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晶体学
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2004年
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1
1.
用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计
总被引:1,自引:0,他引:1
蒲红斌
陈治明
李留臣
封先锋
张群社
沃立民
黄媛媛
《人工晶体学报》
2004,33(5):712-716
采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究.分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多感应生成焦耳热越大且越均匀的结论,得出了随石墨厚度的增加升温速率而增加,相反轴向温度均匀性而变差的设计准则.模拟结果表明选取16匝线圈和10mm左右的石墨壁厚为优化的设计参数.
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