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1.
Transparent conducting ZnO:AI thin films with good adhesion and Iow resistivity have been prepared on organic substrates and Coming 7059 glass substrates by r.f. magnetron-sputtering technique at Iow substrate temperature (25-210℃). Structural and photoelectric properties of the deposited films are investigated. The deposited films are polycrystalline with hexagonal structure and a preferred orientation with the c-axis perpendicular to the substrate. Only the (002) peak is observed.High quality films with resistivity as Iow as 1.0 x 10- 3Ω@ cm and 8.4 x 10- 4Ω@ cm, the average transmittance over 74% and 85% in the wavelength range of the visible spectrum have been obtained on different substrates. 相似文献
2.
High-Average-Power Nanosecond Quasi-Phase-Matched Single-Pass Optical Parametric Generator in Periodically Poled Lithium Niobate 总被引:2,自引:0,他引:2 下载免费PDF全文
A pulsed nanosecond optical parametric generator (OPG) in periodically poled lithium niobate (PPLN) crysal is presented. The pump laser is an acousto-optically Q-switched Nd:YVO4 laser with the maximum average power of 6.58 W. When the repetition rate is 50kHz and the pulse width of the pump source is 80ns, the maximum average total output power of the single-pass PPLN OPG is about 1.9 W, which includes 1.322 W of 1.536μm signal radiation. The length of the PPLN crystal is only 38.7mm (at room temperature) with a grating period of 28.93μm (at room temperature). The 1.502-1.536μm signal radiation and 3.652-3.465μm idler radiation are obtained by adjusting the PPLN crystal temperature from 155℃ to 250℃. 相似文献
3.
报道Ar^q Ne(q=8,9,11,12)碰撞体系中多电子转移过程,得到了多组实验测量电荷交换截面数据,讨论入射离子电荷交换截面、反冲离子产生截面与入射离子电荷态、能量以及散射离子电荷态的关系,并且将实验结果与Ar^q Ar碰撞体系进行对比研究。在修正分子库仑过垒模型的基础上,对实验现象做了合理的解释。 相似文献
4.
采用位置灵敏探测和飞行时间技术测量了等电荷态离子C^q 、N^q 、O^q 、Ne^q (q=4,5,6,7)与He原子碰撞中,转移电离截面与单电子俘获截面的比值Ro研究了相同q入射的情况下,R与入射离子核电荷数Z的依赖关系。在统计蒸发模型的基础上对实验结果进行了解释。 相似文献
5.
用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0.16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(F
关键词:
xZn1-xO薄膜')" href="#">MgxZn1-xO薄膜
射频磁控溅射
退火 相似文献
6.
7.
8.
9.
Size-dependence of optical properties and energy relaxation in CdSe/ZnS quantum dots (QDs) were investigated by two-colour femtosecond (fs) pump-probe (400/800 nm) and picosecond time-resolved photoluminescence (ps TRPL) experiments. Pump-probe measurement results show that there are two components for the excited carriers relaxation, the fast one with a time constant of several ps arises from the Auger-type recombination, which shows almost particle sizeindependence. The slow relaxation component with a time constant of several decades of ns can be clearly determined with ps TRPL spectroscopy in which the slow relaxation process shows strong particle size-dependence. The decay time constants increase from 21 to 34 ns with the decrease of particle size from 3.2 to 2.1 nm. The room-temperature decay lifetime is due to the thermal mixing of bright and dark excitons, and the size-dependence of slow relaxation process can be explained very well in terms of simple three-level model. 相似文献
10.