曝光强度对卤化银微晶中载流子行为及其陷阱效应的影响

针对卤化银感光材料潜影形成过程中光作用动力学问题,分析了曝光强度对光生载流子行为和电子陷阱效应的影响,认为伴随着曝光强度的增加,影响光电子衰减的因素由电子陷阱起主要作用演化到电子陷阱和复合中心共同起作用进而演化到复合中心起主要作用.     

染料吸附对氯化银微晶表面结构的影响

利用微波吸收相敏检测技术测量了纯氯化银微晶的光电子衰减曲线,再结合光电子衰减动力学方程,确定了微晶表面和内部的电子陷阱参数,并以此为基础分析了染料的吸附对微晶表面结构的影响。发现吸附不仅会在微晶表面产生填隙银离子同时会对表面陷阱产生修饰作用,且随着染料吸附量的减少,产生银离子的作用退化并最终消失,而修饰作用凸现并逐渐增强,直至填隙银离子不再产生,修饰作用也达到了最大,随后修饰作用将随染料吸附量的继续减少而变弱。     

S+Au增感中心的电子陷阱效应对光电子行为的影响

利用微波吸收相敏检测技术，对AgBrI-T颗粒乳剂中自由光电子与浅束缚光电子时间行为进行了检测，结果表明在一级衰减曲线的不同区域中增感中心对光电子衰减的作用表现不同；S+Au增感中心的电子陷阱效应随浓度的增加发生了由浅电子陷阱到深电子陷阱的转变.根据增感浓度与光电子衰减时间的对应关系，获得了S+Au最佳增感浓度. 关键词： 微波相敏检测 光电子 增感 电子陷阱     

化学增感对光电子时间分辨谱的影响

利用微波吸收相敏检测技术,对AgBrI-T颗粒乳剂中光电子时间行为进行了检测,并获得了自由光电子与浅束缚光电子的时间分辨谱。实验结果表明,在加入Na₂S₂O₃相同的条件下S与S+Au增感中心所起的电子陷阱作用不同,S增感中心所起的作用为深电子陷阱,增感中心由于增加了对光电子的深束缚,从而造成自由光电子与浅束缚光电子的衰减加剧;S+Au增感中心所起的作用为浅电子陷阱,增感中心通过暂时束缚光电子有效降低了光电子与光空穴的复合,减缓了自由光电子与浅束缚光电子的衰减,可见加入KAuCl₄后形成的S+Au增感中心陷阱深度要比S增感中心的陷阱深度浅。从光电子时间分辨谱的变化可以看出S与S+Au增感中心在衰减曲线的不同时域中对光电子衰减的作用表现不同。     

利用皮秒激光激发技术研究纳米硫增感溴化银中光电子特性

纳米硫增感作为一种新型的增感手段,能很大程度上提高卤化银感光材料的性能.卤化银中光电子信号十分微弱,光电子寿命在纳秒量级,本文采用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,它能精确地测量载流子的时间特性,反映感光过程的细微变化.通过测量我们获得了不同纳米硫化物粒子增感的立方体溴化银乳剂中光电子的瞬态行为,分析了不同增感温度对增感的溴化银乳剂中光生电子随增感时间而衰减的影响.结果表明:当增感温度增加时,可以缩短乳剂达到最佳光电子利用率的增感时间.     

掺有K4Fe(CN)6/K3IrCl6/K4Ru(CN)6的AgClBr微晶的光电子时间分辨谱

微波吸收介电谱检测技术具有很高的时间分辨率 ,可用于固体中电子输运特性的无接触测量 ,是研究晶体中光生载流子寿命及其迁移行为的有效方法。本文利用高时间分辨的微波吸收薄膜介电谱检测装置 ,测量了掺杂K4Fe(CN) 6,K3 IrCl6和K4Ru(CN) 6的AgClBr晶体在 35ps超短脉冲激光曝光后的光电子衰减的时间分辨谱。得到了不同的掺杂剂对AgClBr乳剂的自由光电子和浅俘获光电子的时间特性的影响关系。试验结果表明 ,对于所用的 3种乳剂 ,在掺杂量为 1× 10 -6、掺杂位置为 30 %时 ,掺杂K4Fe(CN) 6的AgClBr乳剂的自由光电子衰减时间相对较短 ,感光度相对较高。利用此方法可进一步研究乳剂光电子时间特性与掺杂剂、颗粒形状、颗粒结构、光谱增感和化学增感剂等参数的依赖关系。     

BaClxBr2-x∶Eu2+材料光激励光谱及色心研究

采用高温固相法制备了BaClxBr2-x∶Eu2+光激励发光材料,利用XRD、激发、发射以及激励光谱研究了所制备材料的结构和光学性能。XRD图像表明所制备的材料为单一纯相,随X值增大,衍射角向大角度偏移。发射光谱中位于405nm的窄带谱峰,由Eu2+的4f65d→4f7能级跃迁所引起,监测405nm发射峰,所得激发光谱是位于250～380nm之间的宽带,谱峰位于303nm;光激励波段位于480～800nm,激励峰位于575nm。通过光谱曲线拟合,发现激励光谱由550,610和685nm左右的光谱叠加而成,分别对应F(Cl-),F(Cl-Br),F(Br-)色心,激励峰随Cl/Br比值增加而蓝移。     

掺杂的AgCl微晶在化学增感条件下的光电子衰减特性

利用微波吸收介电谱技术研究了K₄Fe(CN)₆浅电子陷阱掺杂剂和S+Au增感剂对立方体AgCl微晶光生电子衰减时间分辨特性的影响。结果表明,掺杂浓度为10-8～10-7 mol·mol-1Ag时,在增感之前,掺杂位置越接近表面时,光电子衰减过程会变慢,即衰减时间增加;S+Au增感后的掺杂乳剂中光电子衰减变快,说明了增感中心起深电子陷阱作用,当掺杂位置接近表面90%Ag时,光电子衰减时间突然减小,说明表面掺杂中心和增感中心可能发生了某些反应。     

不同增感对AgCl乳剂中光电子时间行为的影响

借助微波吸收介电谱检测技术,对AgCl立方体乳剂中光电子的时间行为进行了检测,同时获得了自由光电子与浅束缚光电子在不同增感条件下的时间分辨谱。实验结果表明：化学增感时由于硫加金增感中心的浅电子陷阱作用有效地抑制了空穴与光电子之间的复合,化学增感使得光电子的衰减相对未增感的减缓、衰减时间得到延长;光谱增感时由于染料J聚集体增加了卤化银晶体中添隙银离子的浓度、促进了光电子与添隙银离子之间的结合,光谱增感使得光电子的衰减相对未增感的加剧、衰减时间变短;化学与光谱共同增感使光电子的衰减时间在光谱增感的基础上得到了延长,且硫加金化学增感中心的浅电子陷阱效应在光谱增感的基础上更明显。     

硫增感AgBrCl立方体微晶中光电子衰减行为的研究

利用微波吸收相敏检测技术并结合短脉冲激光曝光,测量了硫增感条件下AgBrCl立方体微晶感光材料的光电子时间衰减谱.分析了光电子一级衰减区域与增感温度的关系,确定了硫增感的陷阱效应对光电子衰减时间和光电子不同一级衰减区域的影响,并获得了增感过程中生成浅电子陷阱效果的最佳增感条件.