利用重离子辐照技术制备锂离子电池隔膜

用能量11.4MeV/u和注量1×108ions/cm2的197Au离子垂直辐照聚丙烯薄膜,通过电导测量法监测温度、硫酸浓度和重铬酸钾浓度对径迹蚀刻速率的影响,得到合适的蚀刻条件;成功制备出孔径范围在600—1000nm的重离子径迹聚丙烯孔膜,并用场发射扫描电镜对孔的形状及孔径大小进行了表征,对孔洞锥角的形成进行了分析,为重离子辐照技术制备锂离子电池隔膜提供了实验数据。     

电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究

对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索。 通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索, 确定在室温下制备大孔阵列的最佳配比浓度, 蚀刻出符合要求的管坑阵列, 为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础。 The 3 D structures in silicon are increasingly coming to use in many fields. For example, the high resolution X ray digital imaging detector can be made by coupling CCD and the scintillating screen which is made by the array trenches filled with CsI(Tl). In the present work, we explored the technology of etching micro array on the n type silicon with high resistance. By studying the relative parameters of anisotropic etching of KOH and electro chemical etching of HF, the optimized concentration of HF was determined and the micro pore array trenches with 200 μm in depth were realized. The results establish an experimental base for further fabrication of the scintillating screen.     

云母模板中Cu纳米线的制备及其光学性质研究

利用快重离子辐照的单晶白云母片产生潜径迹,蚀刻得到直径在30—180 nm纳米孔道. 孔道形状依赖于蚀刻时间,蚀刻时间短得到圆柱形孔道,蚀刻时间长得到菱柱形孔道. 从而在云母模板孔道中电化学沉积得到不同直径和形状的Cu纳米线. 通过紫外可见光谱分析,发现铜纳米线的尺寸和形状影响其光学性质. 直径小于60 nm的近似为圆柱状Cu纳米线有一个明显的表面等离子体共振峰和一个微弱的次峰. 随着直径增加,菱柱状的Cu纳米线主峰有明显的红移,次峰逐渐增强. 同时利用扫描电子显微镜、X射线衍射对Cu纳米线的形貌和晶体结构特征进行了表征. 关键词： Cu纳米线 电化学沉积 光学性质 云母模板     

一道武汉市调考题的简解

武汉市2009届高中毕业生四月调研测试理科第14题是：已知△ABC内接于椭圆x2/a2＋y2/b2=1（a〉b〉0）,且△ABC的重心G落在坐标原点O,则△ABC的面积等于______。     

25 MeV/u Kr辐照下PET薄膜的损伤机制研究

通过25 MeV/u 86 Kr离子辐照叠层结晶聚对苯二甲酸乙二醇酯膜（PET）, 在不同的电子能损（3.40-7.25 keV/nm）和离子注量(5×1011----3×1012 ions/cm2)辐照条件下, 对Kr离子在PET中引起的辐照损伤效应进行了研究。借助傅里叶变换红外光谱分析,通过对样品的红外吸收峰进行扣除基底后的Lorentz拟合,分析了与主要官能团对应的吸收峰强度的变化趋势, 研究了化学结构与组分在重离子辐照下的变化规律; 利用X射线衍射光谱仪测量, 研究了Kr离子在PET潜径迹中引起的非晶化过程,并通过对吸光度和非晶化强度随离子注量的指数衰减规律的分析, 获得了不同电子能损离子辐照PET时主要官能团的损伤截面和非晶化截面及对应的潜径迹半径。 At room temperature, polyethylene terephthalate(PET) foil stacks were irradiated by 25 MeV/u Kr ions in the electronic stopping power range(3.3--7.66 keV/nm) and the fluence range from 5×1011 to 3×1012 ions/cm2. The behaviour of the main function groups with fluence and electronic stopping power were studied by using Fourier transform infrared(FTIR) spectroscopy, the degradation of the function group was investigated with the Lorentz fitting subtracted baseline. The amorphous processes in the latent tracks of PET were studied by X ray diffraction(XRD) measurements. The Kr ion induced degradation cross section and amorphisation cross sections(radii) for different electronic energy loss were acquired from the experimental data(FT IR and XRD) by exponential decay function respectively.      

金纳米线阵列制备及其光谱特性

利用电化学沉积方法在重离子径迹模板中制备出直径从45 nm到200 nm, 长径比达700的金纳米线阵列, 利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对所制备金纳米线的形貌及晶体结构进行分析, 结果表明, 在1.5 V(无参比电极)沉积电压下所制备出的直径为200 nm金纳米线沿[100]晶向具有较好择优取向. 利用紫外-可见光谱(UV-Vis)对镶嵌在透明模板中平行排列的金纳米线阵列光学特性进行研究, 发现金纳米线直径为45 nm时, 其紫外可见光谱在539 nm处有强烈吸收峰, 随着金纳米线直径增加, 吸收峰红移, 当金纳米线直径达到200 nm时, 其吸收峰峰位移至700 nm. 结合金纳米颗粒相关表面等离子体共振吸收效应对实验结果进行了讨论.     

改进的SILAR法制备ZnO薄膜及其表征

采用一种改进的液相成膜技术——连续离子层吸附与反应(SILAR)法, 用锌氨络离子\[Zn(NH3)4\]2+ 溶液作为独立的前驱体溶液, 以载玻片为衬底, 在(125±5) ℃的温度下沉积出致密、 透明的ZnO薄膜。 分别用冷场发射型扫描电镜(FESEM)和X射线衍射(XRD)分析了薄膜样品的表面形貌和结晶状态, 用紫外可见分光光度计(UV-Vis spectroscopy)研究了薄膜样品的发光性能。 结果表明: 获得样品为六角纤锌矿结构的多晶薄膜材料沿\[002\]方向择优生长; 样品表面均匀、 致密, 厚度约为550 nm;在可见光波段具有高的透射率(＞80％)。 A modified solution method,successive ionic layer adsorption and reaction(SILAR),was applied to prepare transparent zinc oxide(ZnO) film on glass substrate at (125±5) ℃ in mixed ion precursor solution. The surface morphology and crystallizations of films were analyzed by field emission scanning microscopy(FESEM) and X ray diffraction(XRD), respectively. The optical properties of the films were studied by ultraviolet visible(UV Vis)spectroscopy. The results show that the obtained samples are polycrystalline films of hexagonal wurtzite structure,with the preference of [002\] orientation. The as deposited films exhibit uniform and compact surface morphology, with the film thickness of 550 nm, and have high transmittance in the visible band(＞80％).     

对一道质检题的探讨

数学学习中，将一些颇具探究价值的问题加以拓展或类比后进行探讨，是激发学习兴趣、提高探究能力与数学素养的有效途径．下面给出一则案例，供大家参考．     

重离子径迹模板法合成银纳米线

聚碳酸脂(PC)膜被高能重离子辐照后沿入射离子路径产生潜径迹, 把带有潜径迹的膜经紫外光敏化后置于NaOH 溶液中进行蚀刻, 通过选择蚀刻条件, 在PC 膜内得到直径从100 到500 nm 导通的核径迹孔. 以带有核径迹孔的PC 膜为模板, 用电化学沉积法制备出不同直径的银纳米线. 在特定的实验条件下(沉积电压25mV、电流密度1-2 mA·cm-2、温度50 益和电解液为0.1 mol·L-1的AgNO3溶液), 获得了沿[111]方向择优取向生长的具有单晶结构的银纳米线. 利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及选区电子衍射(SAED)等手段对银纳米线的形貌和晶体结构特征进行了表征.