激光驱动强流电子束产生和控制

在惯性约束聚变(ICF)电子束快点火物理方案中,需要超强拍瓦激光脉冲驱动MeV能量的强流电子束,并沉积数十kJ能量到压缩氘氚芯区。强流电子束的束流品质是影响点火成功的关键因素之一,为深入了解强流电子束产生物理过程,研制成了三维高性能、适应上万CPU核规模的并行粒子模拟程序,并开展了大规模数值模拟研究,探索了强流电子束的产生机制和输运规律。回顾了近几年来快点火研究团队围绕强流电子束产生和控制开展的研究,介绍了导致束流品质差的两大物理原因:预等离子体效应和束流不稳定性磁场的随机散射。针对这两个物理原因,提出了四种提高强流电子束品质的方法:(1)双层金锥靶减弱预等离子体的负面效应;(2)输运丝产生环向磁场准直强流电子束;(3)外加磁场导引强流电子束提高耦合效率;(4)抑制束流不稳定性以降低随机磁场对电子束流的散射。     

4, 5-二(2', 4'-二硝基苯硫基)-1, 3-二杂环戊烯-2-酮(BNPT-DTO), 4, 5-二(2', 4'-二硝基苯硫基)-1, 3-二杂环戊烯-2-硫酮(BNPT-DTT)分子及晶体激光倍频性质的理论研究

在ZINDO方法的基础上, 按完全态求和公式编制了计算分子的二阶非线性光学系数张量元βijk的程序, 并以此为基础计算了BNPT-DTO, BNPT-DTT分子二次谐波条件下的二阶非线性光学系数, 从分子水平研究了其分子的光学倍频性质及分子倍频与晶体宏观倍频的关系, 计算结果较好地说明了实验现象。     

N－乙基吩噻嗪及其自由基正离子的结构和电子光谱的理论研究

用ＩＮＤＯ系列方法对Ｎ－乙基吩噻嗪及其自由基正离子进行了几何构型优化，得到中性分子为蝶状折叠形，自由基正离子为平面构型。以优化构型为基础计算其电荷密度、自旋密度、键序和电子光谱。对光谱进行理论指认并讨论了从中性分子到离子谱带红移的原因。理论计算结果均与实验结果一致。     

4, 5-二(2', 4'-二硝基苯硫基)-1, 3-二杂环戊烯-2-酮(BNPT-DTO), 4, 5-二(2', 4'-二硝基苯硫基)-1, 3-二杂环戊烯-2-硫酮(BNPT-DTT)分子及晶体激光倍频性质的理论研究

在ZINDO方法的基础上, 按完全态求和公式编制了计算分子的二阶非线性光学系数张量元βijk的程序, 并以此为基础计算了BNPT-DTO, BNPT-DTT分子二次谐波条件下的二阶非线性光学系数, 从分子水平研究了其分子的光学倍频性质及分子倍频与晶体宏观倍频的关系, 计算结果较好地说明了实验现象。     

4,5-二(2′,4′-二硝基苯硫基)-1,3-二杂环戊烯-2-酮(BNPT-DTO),4,5-二(2′,4′-二硝基苯硫基)-1,3-二杂环戊烯-2-硫酮(BNPT-DTT)分子及晶体激光倍频性质的理论研究

在ZINDO方法的基础上,按完全态求和公式编制了计算分子的二阶非线性光学系数张量元β_(ijk)的程序,并以此为基础计算了BNPT-DTO,BNPT-DTT分子二次谐波条件下的二阶非线性光学系数,从分子水平研究了其分子的光学倍频性质及分子倍频与晶体宏观倍频的关系,计算结果较好地说明了实验现象.     

吩噻嗪、N-甲基吩噻嗪及其自由基正离子的结构和电子光谱的理论研究

用INDO系列方法对吩噻嗪、N-甲基吩噻嗪及其自由基正离子进行了几何构型优化,中性分子为蝶状折叠形,自由基正离子为平面构型.以优化构型为基础,计算了上述四种分子、离子的电荷密度、自旋密度、键序和电子光谱,对光谱进行理论指认的同时,讨论了从中性分子到离子谱带红移的原因.所有理论计算值均与实验值一致.     

吩噻嗪、N-甲基吩噻嗪及其自由基正离子的结构和电子光谱的理论研究

用INDO系列方法对吩噻嗪、N-甲基吩噻嗪及其自由基正离子进行了几何构型优化, 中性分子为蝶状折叠形, 自由基正离子为平面构型。以优化构型为基础,计算了上述四种分子、离子的电荷密度、自旋密度、键序和电子光谱, 对光谱进行理论指认的同时, 讨论了从中性分子到离子谱带红移的原因。所有理论计算值均与实验值一致。