbao  Li  Haiyan  Lin  Jingliang 《Nonlinear dynamics》2021,105(4):3393-3407
Nonlinear Dynamics - The modal truncation is usually used in the dynamic response analysis of flexible multibody systems, in which, appropriate selection of modal shapes is very critical to achieve...  相似文献   
6.
Annals of Operations Research - The main purpose of this study was to explore the impact of peace dividends on global changes in national productivity. First, this study assessed changes in...  相似文献   
7.
International Journal of Theoretical Physics - In this paper, we will consider the exact calculation of differential entropy of induced random state ensemble by partial tracing a subsystem over...  相似文献   
8.
低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用价值。采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究。硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布,纳米线的原子间键长和键角发生明显改变。纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响。纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关。纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响。  相似文献   
9.
Mao  Jin-Chao  Hong  Jin-Jing  Lin  Ming-Zheng  Han  Feng  Li  Dong 《Journal of fluorescence》2021,31(4):1169-1176
Journal of Fluorescence - A new Zn(II)-bearing metal-organic framework (MOF), namely, {[Zn2(L)2(H2O)]·8H2O·DMF}n (1) has been generated via applying...  相似文献   
10.
Mathematical Programming - We provide a control-theoretic perspective on optimal tensor algorithms for minimizing a convex function in a finite-dimensional Euclidean space. Given a function...  相似文献   
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