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采用共沉淀方法,以碳酸氢铵(NthHC03)为沉淀剂制备得到Nd:YAG前驱物,将其在不同的温度下煅烧并采用红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、荧光光谱分析等技术对样品进行了表征。在900~1000℃下煅烧前驱物,出现YAP和YAM中间相并对共沉淀法中间相出现的原因进行了分析;获得纯YAG晶相的煅烧温度为1100℃,晶粒粒度分布约为40~80nm,具有良好的分散性。光谱研究表明Nd:YAG纳米粉体的发光性能良好,其红外光谱及荧光光谱与单晶无明显的差异。 相似文献
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环境中许多物理或化学因素可破坏头发角蛋白主要构成成分胱氨酸,使其结构中二硫键发生断裂转为带巯基的半胱氨酸,半胱氨酸的含量可作为头发受损程度的评价依据.本文采用可与半胱氨酸反应的荧光探针试剂7-氯-4-硝基苯-2-(噁)-1,3-二唑(NBD-Cl),与头发纤维表面半胱氨酸反应并进行荧光光谱分析,探讨了反应的影响因素.结果显示,NBD-Cl可与头发表面的半胱氡酸残基反应,反应产物具有荧光性.对实验条件进行了优化,发现pH4.5为较适宜的反应酸度,此时NBD-Cl与半胱氨酸的巯基和氡基均可反应,表现为头发表面荧光强度较高. 相似文献
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测量了YAG(Y3Al5O12)/Nd:YAG单晶、Nd:YAG前驱物及其在不同温度下煅烧获得粉体的拉曼光谱,对谱峰的振动模式进行了指认,对结果进行了分析.Nd:YAG前驱物在煅烧时,有一个由非晶态向晶态的转化过程;700℃下烧结前驱物获得非晶态产物的结构中含有AlO4四面体结构;随着煅烧温度的升高,拉曼光谱的变化主要表现在两个方面:一是谱峰半高宽(FWHM)减小,谱峰强度增大;二是一些拉曼光谱谱峰发生了频移,这是纳米多晶粉体的界面组元的有序度提高所致.另外,800℃下煅烧获得的Nd:YAG纳米粉体的品格振动模式与Nd:YAG晶体的晶格振动模式存在差异,这是纳米多晶粉体的界面组元的贡献所致. 相似文献
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对在c面蓝宝石上用氢化物气相外延法(HVPE)生长的六方相纤锌矿结构的GaN膜中的应力进行了分析。高分辨X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线扫描(半高宽数值分别为317和358角秒)表明生长的GaN膜具有较好的晶体质量。利用高分辨X射线衍射技术准确测量了制备的GaN膜的晶格常数,并计算得到GaN膜中面内双轴应变和面外双轴应变分别为3.37×10-4和-8.52×10-4,等静压应变为-7.61×10-5。拉曼光谱和激光光致发光谱测试表明HVPE-GaN外延膜具有较好的光学特性,利用拉曼光谱的E2模式特征峰和激光光致发光谱中近带边发射峰的频移定量计算了外延膜中的面内双轴压应力和等静压应力。两种方法得到的面内双轴压应力较为相符。 相似文献
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On the reverse leakage current of Schottky contacts on free-standing GaN at high reverse biases 下载免费PDF全文
In this work, a dislocation-related tunneling leakage current model is developed to explain the temperature-dependent reverse current–voltage(I–V –T) characteristics of a Schottky barrier diode fabricated on free-standing GaN substrate for reverse-bias voltages up to-150 V. The model suggests that the reverse leakage current is dominated by the direct tunneling of electrons from Schottky contact metal into a continuum of states associated with conductive dislocations in GaN epilayer.A reverse leakage current ideality factor, which originates from the scattering effect at metal/GaN interface, is introduced into the model. Good agreement between the experimental data and the simulated I–V curves is obtained. 相似文献