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| 宽带高增益双层硅基MEMS微带天线阵列（英文） | |
| 引用本文： | 杨柳风,王婷.宽带高增益双层硅基MEMS微带天线阵列（英文）[J].强激光与粒子束,2015(2):155-159. |
| 作者姓名： | 杨柳风 王婷 |
| 作者单位： | 北京理工大学机电学院,机电工程与控制国家级重点实验室 |
| 基金项目： | supported by Beijing Higher Education Young Elite Teacher Project(YETP1203) |
| 摘 要： | 针对传统微带天线带宽窄和增益低等问题,设计了一种易与射频(RF)前端集成的硅基微带天线。该天线设计结合MEMS工艺,将高阻硅和低阻硅通过键合工艺形成双层硅基底,来改善微带天线介质基板的等效介电常数,有效增大了天线的带宽。同时通过在地面引入缺陷地结构(DGS),有效的抑制谐波的产生。在此基础上设计了中心频率为10 Hz,2×2天线辐射阵列。仿真结果表明,天线相对阻抗带宽达到15.9%,增益超过10.9dB,比传统微带天线有明显提升,同时满足引信中天线抗干扰的要求。 |
| 关 键 词： | 微带天线 MEMS 硅 缺陷地 抗干扰 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |