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专业分类

晶体学

1篇

出版年

2004年

1篇

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用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计 总被引：1，自引：0，他引：1

蒲红斌陈治明李留臣封先锋张群社沃立民黄媛媛《人工晶体学报》2004,33(5):712-716

采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究.分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多感应生成焦耳热越大且越均匀的结论,得出了随石墨厚度的增加升温速率而增加,相反轴向温度均匀性而变差的设计准则.模拟结果表明选取16匝线圈和10mm左右的石墨壁厚为优化的设计参数. 相似文献