基于GARCH方法研究非效率投资中金融冲击的影响机理

代理理论认为,在动荡和不确定环境下,管理者会做出偏离企业价值最大化的非效率投资行为。为探究金融冲击这个带有不确定色彩的因素,是否会恶化企业非效率投资行为,论文先是使用一个数学模型来说明金融冲击与非效率投资的可能关系,而后以GARCH方法的条件异方差来度量金融冲击的潜变量股市冲击、货币冲击和汇率冲击。最后,实证检验了这三个金融冲击潜变量和非效率投资的关系。研究发现:货币冲击和汇率冲击会显著提升非效率投资,而股市冲击能够显著降低非效率投资。进一步研究表明,货币冲击和汇率冲击会通过显著增加过度投资来加大非效率投资行为,而股市冲击则通过显著减少投资不足来达到降低非效率投资行为。     

带有增益介质层的混合脊状等离子体波导的传输特性

在传统脊状等离子体波导的基础上设计了一种带有增益介质层的新型混合脊状等离子体波导,其结构中的介质层部分包含两个区域:前区为单一介质,后区的脊是由2种介质构成的双层脊区。采用二维时域有限差分方法分析了波导结构的传输特性,得到了TM模下的电场分布图,并对输出功率以及传输损耗与结构参数和介质折射率的变化规律进行了讨论。结果表明,在波导中引入的增益介质材料磷化铟后其损耗达到-6 dB/μm。此种波导结构对于光集成芯片的研究与制作具有重要意义。     

Large Relative Raman Shift for Molecules Adsorbed on Metallic Nano-particles

The enhancement of two order-of-magnitudes is observed in surface-enhanced Raman spectroscopy （SERS） of gases （CO, C2H2, C2H4, etc） adsorbed on nitric acid-roughened metal foil. In addition, some Raman lines of gases adsorbed on these active substrates show larger frequency shifts and linewidth broadening, compared with the Raman spectroscopy of free gases. Using the two-oscillator electromagnetic model, we explain this phenomenon. It is related to the large non-regular particles on the active substrate we prepared. It is found that the parameters of the surface-plasmon dispersion, the distance of molecules from the surface and the radius of particles play crucial roles on the relative large Raman shifts.     

高亮度大功率InGaAIP红光LED芯片研制

报道了大功率高亮度InGaAIP红光LED芯片的设计和工艺制备,实验芯片采用环形插指状电极。和传统的LED芯片相比较,环形插指状电极LED芯片电流扩展分布更均匀,而且更有利于与其它器件的集成。对制备好的芯片进行了I-V特性、光谱特性、光通量和光强的测量。芯片的电性能非常好,其开启电压VT为1．5V;当工作电压达到3V时,工作电流为500mA;在工作电流为350mA时,峰值波长为635nm,半峰全宽为16．4nm。光强为830mcd。在色度学测试中,色坐标为x=0．6943,y=0．3056,显色指数为18．4。因此可以得知高亮度大功率InGaAIP红光LED是未来LED作为普通照明光源应用的第一步,而且将会在科学研究和工业投资的很多应用领域中成为新的焦点。     

负载铈（IV）的D412螯合树脂除氟性能的研究

以D412氨基磷酸型螯合树脂为载体,负载Ce（IV）制得选择性吸附剂。探讨了该吸附剂对水中的F－的静态和动态吸附性能,实验中对含氟液pH值、浓度、流量以及再生液种类和浓度对该吸附剂吸附性能的影响进行了研究,并采用红外分析方法推测了吸附剂吸附F－的机理。     

AlN含量对SiC基复相陶瓷性能的影响

以MgO-CeO2为烧结助剂,采用热压烧结工艺在1850℃下制备了SiC基复相陶瓷.研究了不同AlN含量对复相陶瓷致密性与导热性能的影响.结果表明:不添加AlN时,试样致密性最差,气孔率和体积密度分别为4.71;和2.43 g/cm3.AlN含量升高至5wt;时,试样致密性有所提高.AlN含量进一步升高至10wt;～20wt;,试样完全致密,气孔率和体积密度分别保持在0.20;和3.31 g/cm3.在AlN含量为10wt;时,样品具有最高的热导率51.62 W·m-1·K-1,同时弯曲强度和断裂韧性达到顶点,分别为731.3 MPa和7.3 MPa·m1/2.     

铬掺杂对氧化铝陶瓷真空电绝缘性能的影响

陶瓷绝缘子沿面闪络现象是制约电真空器件使用的重要原因.以95;的Al2O3陶瓷为基料,掺杂0～1.5wt; Cr2O3,制备铬掺杂的氧化铝陶瓷绝缘子,研究了铬的掺杂含量对该绝缘材料烧结性能和真空绝缘性能的影响.结果表明:Cr3+掺杂显著降低了95;氧化铝陶瓷的气孔率,促进了陶瓷的烧结,并降低了陶瓷的烧结温度,使铬掺杂氧化铝陶瓷的晶粒更加细小均匀.掺杂量为0.5wt;的Cr2O3真空沿面闪络电压最高,达到65 kV/cm,主要原因是铬的掺杂降低了样品的气孔率和二次电子发射系数,过量掺杂造成了更多的晶体结构缺陷,反而降低了陶瓷绝缘子的真空耐电压.     

基于调制光晶格的中性分子束光学Stark减速与囚禁的理论研究

本文基于分子束光学Stark减速理论,提出采用调制的红失谐光晶格来减速和囚禁任意脉冲超声分子束方案,并予以理论研究.以CH₄超声分子束为例,利用Monte-Carlo方法模拟了调制光晶格中的分子减速与囚禁的动力学过程,给出减速级数、同步分子初始位相角与减速效果的关系.研究结果表明：随着减速级数的增加,被减速的分子波包逐渐从原来的分子速度分布的大波包中分离开来,且减速级数越高,减速后的分子速度越小.在其他条件相同时同步分子初始位相角越大,减速波包内的分子数目越少,同时位相空间被压缩.与未调制的光晶格减速方案相比,本方案中无分子自由飞行过程,在相同的光晶格长度内完成了双倍的减速级数.当光晶格长度取3.71 mm时,模拟结果显示CH₄分子从280 m/s减速至172 m/s,而未调制光晶格只能将CH₄分子从280 m/s减速至232 m/s,减速效果提高了26%.本方案可以集分子的减速、囚禁于一体,是一种新型的分子光学功能器件,在冷分子光学、量子信息、冷化学等前沿研究领域中有潜在的应用.     

通过柱切换技术与高效液相色谱联用的限进性柱对盐酸贝那普利的在线富集性能

以自制的限进性填料柱为预处理富集柱,Luna C₁₈柱为分析柱,通过柱切换技术将限进性填料柱与高效液相色谱联用(RAM-HPLC),研究了盐酸贝那普利的在线富集效果。考察了进样体积与峰面积、系统总压力的关系,以及常规进样与大体积进样的差别。当进样体积在100 μL以内时,峰面积随进样体积的增加而增加;当进样体积大于80 μL时,系统总压力变化明显。考虑对整个系统的保护,选择80 μL作为最大进样体积。同一浓度的样品进样20 μL与进样80 μL所得峰面积之间的线性关系良好。RAM柱对盐酸贝那普利具有良好的富集作用,能够有效提高HPLC的灵敏度,而且具有简单、经济的特点。     

基于光栅光谱仪的几种常用光源的蓝光比测试与分析

利用光栅光谱仪对几种常用光源的蓝光危害进行测试与分析,实验测量了多种常用光源的光谱,基于测量数据,计算了各种光源的蓝光比,得到白炽灯的辐射覆盖了整个可见光区,而LED光源的蓝光占比较大.