首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   81182篇
  免费   13999篇
  国内免费   8960篇
化学   57594篇
晶体学   868篇
力学   5036篇
综合类   460篇
数学   9414篇
物理学   30769篇
  2024年   81篇
  2023年   1649篇
  2022年   1803篇
  2021年   2638篇
  2020年   3420篇
  2019年   3252篇
  2018年   2784篇
  2017年   2620篇
  2016年   3912篇
  2015年   3824篇
  2014年   4619篇
  2013年   5984篇
  2012年   7564篇
  2011年   7772篇
  2010年   5257篇
  2009年   5015篇
  2008年   5514篇
  2007年   4841篇
  2006年   4464篇
  2005年   3727篇
  2004年   2915篇
  2003年   2282篇
  2002年   2089篇
  2001年   1745篇
  2000年   1517篇
  1999年   1656篇
  1998年   1417篇
  1997年   1339篇
  1996年   1340篇
  1995年   1104篇
  1994年   973篇
  1993年   815篇
  1992年   713篇
  1991年   638篇
  1990年   528篇
  1989年   416篇
  1988年   346篇
  1987年   295篇
  1986年   265篇
  1985年   226篇
  1984年   154篇
  1983年   111篇
  1982年   84篇
  1981年   73篇
  1980年   70篇
  1979年   36篇
  1978年   35篇
  1977年   44篇
  1976年   35篇
  1973年   29篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
孔帅  吴敏  聂凡  曾冬梅 《人工晶体学报》2022,51(11):1878-1883
采用磁控溅射法在ITO玻璃上制备了CdZnTe薄膜,探究机械磨抛对CdZnTe薄膜阻变特性的影响。通过对XRD图谱、Raman光谱、AFM显微照片等实验结果分析阐明了机械磨抛影响CdZnTe薄膜阻变特性的物理机制。研究结果表明,磁控溅射制备的薄膜为闪锌矿结构,F43m空间群。机械磨抛提高了CdZnTe薄膜的结晶质量;CdZnTe薄膜粗糙度(Ra)由磨抛前的3.42 nm下降至磨抛后的1.73 nm;磨抛后CdZnTe薄膜透过率和162 cm-1处的类CdTe声子峰振动峰增强;CdZnTe薄膜的阻变开关比由磨抛前的1.2增加到磨抛后的4.9。机械磨抛提高CdZnTe薄膜质量及阻变特性的原因可能是CdZnTe薄膜在磨抛过程中发生了再结晶。  相似文献   
2.
二维材料MXene纳米片由于具有较大的比表面积和较高的电子迁移率而受到广泛的关注。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对单层MXene纳米片Ti2N电磁特性的过渡金属(Sc、V、Zr)掺杂效应进行了系统研究。结果表明,所有过渡金属掺杂体系结合能均为负值,结构均稳定;其中Ti2N-Sc体系的形成能为-2.242 eV,结构更易形成,且保持稳定;掺杂后Ti2N-Sc、Ti2N-Zr体系磁矩增大;此外,Ti2N-Sc体系中保留了较高的自旋极化率,达到84.9%,可预测该体系在自旋电子学中具有潜在的应用价值。  相似文献   
3.
Liu  Shao-Hua  Tian  Bo 《Nonlinear dynamics》2022,108(3):2471-2482
Nonlinear Dynamics - In this paper, a (2+1)-dimensional Caudrey–Dodd–Gibbon–Kotera–Sawada system is investigated in fluid mechanics via the symbolic computation. With the...  相似文献   
4.
通过改装多旋翼无人机(UAV)和搭载各类载荷以及联合地基观测设备对大柴旦地区大气、环境以及气溶胶参数进行测量。利用获得的数据资料,对该地区近地层气溶胶粒子数浓度(即单位体积空气中气溶胶粒子的数目)、消光系数以及气象要素等特征进行了分析。结果表明,在大柴旦地区,近地层气溶胶粒子数浓度日变化显著,呈现双峰形态,气溶胶粒子数浓度的变化范围为75~220 cm-3,消光系数的变化范围为0.004~0.038 km-1;当风速小于6 m/s时,气溶胶粒子数浓度与风速呈负相关关系;当风速大于6 m/s时,二者呈正相关关系;相对湿度对气溶胶粒子的影响较小,这可能是由于该地区以沙尘型气溶胶为主,吸湿性较弱。本研究基于多旋翼无人机探测平台,可以有效地获得近地层精细化大气、环境结构,有助于研究人员了解该地区气溶胶的结构、变化特征以及建立气溶胶模式,同时也为气溶胶及大气环境参数探测方法提供了技术支撑及思路拓展。  相似文献   
5.
Journal of Optimization Theory and Applications - This paper considers an optimal control problem governed by nonlinear fractional-order systems with multiple time-varying delays and subject to...  相似文献   
6.
In this paper, the problem of the uniform stability for a class of fuzzy fractional-order genetic regulatory networks with random discrete delays, distributed delays, and parameter uncertainties is studied. Although there is a portion of literature on using fixed point theorems to study the stability of fractional neural networks, most of them required the fractional order to be in 1 2 , 1 . However, the case of the fractional-order belonging to ( 0 , 1 2 ) has not been discussed. To solve it, this work proposes a novel idea of using fixed point theory to study the stability of fuzzy (0,1) order neural networks, the problem of the uniqueness of the solution of the considered genetic regulatory networks is resolved, and a novel sufficient condition to guarantee the uniform stability of above genetic regulatory networks is also derived. Eventually, an example is given to demonstrate that the obtained result is effective.  相似文献   
7.
8.
以过渡金属为催化衬底的化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)已经可以制备与机械剥离样品相媲美的石墨烯,是实现石墨烯工业应用的关键技术之一。原子尺度理论研究能够帮助我们深刻理解石墨烯生长机理,为实验现象提供合理的解释,并有可能成为将来实验设计的理论指导。本文从理论计算的角度,总结了各种金属衬底在石墨烯CVD生长过程中的各种作用与相应的机理,包括在催化碳源裂解、降低石墨烯成核密度等,催化加快石墨烯快速生长,修复石墨烯生长过程中产生的缺陷,控制外延生长石墨烯的晶格取向,以及在降温过程中石墨烯褶皱与金属表面台阶束的形成过程等。在本文最后,我们对当前石墨烯生长领域中亟需解决的理论问题进行了深入探讨与展望。  相似文献   
9.
Liu  Xiao-hui  Wang  Yu  Fan  Ya-wen  Liu  Yu-zi 《应用数学学报(英文版)》2022,38(4):822-842
Acta Mathematicae Applicatae Sinica, English Series - In this paper, we consider the statistical inferences in a partially linear model when the model error follows an autoregressive process. A...  相似文献   
10.
铋基卤化物材料因其无毒和优良的光电性能而显示出巨大的应用潜力。BiI3作为一种层状重金属半导体,已被用于X射线检测、γ射线检测和压力传感器等领域,最近其作为一种薄膜太阳能电池吸收材料备受关注。本文采用简单的气相输运沉积(VTD)法,以BiI3晶体粉末作为蒸发源,在玻璃基底上得到高质量c轴择优取向的BiI3薄膜。并通过研究蒸发源温度和沉积距离对薄膜物相和形貌的影响,分析了BiI3薄膜择优生长的机理。结果表明VTD法制备的BiI3薄膜属于三斜晶系,其光学带隙为~1.8 eV。沉积温度对薄膜的择优取向有较大影响,在沉积温度低于270 ℃时,沉积的薄膜具有沿c轴择优取向生长的特点,超过此温度,c轴择优取向生长消失。在衬底温度为250 ℃、沉积距离为15 cm时制备的薄膜结晶性能最好,晶体形貌为片状八面体。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号