高亮度大功率InGaAIP红光LED芯片研制

报道了大功率高亮度InGaAIP红光LED芯片的设计和工艺制备，实验芯片采用环形插指状电极。和传统的LED芯片相比较，环形插指状电极LED芯片电流扩展分布更均匀，而且更有利于与其它器件的集成。对制备好的芯片进行了I-V特性、光谱特性、光通量和光强的测量。芯片的电性能非常好，其开启电压VT为1．5V；当工作电压达到3V时，工作电流为500mA；在工作电流为350mA时，峰值波长为635nm，半峰全宽为16．4nm。光强为830mcd。在色度学测试中，色坐标为x=0．6943，y=0．3056，显色指数为18．4。因此可以得知高亮度大功率InGaAIP红光LED是未来LED作为普通照明光源应用的第一步，而且将会在科学研究和工业投资的很多应用领域中成为新的焦点。