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采用回旋共振光谱方法,同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、 散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应,以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性.
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给出了经典极限下多能谷Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体在磁场下的红外介电函数的一般解析表达式,并通过与k·P模型的结合给出了红外介电函数的半经典处理途径。通过对典型Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料PbTe红外介电函数的计算,讨论了能带非抛物性和载流子浓度在多能谷体系中的分布效应对红外介电函数的影响。
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第五届全国分子束外延学术会议于1999年6月20日至25日在云南省昆明市举行.会议由中国电子学会电子材料学分会和有色金属学会半导体材料学术委员会主办,中国科学院红外物理国家重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所承办,昆明物理研究所协办.本届会议是我国分子束外延科学技术领域的第五次盛会.本届会议参加单位共40个,出席代表134人,收到论文108篇,是历届会议的新记录.我们高兴地看到,参加本届会议的有代表我国分子束外延主流和最高学术水平的骨干单位,也有加入分子束外延行列不久或即将加入这个行列的单位… 相似文献
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报道p-PbTe在深低温、强磁场下,不同远红外波长和晶体取向条件下的strip-line透射光谱。观察到一种新的对透射光谱的模式耦合影响。基于对这一复杂的模式耦合问题数学处理的解决,从实验光谱的拟合计算中得到p-PbTe的能带参量,进一步应用6能带的k·p模型解释了能带参量的光谱特性。
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本文报道了4.2~300K温度范围的富含Si的Si1-xGex合金的晶格振动红外透射光谱.实验首次观察到Ge杂质诱发的一个新的共振模吸收.结果还表明,直拉法生长的Si1-xGex合金存在严重的氧沾污,且氧的振动峰随温度的降低向高频方向移动. 相似文献
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We report the far-infrared photoconductivity spectroscopy (FIRPCS) of the high purity n-GaAs grown by molecular beam epitaxial (MBE) technique. The current-voltage (I-V) measurement and FIRPCS under different electric field strength have been performed on high purity n-GaAs at 4.2K. Except for photothermal ionization process, a new far-infrared photoconductivity (FIRPC) mechanism is observed. This photo ionization process is assisted by impact ionization and depends on external electric field. This new mechanism originates from photo-field ionization. 相似文献
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HgCdTe epilayers were grown by molecular beam epitaxy on GaAs(211)B substrates. Process of the HgCdTe epitaxial growth can be monitored by reflection high-energy electron diffraction. Results of the infrared transmission spectrum, Raman scattering spectrum and infrared photoluminescence spectrum in magnetic field have been studied. 相似文献