γ－射线辐照制备金属和金属氧化物纳米级超细粉

γ－射线辐照制备金属和金属氧化物纳米级超细粉陈祖耀，朱英杰，陈敏，钱逸泰，张曼维（中国科学技术大学应用化学系，合肥２３００２６）（中国科学院中国科学技术大学结构研究开放实验室，合肥２３００２６）某些金属盐及其溶液在可见光或γ－射线辐照下会变色生成微细...     

YBa_2Pb_xCu_(3-x)O_y的临界电流特性

本文系统地研究了 Y Ba_2Pb_xCu_(3-x)O_y(0≤x≤0.4)高温超导体的正常态电阻率,交流磁化率,临界温度和临界电流密度等参量之间的关系.结果表明,在0≤x≤0.4范围内,样品的 T_c只有很小的变化,而电阻率和临界电流密度则随 x 发生显著的变化.特别是当 x=0.1时,样品的电阻率最小而相应的临界电流密度最大,在液氮温度下 J_c 为单相 Y Ba_2Cu_3O_(7-δ)样品的三倍多.作者还发现样品内界面层对临界电流的影响比超导相所占比例更大.作者应用McMillan 理论和 Ambegaokar-Baratoff 理论结果分析了实验数据.     

室温下合成纺锤形貌六方相NaLnF_4(Ln=Nd,Sm,Eu,Gd,Tb)纳米颗粒

室温下合成长250nm,宽100nm的纺锤形貌六方相的NaNdF4。NaEuF4,NaSmF4,NaGdF4和NaTbF4也用同样的方法获得。产物用XRD,TEM,HRTEM,FESEM和PL进行表征。PL光谱显示合成的NaEuF4的激发波长是394nm。NaEuF4有4个特征发射谱带,分别是591,615,650和681nm。     

Gd掺杂的Bi系2212相单晶电子状态的X射线光电子能谱研究

利用X射线光电子能谱(XPS)研究了Bi系纯2212相超导单晶和Gd掺杂的2212相绝缘体单晶的电子状态的区别。实验结果表明Gd掺杂引起超导电性的变化是由于D_2p轨道空穴填充引起。本文还对Cu2p_3/2XPS卫星峰与主峰强度之比(I_s/I_m),Bi-O层性质以及Bi系Fermi能级附近态密度的来源等问题进行了讨论。 关键词：     

Bi2Sr2CaCu2-xLixOy体系的光电子能谱研究

采用X射线光电子能谱对Bi₂Sr₂CaCu_2-xLi_xO_y体系在真空中获得的清洁表面进行了研究。结果表明:Li的掺入对Bi和Sr的化学键性质几乎没有影响,而Ca,Cu,O的化学键性质有较大的变化,其结合能随着Li含量x的增加向高能方向移动。同时对真空中获得的清洁表面和普通表面样品O1s进行了比较,结果发现真空中获得的清洁样品O1s有一个峰(528.4eV),而普通表面样品O1s有两个峰(528.4eV)和(531eV),这表明O1s的高能峰是由污染产生的。 关键词：     

晶体Sr_2Cu（HCOO）_6·8H_2O作为先驱物制备Sr_2CuO_2（C

应用ＳｒＣＯ３和ＣＵ（ＮＯ３）·３Ｈ２Ｏ从甲酸溶液中制备出晶体Ｓｒ２Ｃｕ（ＨＣＯＯ）６·８Ｈ２Ｏ，用这一晶体作为先驱物，石英管式炉中，８２５℃烧结六小时，得到单相的Ｓｒ２ＣｕＯ２（ＣＯ３）．通Ｎ２气体，８５０℃烧结十小时，得到Ｓｒ２ＣｕＯ３．Ｓｒ２ＣｕＯ２（ＣＯ３）是形成Ｓｒ２ＣｕＯ３的一种中间相．     

Ba-La-Cu-O体系的金属-半导体转变和超导电性

测量了名义组分为 BaxLa_(5-x)Cu_5O_(5(3-y))(x=0,0.25,0.5,1.0,1.25,1.5; y>0)的系列样品电阻-温度关系。发现:对x=0的二元氧化物,其电子输运呈典型的半导体特征;随着Ba的掺入以及含Ba量的增加,系统经历了半导体-半金属-金属(超导体)转变,并且其超导临界温度Tc也单调地升高。根据Mattheiss及Freeman等人的能带计算结果,在电声子强耦合的框架里对上述现象作了定性的解释。本文作者认为:二价Ba的掺入抑制了晶格的不稳定性,稳定了超导相。     

室温氧化还原反应制备AgCuSe三元纳米棒

在室温下通过氧化还原反应制备了AgCuSe三元纳米棒.用X射线粉末衍射、透射电镜和X射线光电子能谱对产物进行了表征.X射线粉末衍射结果表明,产物是四方相AgCuSe;透射电镜结果表明,产物是纳米棒,其直径为5～20nm,长度为200～600nm;X射线光电子能谱结果表明,产物的纯度是很高的,没有单质Ag、Cu等杂质.应用化学热力学原理讨论了产物AgCuSe的生成机理.热力学计算表明,在这个反应体系中最终产物是纯AgCuSe.溶剂乙二胺不仅作为双齿配体与Ag+和Cu+形成稳定的配合物,而且还能溶解金属硒、增强硒的反应性,乙二胺在控制AgCuSe的成核和纳米棒的生长过程中起着重要的作用.