中子辐照氢气氛生长硅的红外吸收

用傅里叶变换红外吸收光谱技术测量了中子辐照氢气氛生长区熔硅在1800—2300cm^-1和400—1200cm^-1频段的吸收光谱。给出了较强谱带的退火曲线。与质子注入硅的红外光谱及中子辐照氢气氛生长硅的深能级瞬态谱结果相比较,讨论了相应于一些谱带的硅氢中心的可能结构。 关键词：     

国家科委派检查组检查国家分析测试中心

国家科委委派检查组于1988年5月11日至6月7日检查了中国广州分析测试中心、中国上海测试中心、国家地质实验测试中心、国家建筑材料测试中心、国家化学建材测试中心(建工部和材料部)、国家环境分析测试中心、中国大连色谱技术研究开发中心、国家有色金属及电子材料分析测试中心和国家钢铁材料分析测试中心等9个国家级的分析测试中心。