基于透明质酸构筑的药物递送载体及其应用

传统纳米药物控释载体主要通过细胞胞吞作用实现药物递送,其主要过程为被动靶向机制,因此会影响纳米载体在肿瘤组织的富集和治疗效果。近年来生物大分子透明质酸因其优异的水溶性、生物相容性、可降解性和肿瘤靶向性备受科研工作者青睐,已被广泛用于药物控释载体的构筑中,并成为靶向肿瘤治疗纳米载体领域的研究热点。本文根据透明质酸基纳米载体治疗机制的不同,从透明质酸基纳米载体在化疗、光热治疗、光动力治疗以及联合治疗的应用方面对其性能进行了总结和评述,并在此基础上展望了未来透明质酸基纳米治疗载体的研究方向和发展趋势。     

长链超支化聚合物的合成研究进展

长链超支化聚合物(HyperMacs)凭借其含有大量的功能端基和可调控的链结构等优点已经引起国内外科研人员越来越广泛的关注。HyperMcs除了拥有超支化聚合物固有的低粘度、溶解性好、含有大量的功能性端基的特点外,同时拥有高剪切敏感性、熔体弹性、冲击强度和零剪切粘度,因而在药物载体、能量存储及传递和纳米催化剂等方面可能拥有更为广泛的应用。本文根据HyperMacs合成方法的不同,分别从迭代法和ABx线型大分子单体法两个主要方面对其研究进展进行了总结和评述,并在此基础上展望了该类聚合物的研究方向和发展趋势。     

含环糊精链节的拓扑高分子

星形、超支化、树枝状、刷状等具有支化拓扑结构的高分子通常具有不同于直链结构高分子的优异性能。将有客体包合功能的环糊精与其结合构筑环糊精拓扑高分子体系,有望在分子识别、基因传输、药控释放等领域得到应用。本文根据高分子拓扑形态的不同,从星形、超支化、树枝状以及其他拓扑形态环糊精聚合物的合成及自组装构筑等方面进行了总结和评述,并在此基础上展望了基于环糊精的拓扑高分子的研究方向和发展趋势。     

激光诱导熔石英表面损伤修复中的气泡形成和控制研究

基于熔石英材料在CO_2激光作用下的温度分布和结构参数变化的计算结果,对熔石英损伤修复中的气泡形成和控制进行了研究.针对损伤尺寸介于150—250μm之间的损伤点,提出了一种能够有效控制气泡形成的长时间低温预热修复方法.基于低温下熔石英材料结构弛豫时间常数较长的特点,该方法在不引起熔石英材料结构发生显著变化的同时,能够解吸附表面和裂纹处所附着的气体和杂质,可有效降低裂纹闭合过程中气泡形成的概率.实验结果表明,长时间低温预热修复方法的成功修复概率可达到98%.     

H型聚合物的合成及性质

H型聚合物是一种具有轻度支化拓扑结构的高分子,通常具有不同于线型、星型和超支化聚合物的流变性能、本体和溶液组装性能。由于H型聚合物的合成较为复杂,一直以来,科研工作者的工作重点均集中于如何精确合成与构筑,性能研究较为有限。本文根据H型聚合物构筑段的不同从H型均聚物、二元共聚物、三元共聚物、五元共聚物以及其他H型聚合物的合成及性质方面进行了总结和评述,并在此基础上展望了H型聚合物的研究方向和发展趋势。     

基于柱芳烃主客体作用构筑的超分子纳米载体

近年来,基于主客体相互作用的超分子纳米载体因其独特的自组装特性在癌症治疗领域引起了广泛的关注。柱芳烃作为一种新型的大环分子,因其独特的化学结构和优越的主客体包合能力而成为近年来研究的热点。本文根据不同的治疗机制综述了柱状链纳米载体及其在化疗、光动力治疗、联合治疗等领域的应用。在此基础上,展望了柱芳烃基纳米载体的研究方向和发展趋势。     

