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1.
系统地研究了Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1-xGdxCu2Oy单晶超导电性及各向异性电阻率的影响.Tc满足Tc/Tc,max=1-82.6(ax+b)2,并随Gd含量的增加而下降,这是由于Gd掺杂引起载流子浓度减小所导致.在x≥0.19时,ρab(T)在Tc附近有类半导体行为,dρab/dT随Gd含量增大而增大.ρc(T)呈半导体行为,并可用唯象公式ρc(T)=(a/T)exp(Δ/T)+bT+c加以描述.电阻率各向异性ρc/ρab随掺杂浓度增大而增大. 相似文献
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首先制备了给体(AlPcCl)和受体(C70)比例为1∶1的电池器件并采用不同的温度对电池进行退火处理,发现在120℃的温度下退火电池器件的性能最好,器件的转换效率从2.28;提高到2.47;,增加了8.3;.为进一步优化电池器件的性能,制备了在相同的活性层厚度下不同的给受体比例的电池器件,发现在给受体的厚度之比为1∶5时器件性能最好,电池开路电压为0.8V,短路电流为10.21 mA/cm2,填充因子为46.04;,转换效率为3.71;. 相似文献
3.
研究了聚乙烯吡络烷酮(PVP)作为阴极缓冲层对P3HT/PCBM基聚合物太阳能电池光电性能的影响.PVP分别溶于二甲基乙酰胺(DMAC)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、乙二醇乙醚、丙酮等不同溶剂中,研究了其旋涂过程及其对活性层薄膜的影响.结果表明:PVP作为P3HT∶ PCBM的阴极缓冲层,由于其产生的自集聚效应使活性层与阴极之间形成良好的欧姆接触,有利于电子的传输.当在活性层上面旋涂溶于N-甲基吡咯烷酮(NMP)的聚乙烯吡络烷酮(PVP)的溶液时,聚合物太阳能电池的开路电压Voc为0.57 V,短路电流为Jsc为10.9 mA/cm2,填充因子FF为62;,能量转换效率PCE为3.95;.与未加阴极缓冲层PVP的标准电池器件效率(2.62;)相比,效率提高了50;. 相似文献
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本文研究了Pr1.27La0.7Ce0.03CuO4和Pr2CuO4单晶的低温热导率行为,在极低温下热导率(κ)随磁场的变化显示出低场下的凹陷和高场下的平台现象.这种现象很可能是顺磁离子散射声子的作用引起的,在Pr2CuO4单晶的比热测量结果中,肖特基峰随磁场的变化关系表明样品中确实含有少量的顺磁离子,并且其零场下基态能级存在劈裂.因此,这些顺磁离子很可能是Pr4+离子.该结果表明铜氧化合物高温超导体中声子与自旋的强烈耦合作用. 相似文献
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本文研究了三个不同退火温区下(低于450℃、450~700℃和高于700℃)影响Bi2Sr2CaCu2Oy单晶抗磁转变宽度的因素.发现普遍被接受的在700℃以下退火温区的分界线并不明确.ΔTc的变化强烈依赖于退火条件,即使在250℃的较低退火温度下,Tc和ΔTc也可以通过快速淬火而得到显著改善.然而在700℃以上、不同条件下退火均得到较宽的ΔTc与已有的报道是一致的,这可能是Bi2Sr2CaCu2Oy单晶的本征行为.以上结果可以用额外氧的含量和位置、阳离子迁移引起的结构调整来解释. 相似文献
6.
从名义组份Bi2.4Sr2PrCu2Oy生长出一种新的Bi2222相单晶,其实际组份测定为Bi2Sr1.5Pr2.5Cu2Oy.用X射线衍射对单晶的结构进行了表征,并且研究了该单晶生长中Bi2201和Bi2212相的交生等相关问题.另外,如果从名义组份为Bi2.4Sr1.5Pr2.5Cu2Oy出发,得到的却是Pr2CuO4单晶. 相似文献
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倪波赵志颖吴佳川孙学峰 《低温物理学报》2013,(6):406-412
本文研究了用助熔剂法和浮区法两种方法生长Nd2-x Cex CuO4(NCCO)单晶的生长条件和NCCO单晶的热传导性质.用助熔剂法方法可以生长出组份为x=0至x=0.18的一系列单晶样品.用X射线衍射表征了单晶的结构和品质,并观测了不同的退火过程对样品的超导转变的影响.在浮区法方面,生长NCCO(x=0.15)单晶也取得了很好的结果.另外,本文还测量了不同组份的单晶样品的低温热导率,发现Nd3+离子磁性对热导率的影响以及掺杂Ce后热导率的变化情况. 相似文献
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用定向凝固法生长出单畴,大尺寸的Bi2Sr2CaCu2Oy晶体。利用X射线衍射对一单晶样品进行了全面的结构表征。实验结果表明我们的单晶不含有交生,孪晶等结构缺陷,而且更重要的是具有极小的镶嵌效应。但在这些高质量的单昌中仍然存在与调制结构相关的无序,这可能是这种层奖超导体的本征属性。 相似文献