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1.
采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶LuVO4晶体,利用Cr4+∶YAG晶体作为可饱和吸收元件,实现了1.06 μm激光的被动调Q运转.在泵浦功率为19.1 W时,获得最高平均输出功率为4.58 W,脉冲宽度为84 ns,单脉冲能量为36.6 μJ以及峰值功率为436.2 W的激光脉冲.  相似文献   
2.
一、问题的提出武汉大学《电子线路实验》一书,是较早编出的一本正规教材,它被许多院校所采用,同时为各兄弟院校电子线路实验课走向正规化、系统化方面做出了很大贡献.通过这些年的实践和理论研究的不断深入,也逐步发现了其中存在的一些问题.个别问题,在其他一些院校所编教材中也有所忽视.因此,在充分肯定这一教材的同时指出其中的某些不足,从而提高实验技能与基础理论水平也是大家的共同愿望.本文拟从电子线路基本技术理论出发,  相似文献   
3.
用自由基溶液降合方法制备一系列苯乙烯-丙烯酸甲酯线型共聚物,用核磁共振测定了苯基在共聚物中的百分比,在该共聚物的四氢呋喃溶液中,用三氟乙酸汞在共聚物的苯环上进行亲电取代反应,得到可溶性汞化共聚物,由于这类泵化共的可溶于四氢呋喃,二氯甲烷等溶剂,用重沉淀法多次提纯,得到了纯度很高,溶解性较好的含重金属二价汞的共聚物,用红外光谱仪测定共聚物上的汞基团,用原子吸收定量测试共聚中的汞的百分聚代率,结果表明  相似文献   
4.
Two types of ligands-biphenyl and stilbene derivatives, whichcan be labeled with Tc-99m for the diagnosis of Alzheimer'sdisease (AD) have been synthesized successfully. The key stepsin these two syntheses involved Suzuki reaction and Wittig reac-tion respectively. The new discovered debromination reactionmay be expanded to the compounds with double or triple bondadjacent to the carbon atom bearing the bromine atoms. Thesetypes of syntheses provide a route to a series of biphenyl andstilbene derivatives that will benefit the search of new imagingagents for AD.  相似文献   
5.
NH_2基态和激发态的SAC-CI和量子拓扑方法研究郑世钧,蔡新华,宋天乐,孟令鹏,中迁博,波田雅彦(河北师范学院化学系,石家庄,050091)(京都大学工程学院京都,日本)关键词SAC-CI方法,激发态,电子密度,拓扑分析用量子拓扑学方法研究激发态...  相似文献   
6.
采用水热法合成了一种新的三维配位聚合物[Zn6(bta)4(2,2′-bipy)3](H3bta=1,3,5-苯三乙酸;2,2′-bipy=2,2′-二联吡啶),并通过X射线单晶结构分析、红外光谱、元素分析和热重分析对该配合物进行了表征.结构分析数据表明,该配合物属单斜晶系,Cc空间群,晶胞参数a=1·7714(4)nm,b=2·4391(5)nm,c=1·7120(3)nm,β=104·39(3)°,Z=4,V=7·165(2)nm3,Dc=1·722g/cm3,μ=2·065mm-1,F(000)=3768,R1=0·0645,wR2=0·1424.荧光光谱结果表明,配合物具有良好的荧光性质.  相似文献   
7.
Ta2O5/SiO2 dielectric mirrors deposited by ion beam sputtering (IBS) are studied. The multi-shot laserinduced damage threshold (LIDT) and its dependence on the number of shots are investigated, after which we find that the multi-shot LIDT is lower than that of single-shot. The accumulation effects of defects play an important role in the multi-shot laser damage. A simple model, which includes the conduction band electron production vsa multiphoton and impact ionizations, is presented to explain the experimental phenomena.  相似文献   
8.
纳米二氧化硅(SiO2)颗粒以其高硬度、高比表面积、高稳定、价格合理等优势被广泛应用于复合材料的制备中,获得的SiO2/聚合物复合材料通常具有优良的机械性能、很好的热稳定性以及增强的光学和电性能。近年来,随着聚合诱导自组装(PISA)的提出与发展,研究者们基于PISA发展了多种制备不同形貌聚合物纳米粒子的简便方法,为制备SiO2/聚合物复合材料提供了新的思路。作者调研了近十年来基于PISA制备SiO2/聚合物复合材料的相关研究,按照SiO2与聚合物的结合作用和复合机理的不同,创新性地将SiO2/聚合物复合材料的制备分为物理包封法、化学接枝法、超分子作用法和原位生长法。本综述重点论述复合材料的合成方法、主要性能及用途,同时分析各种复合方法的优缺点并对制备方法的未来发展做出展望,以期为相关领域科研工作者提供更清晰的脉络和更丰富的启示。  相似文献   
9.
以1,1,2,3-四氯丙烯(1)为原料,合成了多种具有工业价值的氟氯化合物。首先,以叔胺-2HF为氟化试剂,亲核取代1得到3-氟-1,1,2-三氯丙烯(2);随后在AlCl3催化下异构2得到3-氟-2,3,3-三氯丙烯(3),在FeCl3或KCl催化下异构3得到1-氟-1,2,3-三氯丙烯(4);最后在铬基氟化催化剂催化下,气相氟化2高转化地得到2-氯-3,3,3-三氟丙烯(5),在SbCl5催化下,液相氟化3一步得到2-氯-1,1,1,2-四氟丙烷(6)。本文所合成的化合物5和6均是合成新一代环保型制冷剂HFO-1234yf的重要中间体。  相似文献   
10.
针对电子器件的高效冷却问题,对自然循环回路系统内表面加工有方柱形微结构的硅片上FC-72的强化沸腾换热性能进行了实验研究.测试了两个芯片,其表面上的方柱形微结构的边长均为30μm,但高度分别为60 μm和200 μm.沸腾介质的过冷度设为10 K、25 K和35 K.随着壁面过热度的增加,微结构表面芯片上的热流密度急剧增加且临界热流密度时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的临界上限温度85℃,这与其在池沸腾换热中的特点一样.但临界热流密度值与池沸腾情况相比有所降低.  相似文献   
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