熔石英损伤修复坑下游光场调制的数值模拟与实验研究

系统研究了熔石英激光损伤修复后的形貌特征,根据测量数据建立了典型的损伤修复坑三维模型,利用标量衍射理论并结合快速傅里叶变换算法研究了修复坑在351 nm激光辐照下游光场调制的分布规律.研究表明,修复坑引起的光场调制会使得下游不同距离位置处出现环形光场增强区和轴上位置光场增强点;环形光场增强区位置距离修复元件较近,其环形调制极大值主要受修复坑深度的影响,且随修复坑深度的增大而逐渐增加;轴上位置光场增强点位置距离修复元件较远,其轴上调制极大值主要受修复坑边缘凸起高度的影响,且随凸起高度的增大而快速增加;环形调制极大值或轴上调制极大值增大的同时,其分布位置与修复元件之间的距离均会逐渐减小.实验验证表明,利用三维修复坑模型得到的下游光场调制数值模拟结果与实验测量结果具有较好的一致性.本研究结果对控制熔石英元件损伤修复形貌特征以抑制调制增强效应给出了具体的控制方向,对修复工艺的改进与完善提供了非常有意义的参考.     

The design and manufacture of a notch structure for a planar InP Gunn diode

A planar InP-based Gunn diode with a notch doping structure is designed and fabricated for integration into millimeter-wave and terahertz integrated circuits.We design two kinds of InP-based Gunn diodes.One has a fixed diameter of cathode area,but has variable spacing between anode and cathode;the other has fixed spacing,but a varying diameter.The threshold voltage and saturated current exhibit their strong dependences on the spacing(10 μm-20 μm) and diameter(40 μm-60 μm) of the InP Gunn diode.The threshold voltage is approximately 4.5 V and the saturated current is in a range of 293 mA-397 mA.In this work,the diameter of the diode and the space between anode and cathode are optimized.The devices are fabricated using a wet etching technique and show excellent performances.The results strongly suggest that low-cost and reliable InP planar Gunn diodes can be used as single chip terahertz sources.     

熔石英表面杂质元素在酸蚀过程中的变化

为了探寻熔石英表面痕量杂质元素种类以及随HF酸蚀刻过程中的变化情况,用质量分数为1%HF酸溶液对熔石英进行长达24,48,72,96 h的静态蚀刻实验。结合飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）和X射线光电子能谱（XPS）测试分析结果发现,熔石英试片表面的痕量杂质元素主要含有B,F,K,Ca,Na,Al,Zn和Cr元素,其中绝大部分都存在于贝氏层中,在亚表面缺陷层检测到有K,Ca元素。所含有的K,Na杂质元素会与氟硅酸反应生成氟硅酸盐化合物。分析表明,在HF酸蚀刻的过程中一部分杂质元素将被消除,一部分杂质元素和生成氟硅酸盐化合物会随着蚀刻液逐渐从熔石英表面向表面纵深方向扩散并被试片吸附沉积,且随着深度的加深各元素的相对含量逐渐减少。     

基于星型杂臂环糊精聚合物的纳米胶束: 构筑及包合特性

通过胺化反应和原子转移自由基聚合(ATRP),合成了以β-环糊精为“核”,以1条聚乙二醇和2~4条聚N-异丙基丙烯酰胺为“臂”的双亲水性星型杂臂聚合物(MPEG-CD-PNIPAMx)。通过1H NMR,13C NMR和凝胶渗透色谱/多角度激光光散射联用(SEC/MALLS)对其结构进行了表征。对1H NMR峰面积积分计算得聚N-异丙基丙烯酰胺“臂”数为2~4。通过紫外-可见分光光度计测得该星型大分子的较低溶液临界温度(LCST)为37℃。MPEG-CD-PNIPAMx在其水溶液温度达到LCST以上时呈现两亲性,并通过疏水相互作用自组装成以聚N-异丙基丙烯酰胺为“核”,以β-环糊精及聚乙二醇为“壳”的纳米级胶束粒子。通过MPEG-CD-PNIPAMx及其胶束粒子在芘溶液中的荧光光谱,发现胶束粒子对疏水性客体小分子的包合可发生在处于壳层的β-环糊精的疏水性空腔和胶束粒子的疏水性内核。