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1.
利用低温扫描电子显微镜(LTSEM),我们对高温超导 YBaCuO 外延膜的临界电流密度J_c 和临界温度 T_c 的分布进行了观察.低温扫描电镜是目前可以观察超导薄膜中 J_c、T_c 分布情况的仪器,本文详细说明了利用 LTSEM 来观察超导薄膜 J_c、T_c 分布情况的原理,以及如何将 SEM 改装为 LTSEM.实验结果表明 YBaCuO 外延膜表面临界电流密度 J_c 和临界温度 T_c 的分布是不均匀的,但其不均匀性比多晶膜小得多,而且其分布情况与膜的表面形貌有关.  相似文献   
2.
本文描述了一种单极子微带天线耦合的SIS结混频器。给出了确定单极子天线参数的实验方法,据此设计的混频器,在4.2K上用校正的单色信号源测得了其单边带变频效率为0.62。  相似文献   
3.
本文利用熔融法制备了BKBO超导体,X射线荧光分析表明,熔融过程中K,Bi有所丢失,通过在配料中增加K,Bi的含量,得到超导转变温度Tc~25K的超导体.X射线衍射(XRD)分析表明,我们制备的样品呈很好的立方晶格结构,晶格常数α=0.429nm.  相似文献   
4.
采用Nd0 .7Sr0 .3MnO3/SrTiO3/YBa2 Cu3O7-δ的异质结构 ,研究了自旋极化准粒子的注入效应 .在 5 6 μm宽的YBCO膜条上成功地制备了与超导膜条同样宽度但不同长度的六个注入结区 ,长度L分别为 80 μm ,4 0 μm ,2 0 μm ,10 μm ,5 μm和 2 μm .80nm厚的YBCO薄膜在 16K温度下Jc 为 2× 10 5A/cm2 .Iin=0 .5mA的自旋电流注入下 ,随L从 80 μm逐渐顺次减小时 ,注入效率 η =ΔJc/ΔJin逐渐增大 .而当L≤ 2 0 μm后 ,η不再增加 ,达到几乎相同的值 (~ 6 ) .初步分析认为这与自旋极化准粒子在超导膜内的有效自旋扩散长度有关 .异质结构中YBCO薄膜的超导电性以及注入窗口的尺寸对获得大的自旋注入效率十分重要 .  相似文献   
5.
本文报道了在射频磁控溅射装置上Nb/Al-AlOx/Nb隧道结的制备工艺和所获得的结果。对SIS三层结构形成时基片的温度、势垒,以及电极形成方法等问题进行了讨论。 关键词:  相似文献   
6.
我们采用了rf磁控反应溅射的方法,在单晶ZrO_2YSZ和多晶SrTiO_3等基片上成功地制备了Y-Ba-Cu-O超导薄膜。所获得的零电阻转变温度达81K。膜厚为1—2μm。 本文对膜的成分、基片、R-T曲线和热处理过程等作了叙述。  相似文献   
7.
本文报道了在射频磁控溅射装置上Nb/Al-AlO_x/Nb隧道结的制备工艺和所获得的结果。对SIS三层结构形成时基片的温度、势垒,以及电极形成方法等问题进行了讨论。  相似文献   
8.
第五届未来电子器件国际讨论会于1988年5月30日至6月4日在日本宫城藏王举行.三维集成电路和高Tc超导电子器件两个专题会议相继举行,总会议主席为东京大学田中昭二教授.高Tc超导电子器件分会议主席东京大学岗部洋一教授,邀请中国派代表出席会议并作邀请报告.北京大学崔广霁和南京大学杨森祖应邀出席会议,并分别作了题为《中国超导电子学的最新进展》和《高Tc超导体的高频应用》的邀请报告. 会议由隶属于日本通产省的未来电子器件研究与发展协会主办.该会目的在于加强对未来电子器件的研究,并转入实际应用.会议有正式代表160人,以日本的超导…  相似文献   
9.
高温超导薄膜的微波性能受制备工艺和衬底材料性能的影响,常常出现空间不均匀分布,因此,无损检测大面积超导薄膜及衬底材料的微波性能,研究影响局域微波性能的因素,是高温超导微波器件应用研究中的一个重要方面.我们设计和制造了一套同轴谐振腔型微波近场扫描显微镜,利用该显微镜研究了金属薄膜样品微波表面电阻和介质材料的介电常数的空间分布,给出了其空间分辨率并分析了影响空间分辨率的因素.利用这套微波近场扫描显微镜,对大面积LaAlO3单晶衬底材料介电常数的空间分布进行了测量,并分析了其测量精度.最后,利用这套微波近场扫描显微镜,研究了YBaCuO薄膜平面微波器件的微波表面电阻的分布情况,对影响其局域微波性能的因素做了初步分析  相似文献   
10.
Eu2CuO4缓冲层和YBCO超导薄膜的制备及研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文用脉冲激光淀积法在LaAlO3(100)基片上外延生长Eu2CuO4薄膜缓冲层和YBCO超导薄膜,用X射线衍射扫描分析表明ECO薄膜为c轴取向.  相似文献   
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