| 曝光强度对卤化银微晶中载流子行为及其陷阱效应的影响 |
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| 引用本文： | 傅广生,刘荣鹃,杨少鹏,江晓利,代秀红,李晓苇.曝光强度对卤化银微晶中载流子行为及其陷阱效应的影响[J].影像科学与光化学,2005,23(1). |
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| 作者姓名： | 傅广生 刘荣鹃 杨少鹏 江晓利 代秀红 李晓苇 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，河北省自然科学基金，教育部科学技术研究项目 |
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| 摘 要： | 针对卤化银感光材料潜影形成过程中光作用动力学问题,分析了曝光强度对光生载流子行为和电子陷阱效应的影响,认为伴随着曝光强度的增加,影响光电子衰减的因素由电子陷阱起主要作用演化到电子陷阱和复合中心共同起作用进而演化到复合中心起主要作用.
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| 关 键 词： | 电子陷阱 复合中心 曝光强度 光电子 光空穴 卤化银 |
The Influence of Exposure Intensity on the Behavior of Carriers and the Trap Effect in Silver Halide Microcrystals |
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| Abstract: | For the question of the photo-action kinetics in the formation process of latent image in silver halide material, the influences of exposure intensity on the behavior of photo-generation carriers and electron trap effect are analyzed. It is obtained that the main factor influencing the decay of photoelectrons evolves from electron traps to the combination of electron traps and recombination centers, and then to recombination centers. |
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| Keywords: | electron trap recombination center exposure intensity photoelectron photohole silver halide Corresponding author: LIU Rong-juan |
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