4, 5-二(2', 4'-二硝基苯硫基)-1, 3-二杂环戊烯-2-酮(BNPT-DTO), 4, 5-二(2', 4'-二硝基苯硫基)-1, 3-二杂环戊烯-2-硫酮(BNPT-DTT)分子及晶体激光倍频性质的理论研究

在ZINDO方法的基础上, 按完全态求和公式编制了计算分子的二阶非线性光学系数张量元βijk的程序, 并以此为基础计算了BNPT-DTO, BNPT-DTT分子二次谐波条件下的二阶非线性光学系数, 从分子水平研究了其分子的光学倍频性质及分子倍频与晶体宏观倍频的关系, 计算结果较好地说明了实验现象。     

新型合偶氮功能团的双炔类衍生物非线性光学性质的理论研究

在SM1和ZINDO方法基础上，按完全态求和公式计算分子二阶非线性光学系数β(ijk)和三阶非线性光学系数γ(ijkl)，并对含偶氛功能团的双快类衍生物的二阶、三阶非线性光学性质进行了系统的理论研究．即在基础上，在分子左端引入推电子基N（CH3）2，右端分别引入推电子基CH2OH、2，5-二氮-4-硫甲苯基，研究取代基变化时β、γ变化的规律．对计算结果所反映的规律性在微观上给予了解释．     

取代硅烷系列分子二阶非线性光学性质的ZINDO-SOS研究

在ZINDO方法基础上, 按完全态求和(SOS)公式, 自编了计算分子二阶非线性光学系数βijk的程序, 考察了取代硅烷分子中与硅原子相连的苯环上取代基的变化及链长变化对分子二阶非线性光学的影响, 重点研究了(CH3)3Si基团的性质, 对计算结果所反映的规律性在微观上给予了解释。     

Si衬底上异质外延金刚石的初始阶段原子H的作用及其界面结构

用高分辨率电子能量损失谱方法研究了原子 Ｈ 与被 Ｃ２ Ｈ２ 吸附的 Ｓｉ（１００） 界面的相互作用．结果显示,在 Ｓｉ（１００） 界面上, Ｓｉ— Ｓｉ 二聚化键和 Ｃ２ Ｈ２ 中的 Ｃ— Ｃ 键被 Ｈ 原子打开,它们分别形成 Ｓｉ— Ｈ, Ｃ— Ｈ 键．用 Ａ Ｍ１ 量子化学方法,计算了 Ｃ２ Ｈ２ 和 Ｃ２ Ｈ４ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附结构,指出了 Ｃ２ Ｈ２ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附位置,进一步讨论了金刚石在 Ｓｉ 异质外延初始阶段的形核机制．计算结果显示：在原子 Ｈ 的作用下,可以显著地降低反应的活化能,有利于 Ｃ Ｈ３ 的产生和 Ｃ Ｈ３ 向 Ｓｉ 衬底的键连．计算结果与实验相符合．     

5,12-二硫杂-7,14-二氮杂-5,7,12,14-四氢并五苯及其相关化合物二阶非线性光学性质的理论研究

在ZINDO方法基础上，按完全态求和（SOS）公式编制了计算分子二阶非线性光学系数βijk、βu的程序．研究了不同取代基在5，12-二硫杂-7，14-二氮杂-5，7，12，14-四氢并五苯侧环取代衍生物及相关化合物的结构、光谱和二阶非线性光学性质。结果表明：侧环上取代推、拉电于基团对增大二阶光学非线性都有利；分子共平面，共轭作用强，对增大二阶光学非线性有利．     

4, 5-二(2', 4'-二硝基苯硫基)-1, 3-二杂环戊烯-2-酮(BNPT-DTO), 4, 5-二(2', 4'-二硝基苯硫基)-1, 3-二杂环戊烯-2-硫酮(BNPT-DTT)分子及晶体激光倍频性质的理论研究

在ZINDO方法的基础上, 按完全态求和公式编制了计算分子的二阶非线性光学系数张量元βijk的程序, 并以此为基础计算了BNPT-DTO, BNPT-DTT分子二次谐波条件下的二阶非线性光学系数, 从分子水平研究了其分子的光学倍频性质及分子倍频与晶体宏观倍频的关系, 计算结果较好地说明了实验现象。     

N-取代吩噻嗪衍生物分子的结构和二阶非线性光学性质的理论研究

在ZINDO方法基础上, 按完全态求和(SOS)公式, 编制了计算分子二阶非线性光学系数βijk的程序。研究了各种取代基在吩噻嗪的氮上取代后衍生物的结构和二阶非线性光学系数。结论是N上取代推电子基对增大二阶光学非线性有利, N上取代吸电子基对增大二阶光学非线性不利。扩大共轭范围对增大二阶光学非线性有利。对上述结果在微观上给予了解释。     

4,5-二(2′,4′-二硝基苯硫基)-1,3-二杂环戊烯-2-酮(BNPT-DTO),4,5-二(2′,4′-二硝基苯硫基)-1,3-二杂环戊烯-2-硫酮(BNPT-DTT)分子及晶体激光倍频性质的理论研究

在ZINDO方法的基础上,按完全态求和公式编制了计算分子的二阶非线性光学系数张量元β_(ijk)的程序,并以此为基础计算了BNPT-DTO,BNPT-DTT分子二次谐波条件下的二阶非线性光学系数,从分子水平研究了其分子的光学倍频性质及分子倍频与晶体宏观倍频的关系,计算结果较好地说明了实验现象.     

乙基橙全息存储双光子单光子过程及非线性光学性质的研究

在MNDO和ZINDO方法基础上,计算了乙基橙分子的几何构型和电子光谱,从理论上探讨了该分子双光子、单光子全息存储的机制。按完全态求和公式编制了计算分子二阶、三阶非线性光学系数β~i~j~k,γ~i~j~k~l的程序并给出了乙基橙分子的β,γ计算值。     

Si衬底上异质外延金刚石的初始阶段原子H的作用及其界面结构

用高分辨率电子能量损失谱方法研究了原子H与被C₂H₂吸附的Si(100)界面的相互作用.结果显示,在Si(100)界面上,Si—Si二聚化键和C₂H₂中的C—C键被H原子打开,它们分别形成Si—H,C—H键.用AM1量子化学方法,计算了C₂H₂和C₂H₄在Si(100)上的吸附结构,指出了C₂H_{2关键词：}