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1.
We design generative neural networks that generate Monte Carlo configurations with complete absence of autocorrelation from which only short Markov chains are needed before making measurements for physical observables,irrespective of the system locating at the classical critical point,fermionic Mott insulator,Dirac semimetal,or quantum critical point.We further propose a network-initialized Monte Carlo scheme based on such neural networks,which provides independent samplings and can accelerate t...  相似文献   
2.
单晶硅晶格间距是许多重要物理常数测量的基础。本文介绍了硅晶格间距测量技术的发展历程,包括X射线干涉仪直接测量和晶格比较仪间接测量两种方法,以及影响测量结果不确定度的关键因素。得益于晶格间距测量的进展,在纳米尺度,硅晶格间距被国际计量局(BIPM)批准成为新的米定义复现形式。最后介绍了硅晶格在计量学中的应用,以及基于硅晶格实现纳米几何量测量的溯源体系的研究趋势。  相似文献   
3.
在进行数值模拟计算时,人们非常希望能够实时地对计算过程中产生的数据进行可视化显示,从而及时高效地分析数据,并且一旦发现问题,可以对计算程序中的相关参数进行调整或终止程序运行,这不仅有利于提高计算效率,而且对计算程序的改进与发展也有相当大的辅助作用。为此,开展了跟踪驾驭式可视化技术的研究,并设计开发了一个在单机环境下运行的跟踪驾驭式可视化系统TSV(Tracking and Steering Visualization)。  相似文献   
4.
在2004年的实验中,首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理,在这种硅化器壁的条件下,对轻重杂质的线辐射进行了研究,并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中,通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗,研究了硅化对氢再循环的影响。  相似文献   
5.
激光限制结晶技术制备nc-Si/SiO2多层膜   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在等离子体增强化学气相淀积系统中,采用aSi:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了aSi:H/SiO_2多层膜.在激光诱导限制结晶原理基础上,使用KrF准分子脉冲激光为辐照源,对aSi:H/SiO_2多层膜进行辐照,使纳米级厚度的aSi:H子层晶化.Raman散射谱和电子衍射谱的结果表明,经过激光辐照后纳米Si颗粒在原始的aSi:H子层内形成,晶粒尺寸可以根据aSi:H层的厚度精确控制.还研究了样品的光致发光(PL)特性以及激光辐照能量密度对PL性质的影响. 关键词: 脉冲激光 多层膜 限制结晶  相似文献   
6.
总结HL-1和HL-IM装置等离子体的可见光谱实验,给出了各种放电条件下等离子体参数的可见光谱测量结果,讨论了杂质减少、加料、约束改善、等离子体旋转及边缘辐射特性等可见光谱实验结果,展望了HL2A装置上要开展的可见光谱研究内容。  相似文献   
7.
1 INTRODUCTION Considerable research effort on the heavy metal fluoride glasses like barium, zirconium fluoride and a series of rare-earth fluorozirconate compounds du- ring the last two decades was initiated by the broad optical transmission window of these glasses and thereby the potential for ultralow-loss optical fi- bers[1~10]. The fluorozirconate of alkali metals was first reported in 1938[11], and most of the sodium and potassium fluorozirconates were reported amongthe 1940s and 19…  相似文献   
8.
1 INTRODUCTION Silicon and its alloy have been widely applied in such fields as electronic industry, high-temperature structural ceramics, etc. In addition, the researches on silicon and its relevant materials greatly promote the rapid development of modern optics and infor- mation technology. Therefore, more and more at- tention is focused on the structure of silicon, oxide of silicon and the interfaces between silicon and metal or nonmetal. As an ideal passive film on the Si surface, S…  相似文献   
9.
采用AMI方法研究了10种新型的磺酰脲类除草剂的电子结构,并以原子的Mulliken净电荷和除草剂在不同浓度(100,10mg/L)下对油菜、稗草两种作物的根、茎部位的抑制率为训练样本集。构造并训练得到具有活性预测能力的BP神经网络.结果表明,该BP网络不仅能对训练样本很好拟合。亦能对未知化合物的活性作出很好的预测.  相似文献   
10.
photoluminescence (PL) lrom one-dimensional photonic band structures is investigated. The doped photonic crystal with microcavitles are fabricated by using alternating hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H/a-SiNy:H) layers in a plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) chamber. It is observed that microcavities strongly modify the PL spectra from active hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H) thin film. By comparison, the wide emission band width 208nm is strongly narrowed to 11 nm, and the resonant enhancement of the peak PL intensity is about two orders of magnitude with respect to the emission of the λ/2-thick layer of a-SiNx:H. A linewidth of Δλ=11 nm and a quality factor of Q=69 are achieved in our one-dimensional a-SiNz photonic crystal microcavities. Measurements of transmittance spectra of the as-grown samples show that the transmittance resonant peak of a cavity mode at 710nm is introduced into the band gap of one-dimensional photonic crystal distributed Bragg reflector (DBR), which further verifies the microcavity effects.  相似文献   
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