一类NLS-mKdV方程族的扩展可积系统

利用代数变换，构造了与文献［５］中的loop代数₂的子代数等价的loop代数1的一个子 代数₁.再将₁扩展为一个高维的loop代数.利用设计了一个等谱问题 ，结合子代数间的直 和运算和同构关系，得到了NLS_mKdV方程族的一类扩展可积系统.作为约化情形，求得了著 名的Schrdinger方程与mKdV方程的可积耦合系统. 关键词： loop代数 可积系统 等谱问题     

亲和超滤耦联液相色谱-质谱快速检测山楂叶中的α-淀粉酶抑制剂

建立了用于快速检测山楂叶中α-淀粉酶抑制剂的生物亲和超滤方法。考察了磷酸盐缓冲液的pH值、离子强度、孵育时间、孵育温度、α-淀粉酶浓度等影响亲和超滤的因素,最终选择了10 mmol/L磷酸盐缓冲液(pH 7.4)作为孵育溶液,在37℃孵育45 min,淀粉酶浓度为10 g/L。在优化条件下,将本法应用于山楂叶总黄酮的α-淀粉酶抑制剂的筛选,得到3个活性成分,分别鉴定为槲皮素-3-o-鼠李糖基-(1→4)-葡萄糖基-(1→4)-鼠李糖苷、牡荆素-2″-葡萄糖苷、牡荆素-2″-鼠李糖苷。这3个化合物的α-淀粉酶抑制活性为首次报道。     

中子辐照氢气氛生长硅的红外吸收

用傅里叶变换红外吸收光谱技术测量了中子辐照氢气氛生长区熔硅在1800—2300cm^-1和400—1200cm^-1频段的吸收光谱。给出了较强谱带的退火曲线。与质子注入硅的红外光谱及中子辐照氢气氛生长硅的深能级瞬态谱结果相比较,讨论了相应于一些谱带的硅氢中心的可能结构。 关键词：     

Discrete Integrable Couplings of the Volterra Lattice

A practicable way to construct discrete integrable couplings is proposed by making use of two types of semi-direct sum Lie algebras. As its application, two kinds of discrete integrable couplings of the Volterra lattice are worked out.     

复合结构可修复系统口香糖算子的性质

研究了有15个部件串并联工作的多状态口香糖生产可修复系统.运用C_0半群的理论,证明了系统算子是稠定的预解正算子,得出了系统算子的共轭算子及其定义域,并证明了系统算子的增长界为0.最后运用了预解正算子中共尾的概念及相关理论,证明了系统算子的谱上界也是0.     

γ射线辐照氢气氛生长硅产生的Si—H中心红外吸收带及其指认

用Fourier变换红外吸收光谱(FT-IR)和深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了γ射线辐照与中子辐照硅,发现γ射线辐照单晶硅中双空位的产生率很低,可以用它帮助鉴别辐照点缺陷。γ射线辐照氢气氛生长硅产生的Si—H中心伸缩振动吸收带数目较中子辐照的为少,只产生了1832,2054和1980cm^-1三条新的谱带。本文讨论了它们的模型并估算了它们的光吸收截面。     

结构参数对高温超导绕组线圈磁化损耗影响分析

为了研究高温超导电力设备的绕组密度对其磁化损耗的影响,优化绕组线圈结构,减小交流损耗。利用有限元仿真软件,建立了多匝双根单饼线圈绕组的二维轴对称模型。在外加交变磁场条件下,分别改变超导绕组线圈匝数、匝间间距,分析磁化损耗的变化规律。结果表明,线圈间存在屏蔽作用,在一定范围内,超导线圈匝数越多,磁化损耗越小,匝间间距与超导线圈的磁化损耗正相关。     

含同原因故障和一个冷储备部件的可修复系统主算子性质

研究了含同原因故障的由两个不同型的平行部件和一个冷储备部件所组成的系统.通过选取空间并定义算子,将系统模型转化成抽象Cauchy问题.运用C_0半群和预解正算子理论,验证了系统主算子A为稠定的预解正算子,计算出了A的谱界为一c,同时得出了算子A的共轭算子及其定义域,最终利用共尾理论证得算子A的谱界和增长界相等,即为-c.     

两个高维loop代数及应用

借助于循环数,构造了维数分别是5(s+1)和4(s+1)的两个高维loop代数．为了计算方便,本文只考虑s=1时的应用．利用第一个loop代数■_1~*得到了具有4-Hamilton结构的一个广义AKNS族,该方程族可约化为著名的AKNS族．利用第二个loop代数■_2~*,得到了具有4个分量位势函数的4-Hamilton结构方程族,该族可约化为一个非线性耦合Burgers方程和一个耦合的KdV方程．     

中子辐照含氢硅中的与氢有关的深能级缺陷

利用深能级瞬态谱(简称DLTS),恒温下瞬态电容技术及红外吸收光谱,研究了中子辐照氢气氛中生长的n型区熔硅。相应于间隙氢的红外吸收谱带中子辐照后强度减弱。首次观察到未经退火就出现了能级为E_c=0.20eV的一个新的缺陷——Z中心,由于该中心的能级很接近于A中心,而浓度又较A中心低得多,通过改变中子剂量使费密能级处于A中心以下几个kT处,才能精确地测定Z中心的DLTS峰所在的温度。根据实验判断Z中心很可能是氢与空位的复合物,讨论了它的可能电子结构。 关键词：