Semi-quantitative study on the Staebler-Wronski effect of hydrogenated amorphous silicon films prepared with HW-ECR-CVD system

The method of numerical simulation is used to fit the relationship between the photoconductivity in films and the illumination time. The generation and process rule of kinds of different charged defect states during illumination are revealed. It is found surprisingly that the initial photoconductivity determines directly the total account of photoconductivity degradation of sample.     

用射频溅射法制备立方氮化硼薄膜

利用射频溅射方法在n型Si(111)衬底上制备出立方相含量接近100%且粘附性较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.傅里叶变换红外谱(FTIR)的结果表明，基底负偏压对薄膜立方相含量和薄膜压应力有很大影响，另外，衬底的电阻率对c-BN生长和薄膜的压应力也有一定的影响. 关键词： 立方氮化硼 射频溅射 压应力 基底负偏压     

面向自动测试的集成电路制造装备测试模型

对于典型的集成电路制造装备,提出了一种面向自动测试系统的多层次测试模型;使用层次化建模方法进行建模,将典型集成电路制造装备的测试模型按层次划分为装备级、子系统级和仪器级;利用XML建立了模块化的测试模型的描述,并使用引用的方式实现测试模型的重用;提出了使用时间信息和GUID确定被引用测试模型可用性的算法;该模型被用于具有工艺腔室的典型集成电路制造装备中,提高了测试模型的重用性,并拓展了对不同层次被测对象的测试能力。