| 退火对Si(111)衬底上ZnO薄膜的结构和发光特性的影响 |
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| 引用本文： | 汪洪,苏凤莲,周圣明,宋学平,刘艳美,李爱侠,尹平,孙兆奇.退火对Si(111)衬底上ZnO薄膜的结构和发光特性的影响[J].人工晶体学报,2006,35(3):660-665. |
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| 作者姓名： | 汪洪 苏凤莲 周圣明 宋学平 刘艳美 李爱侠 尹平 孙兆奇 |
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| 作者单位： | 1. 安徽大学物理与材料科学学院安徽省信息材料与器件重点实验室,合肥,230039
2. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800 |
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| 基金项目： | 安徽省优秀青年科技基金(No.00047208)，安徽省高校学术技术带头人后备人选科研基金 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射法在硅(111)衬底上制备了C轴高度取向的ZnO薄膜,并研究了退火温度和氧气气氛对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小和光致发光谱的影响。X射线衍射表明,所有薄膜均为高度C轴择优取向,当退火温度低于900℃时,随着退火温度的升高,薄膜的取向性和结晶度都明显提高。室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,退火后的样品均可观测到明显的紫光发射。在一定的退火温度范围内,还可以观测到明显的紫外双峰。空气中退火的样品,当退火温度达到或高于600℃还可观测到绿光发射。实验结果表明,发光峰强度随退火温度和氧气气氛不同而不同,通过改变退火时的温度和氧气气氛可以改变ZnO薄膜的微结构和发光性质。
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 磁控溅射 X射线衍射 光致发光 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）03-0660-06 |
| 收稿时间： | 12 5 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-12-05 |
Effects of Annealing on the Structure and Photoluminescence of ZnO Thin Films Grown on Silicon Substrate |
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| WANG Hong,SU Feng-lian,ZHOU Sheng-ming,SONG Xue-ping,LIU Yan-mei,LI Ai-xia,YIN ping,SUN Zhao-qi.Effects of Annealing on the Structure and Photoluminescence of ZnO Thin Films Grown on Silicon Substrate[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(3):660-665. |
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| Authors: | WANG Hong SU Feng-lian ZHOU Sheng-ming SONG Xue-ping LIU Yan-mei LI Ai-xia YIN ping SUN Zhao-qi |
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| Institution: | 1. Anhui Key Laboratory of Information Materials and Devices, School of Physics and Material Science, Anhui University, Hefei 230039, China; 2. Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO films magnetron sputtering X-ray diffraction optical properties |
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