四氧化三铁纳米团簇的表面修饰及生物毒性研究

采用微波辅助溶剂热法制备了四氧化三铁(Fe3O4)纳米团簇.为了改善团簇的稳定性,用改进的St(o)ber法,在Fe3O4团簇的表面包覆—层氧化硅(SiO2),成功制备出核-壳结构的Fe3O4@SiO2粒子.用透射电镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、纳米粒度仪、Zeta电位、振动样品磁强计(VSM)、MTT比色法等测试手段,对样品的形貌、结构、粒径分布、胶体稳定性、磁学性质及生物毒性进行了研究,结果表明:所制备的Fe3O4纳米团簇平均尺寸约为60nm,尺寸均匀,在室温下表现出超顺磁性.包覆后的核-壳结构Fe3O4@SiO2粒子平均尺寸约为150 rn,具有良好的水分散性和胶体稳定性,包覆前后的样品均具有低的生物毒性.     

纳米铜修饰三维锌网电极的制备及锌离子电池负极的电化学性能

设计构建了纳米铜修饰的三维锌网电极(Nano Cu@3D Zn Mesh, 简称3D Cu-Zn电极), 并将其作为锌沉积的宿主材料用作锌离子电池的负极, 获得了稳定的、 具有长循环寿命的锌负极材料. 3D Cu-Zn电极的三维(3D)锌网骨架和表面均匀分布的3D树枝状纳米铜可以降低局部电流密度, 并为锌的沉积提供结构支撑和容纳空间. 锌网表面具有的较强锌结合能力的铜和后续原位形成的铜锌合金, 可以有效降低锌形核的过电势, 并作为均匀分布的形核位点引导锌的均匀成核和沉积. 这种3D Cu-Zn电极宿主材料表现出较低的形核过电势和界面阻抗, 并在对称电池中表现出优异的循环稳定性, 在0.5 mA/cm²的电流密度下可以稳定循环超过1100 h. 3D Cu-Zn电极与MnO₂组装的全电池表现出更小的极化、 良好的倍率性能和循环性能.     

锌离子电池正极材料V2O5的储能机理和容量衰减原因

采用水热法结合热处理制备了具有高结晶性的V₂O₅,利用X射线衍射仪、球差校正扫描透射电子显微镜和扫描电子显微镜对V₂O₅的物相和形貌进行了表征,发现制备的V₂O₅择优取向生长并且具有良好的结晶性.电化学测试结果表明,以V₂O₅为正极材料的电池在电流密度为0.5 A/g下首次放电比容量约为340 mA·h/g.在电流密度为5 A/g下电池的首次放电比容量为170 mA·h/g,并且循环100次后衰减为50 mA·h/g.对不同放电态的V₂O₅正极材料的物相进行了分析,得出了V₂O₅正极材料在充放电过程中发生了锌离子和质子共嵌入（脱出）的反应机理;V₂O₅正极材料在充放电过程中发生的非晶化和副产物碱式硫酸锌的生成是导致以V₂O₅作为水系锌离子电池正极材料的电池系统发生容量衰减的主要原因.     

高阻氮化镓外延层的异常光吸收

通过光伏谱(PV)的测量发现,采用MOCVD方法生长的非故意掺杂GaN外延膜,电阻较大的样品在带隙内有明显的异常光吸收.吸收峰的能量位置表明这种异常吸收可能与激子有关.在这些高阻样品上制作的MSM型探测器,当入射光照射不同位置,其光谱响应显示了区域不一致性.20 V偏压下反向偏置结处的光谱响应比正向偏置结处的光谱响应大一个数量级左右,峰值响应的位置也发生明显红移现象,红移的能量约为28 meV,并且几乎不随环境温度变化.根据MSM结构的电场分布不均以及带边和激子响应对电场的依赖性不同,MSM型探测器的这种 关键词： GaN 激子 光伏谱 光谱响应     

两例相互牵引运动规律的分析

物体之间的相互牵引运动有些比较复杂,结合中学物理教学实际,笔者拟对牵引运动问题,从理论上做比较深入的分析和探讨,供教学中参考。并介绍学生能够接受的理论推导。例一绳子牵引物体运动。湖中有一小船,岸上有人通过定滑轮拉绳子的恒定速度为v绳,使船靠     

Effects of Ag on Electrical Properties of Ag/Ni/p-GaN Ohmic Contact

Properties of the Ag/Ni/p-GaN structure at different temperatures are studied by Auger electron spectroscopy, scanning electron microscopy and high resolution x-ray diffraction. The effect of Ag in ohmic contact on the crystalline quality is investigated and the optimized value of annealing temperature is reported. The lowest specific contact resistance of 2.5 × 10^-4 Ωcm^2 is obtained at annealing temperature of 550^o C.     

穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响

研究了GaN基p-i-n（p-AlGaN/i-GaN/n-GaN）结构紫外探测器的漏电机理．实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电．进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层．在制备p-AlGaN电极时,许多金属会落在V形坑中,从而与i-GaN形成了肖特基接触,有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触．正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加． 关键词： GaN 紫外探测器 V形坑 反向漏电     

微波辅助溶剂热法制备纳米Fe3O4团簇

采用微波辅助溶剂热法制备了纳米Fe3O4团簇,其中乙二醇和二甘醇作为反应溶剂和还原剂,乙酸钠和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面活性剂和稳定剂.采用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)对样品的结构和形貌进行了表征,利用样品振动磁强计(VSM)对样品的磁学性能进行了表征.结果表明,微波加热2h和4h,获得的是尺寸为40 ～ 50 nm的纳米Fe3O4团簇,而在微波加热5 min的条件下,获得的是10 nm的Fe3O4纳米颗粒.所制备样品在室温下表现出超顺磁性.     

Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors

The leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors is investigated. It is found that the photodetectors adopting undoped GaN instead of lightly Si-doped GaN as an active layer show a much lower leakage current even when they have a higher dislocation density. It is also found that the density of Ga vacancies in undoped GaN is much lower than in Si-doped GaN. The Ga vacancies may enhance tunneling and reduce effective Schottky barrier height, leading to an increase of leakage current. It suggests that when undoped GaN is used as the active layer, it is necessary to reduce the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetector.