钙钛矿锰氧化物La1－xTexMnO3(x=0.04, 0.1)的两类磁电阻现象

La1-xTexMnO3(x=004,01)是一种具有钙钛矿结构的电子掺杂型锰氧化物.实验结果表明：在这种锰氧化物中同时存在庞磁阻（CMR）效应和低场磁电阻（LFMR）效应.在整个实验温度范围（5—300K），LFMR随温度升高而发生了如下变化：出现—消失—出现，在LFMR消失的温区又恰好能观察到明显的CMR.对其原因给予了解释. 关键词： 庞磁电阻 低场磁电阻 La-Te-Mn-O     

Lal-xTexMnO3晶格结构的X射线粉末衍射分析

通过X射线粉末衍射数据,用Rietveld精修方法分析了Te部分替换LaMnO3中La后,其晶格参数及其结构对称性所发生的变化.结果表明:Te掺杂LaMnO3系列样品具有R(3)C的晶格结构对称性,其MnO6八面体晶格还产生了伸张畸变,畸变程度随Te掺杂量的增加而增大.此外根据Mn-O-Mn键角、eg电子能带的带宽、A位离子平均半径及A位离子尺寸失配度等的变化特点,推测Te掺杂LaMnO3样品除居里温度等相变物理量将随x增加而非线性变化外,还可能产生自旋玻璃态、相分离等宏观现象.     

钴掺杂铁基超导单晶的超导体积分数测量

采用自助熔剂法生长了cm量级的NaFe_(1-x)Co_xAs系列高质量单晶.M-H测量结果表明NaFe_(1-x)Co_xAs属于第二类超导体,存在超导混合区.根据超导体的Meissner效应,超导样品处于下临界场范围内时超导体积分数为100%的特点,计算出了系列掺杂样品的超导体积分数,并与NaFe_(1-x)Co_xAs的相图进行了对比研究,结果表明单晶样品超导体积分数越大,其超导转变温度越高,超导性能也越好.     

La1-xTexMnO3晶格结构的X射线粉末衍射分析

通过X射线粉末衍射数据，用Rietveld精修方法分析了Te部分替换LaMnO₃中La后，其晶格参数及其结构对称性所发生的变化.结果表明：Te掺杂LaMnO₃系列样品具有R3C的晶格结构对称性，其MnO₆八面体晶格还产生了伸张畸变，畸变程度随Te掺杂量的增加而增大.此外根据Mn—O—Mn键角、e_g电子能带的带宽、A位离子平均半径及A位离子尺寸失配度等的变化特点，推测Te掺杂LaMnO₃样品除居里温度等相变物理量将随x增加而非线性变化外，还可能产生自旋玻璃态、相分离等宏观现象. 关键词： 庞磁电阻效应 La-Te-Mn-O X射线衍射 Rietveld精修     

钙钛矿结构La0.9Sb0.1MnO3的庞磁电阻性质

一种新的钙钛矿结构的庞磁电阻氧化物La_0.9Sb_0.1MnO₃已用固态反应方法制 成，通过超导量子干涉器件(SQUID)装置测量研究了它的电输运性质和磁性质.x射线光电子 能谱分析证明，该氧化物中Sb的价态是+5价，因此该氧化物是一种新的电子掺杂型庞磁电阻 材料. 关键词： 钙钛矿结构 0.9Sb_0.1MnO₃')" href="#">La_0.9Sb_0.1MnO₃ 电子掺杂 庞磁电阻     

硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状

随着科学技术的进步和集成电路市场日益扩大的需求，硅基集成电路的集成度越来越高，而集成度的提高是以其核心器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸逐渐减小为基础的。当栅极Si02介电层的厚度减小到原子尺度大小时，由于量子效应的影响，Si02将失去介电特性，因此必须寻找一种新的高介电常数(high—K)的氧化物材料来代替它。如今世界上许多国家都开展了替代Si02的介电氧化物材料的研究工作。文章介绍了栅极介电层厚度减小带来的影响，栅极Si02介电层的高尺氧化物材料的要求和租选，并对近期高介电常数氧化物材料的研究状况作了简要的介绍和评述。     

关于间接测量量不确定度计算的教学尝试

不确定度是大学普通物理实验课中重要的新概念,入学不久的大学生因缺乏概率分布方面的必要基础知识,在最初接触不确定度概念及其相关公式时,普遍存在理解和运用的困惑.本文以计算间接测量量折射率的不确定度为例,尝试化解这一教学难题.     

铁基超导单晶NaFe1-xCoxAs的空气敏感性探究

NaFe1-xCoxAs单晶因含有碱金属Na元素,暴露在空气中时其表面会剧烈地产生气泡,这为该类单晶的生长和测量带来了难度.为此探究了无水乙醇对降低NaFe1-xCoxAs单晶空气敏感性的作用效果,因乙醇分子渗入单晶的Na+层,经无水乙醇浸泡的单晶样品,长时间(超30 d)暴露于空气中,其表面形貌及磁化率等物性几乎稳定...