用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜

采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论. 关键词： 自缓释 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜 低温制备与退火     

用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜

采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论.     

化学源金属诱导多晶硅研究

以硝酸镍溶液为化学源，对于用不同方法沉积得到的非晶硅膜作晶化前驱物，都能予以不同程度的晶化.用VHF-PECVD方法获得的非晶硅膜作前驱物，易于去氢并更容易晶化.当化学源浓度不同时，晶化效果会存在一定差别，在一定的范围内，溶液浓度越高，晶化后形成的晶粒越大.退火气氛对晶化结果产生某些影响，可以发现，在N₂气氛下退火，比在大气下有更好的晶化效果.最后对物理源与化学源作诱导金属的晶化结果进行了比较，结果表明，对诱导金属源而言，化学源显示出更为有效的晶化趋势. 关键词： 金属诱导晶化 多晶硅薄膜 低温制备 退火处理     

微晶硅薄膜晶体管稳定性研究

对有源区处于结构过渡区的微晶硅底栅薄膜晶体管，测试其偏压衰退特性时，观察到一种“自恢复”的衰退现象.当栅和源漏同时施加10 V的偏压时，测试其源-漏电流随时间的变化，发现源-漏电流先衰减、而后又开始恢复上升的反常现象.而当采用栅压为10 V、源-漏之间施加零偏压的模式时，源-漏电流随时间呈先是几乎指数式下降、随之是衰退速度减缓的正常衰退趋势.就此现象进行了初步探讨. 关键词： 过渡区硅材料 微晶硅薄膜晶体管 稳定性 自恢复衰退     

Solution-based metal induced crystallization of a-Si

This paper investigates a simplified metal induced crystallization (MIC) of a-Si, named solution-based MIC (S-MIC). The nickel inducing source was formed on a-Si from salt solution dissolved in de-ionized water or ethanol. a-Si thin film was deposited with low pressure chemical vapour deposition or plasma enhanced chemical vapour deposition as precursor material for MIC. It finds that the content of nickel source formed on a-Si can be controlled by solution concentration and dipping time. The dependence of crystallization rate of a-Si on annealing time illustrated that the linear density of nickel source was another critical factor that affects the crystallization of a-Si, besides the diffusion of nickel disilicide. The highest electron Hall mobility of thus prepared S-MIC poly-Si is 45.6cm²/(V.s). By using this S-MIC poly-Si, thin film transistors and display scan drivers were made, and their characteristics are presented.     

大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究

用无电电镀的化学方法，在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源，在550℃下退火若干小时，可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、pH值和无电电镀的时间等参量.当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现象.用VHF-PECVD非晶硅薄膜作为晶化前驱物，晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到90μm.用此多晶硅试制的TFT，获得了良好的器件特性. 关键词： 金属诱导晶化 化学源 多晶硅 薄膜晶体管     

气相色谱法测定天然气的组成

天然气、原油伴生气的分析在石油勘探、开发、综合利用均十分重要。本文采用填充柱和毛细管柱色谱分离、TCD及FID双检测器检测,简易、快速、准确的测定天然气全组分。 1 仪器与色谱分离条件 SP-6000天然气分析仪;4270积分仪;填充柱两根。柱1:长2m,φ3mm×0.3mm的GDX-101不锈钢柱;柱2:长1m,中3mm×0.3mm的13x分子筛不锈钢柱;另有长50mφ0.32的SE-30弹性石英毛细管柱;进样温度: