BaCl2微晶辐照损伤的电子自旋共振研究

用电子自旋共振(ESR)方法研究发光基质材料BaCl₂的X射线和γ射线辐照损伤及其恢复的情况,发现样品由X射线引起的辐照损伤,在日光下仅两分钟便能完全恢复;而γ射线引起的辐照损伤则很难完全恢复。 关键词：     

LaOBr:Ce,Tb中Ce3+对Tb3+发光的影响

近年来人们对LaOBr:Tb的合成及其发光特性的研究日益增多。LaOBr:Tb不仅是良好的X光增感屏材料,也是较好的阴极射线发光材料。为了进一步提高它的亮度,降低了b的含量(因Tb很贵),寻求LaOBr中Tb3+发光的敏化剂是很重要的。     

BaCl2:Eu和BaCl2·2H2O:Eu微晶的发光特性

本文研究了用还原气氛法在箱式炉内制得的BaCl2:Eu2+微晶及进一步处理后得到的BaCl2·2H2O:Eu2+微晶的发光特性,包括发射光谱、激发光谱、热释光、光激励发光(存贮效应)及其温度依赖,就这些特性对BaCl2:Eu与BaCl2·2H2O:Eu进行了比较.根据发光光谱与激发光谱分析了它们具有良好光致发光特性的原因,讨论了这两种材料在热释光性能及光激励发光(存贮效应)上的明显不同,并对BaCl2·2H2O:Eu2+中Eu2+发光的增强提出了可能的解释.     

BaCl_2微晶中色心的ESR谱分析

用电子自旋共振(ESR)方法研究γ(或X)射线辐照发光基质材料BaCl_2中的点缺陷发现,在室温下有三个ESR峰。根据ESR信号朗德因子g值,信号强度受热衰减和时间衰减特征分析,确认这三个峰分别为BaCl_2微晶中的三种色心:V_K心、H心和F心。     

ZnS:Cu电致发光粉的粒度分布和形貌

本文用透射电镜、扫描电镜、沉降法粒度仪和光学显微图象自动分析仪等不同方法测量并研究了ZnS:Cu电致发光粉粒度分布和原料ZnS粒度分布的关系,找出了粒度分布规律,并对比了这几种测量方法.本文还研究了该发光粉在880℃灼烧制备时,发光粉晶粒的初期生长形貌.发现晶粒生长有二个过程,首先在初始2-3分钟内迅速结成晶粒,然后以较慢速度长大.     

ZnS原料及(Zn,Cd)S:Cu ACEL粉的粒度与亮度关系的探讨

用沉降粒度仪测定,并用对数正态分布参数表示法计算了十几种不同ZnS原料及对应的(Zn,Cd)S:Cu ACEL粉的粒度分布,发现ZnS原料对数正态分布的分散程度lnσ及中心粒径d50对(Zn,Cd)S:Cu粉的粒径分布均有影响,其中前者的影响尤为明显.本文还研究了(Zn,Cd)S:Cu的粒度分布对亮度的影响,发现850℃左右在硫气氛中烧得的(Zn,Cd)S:Cu粉,其沉降平均粒径d为10-30μ时,粒径较大的,用交流电致发光盒测得的亮度大体上较高;沉降d为20-30μ(扫描电镜测d约3-6μ)时,其ACEL亮度性能较好.     

BaF2微晶的γ辐照缺陷

用电子自旋共振(ESR)方法研究BaF_2微晶和单晶研粉的γ射线辐照损伤及其恢复情况,发现V_k心点缺陷的ESR信号随升温变化不象H,F和M心那样是单调衰减的,γ射线辐照可能会激发F~-离子上的Frendkel激子,该激子受热湮没而产生新的V_k心,因而使V_k心的ESR信号随开温增强,V_t心的朗德因子g也随升温而变化.单晶研粉的辐照损伤在400℃完全恢复,微晶的在355℃完全恢复. 关键词：     

BaF_2微晶的γ辐照缺陷

用电子自旋共振(ESR)方法研究BaF_2微晶和单晶研粉的γ射线辐照损伤及其恢复情况,发现V_k心点缺陷的ESR信号随升温变化不象H,F和M心那样是单调衰减的,γ射线辐照可能会激发F~-离子上的Frendkel激子,该激子受热湮没而产生新的V_k心,因而使V_k心的ESR信号随开温增强,V_t心的朗德因子g也随升温而变化.单晶研粉的辐照损伤在400℃完全恢复,微晶的在355℃完全恢复.     

BaCl2中Eu2+的电子自旋共振研究

制备和用X射线分析BaCl₂:Eu微晶的结构,并测量它的电子自旋共振(ESR)谱,结构分析和ESR谱都表明,替代Ba²⁺的Eu²⁺离子是处在轴对称的正交晶场中;并用抽对称的自旋哈密顿量和晶场哈密顿量对ESR实验数据进行拟合,求得在正交对称的BaCl₂中的Eu²⁺的自旋哈密顿参数;还发现Eu替代Ba²⁺的掺杂浓度的饱和值为0.34mol％。 关键词：