BIFURCATIONS OF TRAVELLING WAVE SOLUTIONS FOR GENERALIZED DRINFELD-SOKOLOV EQUATIONS

Ansatz method and the theory of dynamical systems are used to study the traveling wave solutions for the generalized Drinfeld-Sokolov equations. Under two groups of the parametric conditions, more solitary wave solutions, kink and anti-kink wave solutions and periodic wave solutions are obtained. Exact explicit parametric representations of these travelling wave solutions are given.     

黏滞阻尼器在超高层结构体系中的效率研究

250m以上的超高层结构主要有框架-核心筒、框筒-核心筒和巨型框架-核心筒等三种结构体系．由于超高层结构的高宽比通常较大（5以上）,结构的侧向变形往往成为控制因素．随着消能减震技术的不断成熟,黏滞阻尼器越来越多的应用于建筑结构领域．本文分别将黏滞阻尼器均匀布置在上述三种超高层结构体系中,对比其消能减震效果并分析原因,最后建议了黏滞阻尼器在这些结构中的较优布置．     

从一个怪例看细长梁理论的基本假定

分别采用欧拉和铁木辛柯梁理论分析了均匀分布力偶作用下的两端固支等截面匀质细长 梁, 并通过ABAQUS有限元分析了一个实例, 验证了铁木辛柯梁理论分析的结果. 对比证明在 这种载荷及边界条件下即使细长梁, 也必须考虑剪切效应的影响.     

南海一号出水景德镇窑与龙泉窑青瓷特征的无损分析研究

古代陶瓷产地研究是陶瓷考古的重要内容,也是科技考古工作者研究的重点。目前国内古代陶瓷产地研究主要依赖化学成分分析技术,对陶瓷釉层结构特征的无损分析研究却相对缺乏,难以对古代陶瓷进行全方位的认知。该研究首次将光学相干层析(OCT)与X射线荧光(XRF)光谱分析技术相结合,对南海一号沉船出水的南宋初期景德镇窑和龙泉窑青瓷瓷釉的断层结构特征和化学成分特征进行综合无损分析研究。首先采用扫频OCT成像系统对两个窑址青瓷瓷釉断层结构及装饰工艺特征进行了研究,分析了青瓷瓷釉类型、釉层厚度、釉层内气泡、包裹体、表面裂纹等特征及分布状况,对比了两窑址青瓷瓷釉断层结构特征,确定了可能采用的装饰工艺。其次,利用X射线荧光(XRF)光谱分析获得了两窑址青瓷胎釉的化学成分,对比研究了两个窑址青瓷胎釉化学成分差异,进而探讨了瓷釉断层OCT图像特征与釉层化学成分之间存在的联系。实验结果表明,景德镇青瓷和龙泉青瓷样品在釉层厚度、气泡、裂纹、包裹体等瓷釉断层结构特征上差异明显,在胎釉化学成分方面,两类青瓷在胎釉着色相关元素、釉层碱性氧化物等成分含量上也存在差异。同时,瓷釉断面结构特征差异与釉层化学成分差异存在紧密联系。实验证明,将OCT与XRF相结合是一种有效的辨别瓷器窑口的科学技术方法。     

Theoretical Investigation on Excitation,Ionization and Capture in H（1s, 2s） ＋ H（1s, 2s） Collisions

Cross sections of electron-loss in H（1s）＋ H（1s） collisions and total collisional destruction of H（2s） in H（1s） 4- H（2s） collisions are calculatted by four-body classical-trajectory Monte Caylo （CTMC） method and compared with previous theoretical and experimental data over the energy range of 4-100 keV. For the former a good agreement is obtained within different four-body CTMC calculations, and for the incident energy Ep 〉 10 keV, comparison with the experimental data shows a better agreement than the results calculated by the impact parameter approx- imation. For the latter, our theory predicts the correct experimental behaviour, and the discrepancies between our results and experimental ones are less than 30%. Based on the successive comparison with experiments, the cross sections for excitation to H（2p）, single- and double-ionization and H- formation in H（2s）＋H（2s） collisions are calculated in the energy range of 4-100 keV for the first time, and compared with those in H（1s）＋H（1s） and H（1s）＋U（2s） collisions.     

矩形薄板屈曲分析的高阶有限条传递矩阵法

针对矩形薄板屈曲,基于基尔霍夫板理论,采用半解析有限条法和含有中间节线的高阶有限条法推导条元的控制方程。在此基础上,根据传递矩阵形成单元传递方程和系统传递矩阵,形成了分析薄板屈曲临界力和屈曲模态的矩形薄板屈曲分析的高阶有限条传递矩阵法。采用该方法分析了两种边界条件下四边受压矩形板的屈曲临界力,并与理论解和有限元解比较,实例证明该方法有效。此方法在有限条传递矩阵法的基础上可进一步提高计算精度。     

Semi-quantitative study on the Staebler--Wronski effect of hydrogenated amorphous silicon films prepared with HW-ECR-CVD system

The method of numerical simulation is used to fit the relationship between the photoconductivity in films and the illumination time. The generation and process rule of kinds of different charged defect states during illumination are revealed. It is found surprisingly that the initial photoconductivity determines directly the total account of photoconductivity degradation of sample.     

高剥离氩离子电子碰撞电离参数评估

基于可以得到的理论和实验数据,对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氦、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估.发现对基态类氢、类氦和类锂氩离子的碰撞电离,在不考虑共振过程的情况下,我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的.但对于激发态的碰撞电离过程,还有待于可靠的数据比较.此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律.     

高剥离氩离子电子碰撞电离参数评估

基于可以得到的理论和实验数据，对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氯、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估，发现对基态类氢、类氯和类锂氩离子的碰撞电离，在不考虑共振过程的情况下，我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的，但对于激发态的碰撞电离过程。还有待于可靠的数据比较，此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律。     

0^3＋与H2碰撞中解离电子俘获过程的全量子计算

利用全量子的分子轨道强耦舍方法。我们研究了基态的O^3（2s^22p^2P）与氢分子碰撞的解南电荷转移过程．分子轨道强耦合计算中采用了自旋耦合价带理论计算的三原子分子势能面和径向耦合矩阵元．对氢分子的自身转动，我们采用无限阶的冲量近似方法，在入射离子能量为0．1 eV／u到500 eV／u的能量区间。我们得到了非解离碰撞过程的振动态选择单电子俘获截面和解离碰撞过程的单电子俘获微分截面，发现解离碰撞截面大约占非解离过程的10％．这表明在实际的应用中。必须包含解离俘获过程的贡献．