算子代数上2-局部Lie三重导子的结构

设X是维数大于2的Banach空间,映射δ:B(X)→B(X)是2-局部Lie三重导子,则对所有A∈B(X)有δ(A)=[A,T]+φ(A),这里T∈B(X),φ是从B(X)到FI的齐次映射且满足对所有A,B∈B(X)有φ(A+B)=φ(A),其中B是交换子的和.     

钙钛矿光伏电池封装材料与工艺研究进展

钙钛矿太阳能电池作为第3代新概念太阳能电池,具有高光电转换效率、低成本和可柔性加工等优点,近年来发展迅速,其光电转换效率从一开始的3.8%增长到近期的25.5%,逐渐比肩硅电池,已接近商业化应用水平。目前,实现钙钛矿太阳能电池产业应用的关键环节在于电池封装,它不仅可以解决钙钛矿光伏器件稳定性问题,还可以实现电池安全、环保和延长使用寿命等要求。结合近十几年来钙钛矿光伏电池封装材料和封装工艺两方面的发展现状,文中介绍了钙钛矿电池封装领域取得的成果和存在的不足,讨论了目前现有封装技术的优缺点,以及它们适用的不同器件类型。着重在不同温度湿度条件下,比较了不同封装材料性能、封装工艺条件对钙钛矿电池效率及稳定性的影响,归纳出影响钙钛矿电池薄膜封装效果的3个关键因素： 聚合物的弹性模量、水蒸气透过率、加工温度。比较了不同聚合物薄膜封装材料适宜的加工温度、优缺点及加工成本。可以看出,随着钙钛矿光伏电池工业化需求的强烈增长和人们对其封装材料研究的不断深入,研究适合大面积生产和光伏建筑一体化的新型功能聚合物封装材料将是必然趋势。     

宽带高增益双层硅基MEMS微带天线阵列（英文）

针对传统微带天线带宽窄和增益低等问题,设计了一种易与射频(RF)前端集成的硅基微带天线。该天线设计结合MEMS工艺,将高阻硅和低阻硅通过键合工艺形成双层硅基底,来改善微带天线介质基板的等效介电常数,有效增大了天线的带宽。同时通过在地面引入缺陷地结构(DGS),有效的抑制谐波的产生。在此基础上设计了中心频率为10 Hz,2×2天线辐射阵列。仿真结果表明,天线相对阻抗带宽达到15.9%,增益超过10.9dB,比传统微带天线有明显提升,同时满足引信中天线抗干扰的要求。     

纳米银对铕配合物荧光性质的影响(英文)

研究了纳米银对稀土铕-吡啶-2,6-二羧酸配合物(Eu(Ⅲ)C7H5NO4,Eu(Ⅲ)DPA)的荧光性质的影响。随着纳米银浓度增加,荧光强度先增强而后逐渐下降。较大粒径的纳米银使Eu(Ⅲ)DPA荧光增强效率较大,且达到最大荧光增强效率所需的纳米银浓度较低。在高浓度Eu(Ⅲ)DPA溶液体系中,纳米银导致荧光猝灭。电偶极子跃迁发射荧光增强效率大于磁偶极子跃迁发射荧光增强效率。分析认为,纳米银对Eu(Ⅲ)DPA荧光性质的影响与表面等离子体共振与激发态荧光中心强烈耦合以及表面等离子体再吸收有关。同时,纳米银对铕配合物的不对称率有影响,其影响因素与局域电磁场增强,折射率以及配位场有关。     

非贵金属Co-N-C/MgO高效催化糠醛氧化酯化制糠酸甲酯

设计开发绿色、可持续的生物质资源高效转化制化学品催化过程具有重要的科学与应用研究价值.生物质基平台分子糠醛在分子氧存在下与甲醇发生氧化酯化,提供了一条糠酸甲酯的"非石油基"合成新路线.该反应采用贵金属/非贵金属催化体系,目前通常需要引入K2CO3或CH3ONa等碱性添加剂,以提高催化氧化酯化反应活性和选择性;但是存在活性组分流失、生成副产物及污染环境等问题,阻碍了其进一步应用.探索高性能非贵金属催化剂,实现无碱条件下糠醛高效氧化酯化,对于提高该生物质路线竞争力与推动工业化进程具有重要意义.     

纳米尺度MOSFET过剩噪声的定性分析

最近实验表明纳米尺度MOSFET中的过剩噪声主要为散粒噪声,而此前研究认为MOSFET中不存在散粒噪声,短沟道MOSFET中的过剩噪声为热噪声. 本文基于器件电流模型分析散粒噪声取代热噪声成为过剩噪声主要成分的转变条件,根据该条件对纳米尺度MOSFET噪声特性的预测与文献报道的实验现象、模拟结果以及介观散粒噪声相关结论相符合. 关键词： 散粒噪声 过剩噪声 纳米尺度MOSFET     

可持续供应链管理实践对企业绩效的影响:基于中国的实证研究

本文基于我国172家企业的问卷调查数据,运用结构方程模型,对企业可持续供应链管理实践及其对绩效的影响进行实证分析。结果表明,企业实现内部可持续管理能够对企业管理供应商的行为有着显著的影响;同时,企业管理供应商的行为作为企业外部管理实践对企业的绩效有着显著的正向影响;在企业绩效中,环境绩效和社会绩效对经济绩效有着显著的正向影响,企业的外部管理实践能够通过环境绩效和社会绩效的提高实现最终经济绩效的明显增加。     

红外CT模拟在混凝土板内部缺陷探测中的应用

红外成像技术采用非接触式检测方法,对结构内部缺陷进行实时、快速大面积扫描探测,作为无损检测领域一项新的技术在土木工程中得到越来越广泛的应用。但是,这种技术的主要缺点是只能通过成像技术显示缺陷表面状况,却无法获知缺陷深度和厚度。本文以一维有缺陷混凝土板为研究对象,采用有限差分法对混凝土板进行热传导数值模拟分析,获得每一点物体表面温度差与缺陷深度及其厚度的非线性对应关系。在此基础上,采用人工神经网络算法,实现对混凝土板内部缺陷的三维重构,即红外CT模拟。本文提出的方法可以同时获得缺陷深度和厚度,并适用于任意形状的缺陷。     

YPO4/Eu3+微米束的尿素辅助水热合成及其发光性能

以Y( NO3)3、Eu( NO3)3和(NH4)2HPO4为原料,尿素作辅助剂,采用水热法成功制备出束状YPO4/Eu3+荧光粉.利用X射线粉末衍射仪、透射电镜、荧光光谱仪等研究了产物的晶体结构、形貌及发光特性;基于透射电镜分析探讨了YPO4/Eu3+微米束结构的形成机理.结果表明:YPO4/Eu3+属于四方晶系,空...     

Integration of GaN thin films with silicon substrates by fusion bonding and laser lift-off

GaN thin films grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) are successfully bonded and transferred onto Si receptor substrates using fusion bonding and laser lift-off (LLO) technique. GaN/Al_2O_3 structures are joined to Si substrates by pressure bonding Ti/Au coated GaN surface onto Ti/Au coated Si receptor substrates at the temperature of 400℃. KrF excimer laser with 400-mJ/cm~2 energy density, 248-nm wavelength, and 30-ns pulse width is used to irradiate the wafer through the transparent sapphire substrates and separate GaN films from sapphire. Cross-section scanning electron microscopy (SEM) combined with energy dispersive X-ray spectrometer (EDS) measurements show that Au/Si solid solution is formed during bonding process. Atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) measurements show that the qualities of GaN films on Si substrates degrade little after substrates transfer.