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采用磁控溅射法在硅(111)衬底上制备了C轴高度取向的ZnO薄膜,并研究了退火温度和氧气气氛对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小和光致发光谱的影响.X射线衍射表明,所有薄膜均为高度C轴择优取向,当退火温度低于900℃时,随着退火温度的升高,薄膜的取向性和结晶度都明显提高.室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,退火后的样品均可观测到明显的紫光发射.在一定的退火温度范围内,还可以观测到明显的紫外双峰.空气中退火的样品,当退火温度达到或高于600℃还可观测到绿光发射.实验结果表明,发光峰强度随退火温度和氧气气氛不同而不同,通过改变退火时的温度和氧气气氛可以改变ZnO薄膜的微结构和发光性质. 相似文献
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采用电子束蒸发沉积成膜工艺在单晶Si(111)衬底上制备出Co,Cu共掺杂的Zn0.85-xCo0.15CuxO(x=0,0.04,0.06)多晶膜。采用X射线衍射(XRD)研究了Co、Cu掺杂对其微结构的影响;室温下测量了Zn0.85-xCo0.15CuxO薄膜的光致发光谱,发现随着Cu掺杂量的增加,样品发光增强,当Cu掺杂x=0.06时,Zn0.85-xCo0.15CuxO薄膜的PL谱中出现了较强的双峰蓝光发射;分析了掺杂含量对其发光性能的影响,并对样品的发光机制进行了探讨,并推断出蓝光峰来源于电子由导带底到锌空位(VZn)能级的跃迁及锌填隙(Zni)能级到价带顶的跃迁。 相似文献
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Al2O3衬底上生长ZnO薄膜的结构和光学特性 总被引:4,自引:2,他引:2
用脉冲激光沉积法在Al2O3(0001)衬底上沉积了ZnO薄膜.衬底温度分别为300℃、400℃、500℃、600℃和700℃.利用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对薄膜的结构和光学性能进行研究.X射线衍射的结果表明在不同温度下生长的ZnO薄膜均具有高度c轴择优取向,衬底温度400℃时,膜的应力较小质量较高.ZnO薄膜有很强的紫外发光峰,紫外发光峰的强度与衬底温度密切相关,并发现当衬底温度从300℃增到400℃时,紫外发射峰出现6nm的蓝移. 相似文献
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利用MEC和LSC耦合的程序研究了EAST天线不同的相位差 对功率谱的影响及对功率沉积位置和电流分布的影响。通过计算发现,随着 的增大,功率谱的结构发生了改变,当 >200°后功率沉积和电流密度分布由原先的向外层移动变为向内层移动; =200°时形成一个离轴最远的驱动电流, =120°、 =260°时分别得到电流强度最小和最大的驱动电流。因此可以通过选取合适的天线相位差 ,实现对低杂波功率沉积和驱动电流剖面的控制。 相似文献
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不同厚度溅射Ag膜的微结构及光学常数研究 总被引:14,自引:3,他引:11
用直流溅射法在室温Si基片上制备了4.9nm-189.0nm范围内不同厚度的Ag薄膜,并用X射线衍射及反射式椭偏光谱技术对薄膜的微结构和光学常数进行了测试分析。结构分析表明:制备的Ag膜均呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方;随膜厚增加薄膜的平均晶粒心潮6.3nm逐渐增大到14.5nm;薄膜晶格常数均比标准值(0.40862nm)稍小,随膜厚增加,薄膜晶格常数由0.40585nm增大到0.40779nm。250nm-830nm光频范围椭偏光谱测量结果表明:与Johnson的厚Ag膜数据相比,我们制备的Ag薄膜光学折射率n总体上均增大,消光系数k变化复杂;在厚度为4.9nm-83.7nm范围内,实验薄膜的光学常数与Johnson数据差别很大,厚度小于33.3nm的实验薄膜k谱线中出现吸收峰,峰位由460nm红移至690nm处,且其对应的峰宽逐渐宽化;当膜厚达到约189nm时,实验薄膜与Johnson光学常数数据已基本趋于一致。 相似文献
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