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1.
通过对盐酸伊达比星脱羟基杂质A的合成研究,为盐酸伊达比星的质控标准提供参考。以盐酸伊达比星为起始原料,经过4步反应得到脱羟基杂质A。本文提供了盐酸伊达比星杂质A的制备方法以及高效液相色谱分析方法,为杂质含量控制提供了依据。该工艺可以稳定、快速制备高纯度脱羟基杂质A,制备总收率为57.20%,纯度为57.20%,其结构经1H NMR, 13C NMR和MS(ESI)表征。  相似文献   
2.
Terbium-doped Zn_2SiO_4 films were successfully prepared on Si wafers by a simple sol-gel dip-coating and solid-phase reaction method of ZnO and SiO_2. X-ray diffraction (XRD) and UV-Vis absorption results revealed that films processed below 850℃ were ZnO in wurzite structure, and films processed above 850℃ were Zn_2SiO_4 in wellimite structure. Photoluminescence measurements of the Tb-doped Zn_2SiO_4 films showed two strong emission bands at 490 and 545nm. The photoluminescence lifetime was 4.6ms.  相似文献   
3.
以一个水声被动测量系统的工程项目为平台,介绍与其配套的水下多路水声测量系统的构成、主要电路环节和工作原理。  相似文献   
4.
季振国  何振杰  宋永梁 《物理学报》2004,53(12):4330-4333
采用溶胶-凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2薄膜.x射线衍射测试结果表明,掺In的SnO2薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试结果表明,掺In的SnO2禁带宽度为3.8eV.霍尔测量结果表明,空穴浓度与热处理温度有很大的关系,525℃为最佳热处 理的温度.铟锡原子比在0.05—0.20范围内,空穴的浓度与In的含量有直接的关系,并随In含量的增加而增加. 关键词: SnO2 溶胶-凝胶法 p型导电  相似文献   
5.
采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加  相似文献   
6.
采用精确的结构因数实验数据和Behavi模型赝势,用Ziman理论计算了液态铅的电阻率.计算结果和实验数据符合很好.讨论了Ziman理论对液态铅的适用性以及适合于液态铅的赝势的特征.  相似文献   
7.
吕百达  季小铃 《光学学报》1991,11(6):36-544
本文在普遍情况下使用矩阵方法详细讨论了光学系统的等效变换,证明光线变换矩阵为的光学系统当C≠0时可等效为一个薄透镜,当C=0时等效为一个薄透镜组。文中所得结果能用于分析光线或光束通过复杂光学系统的变换和多元件光腔的问题。  相似文献   
8.
使用稀释定律的条件和范围季凤仙,李善评(山东工业大学数理系济南250014)弱电解质在不太稀的溶液中,电离度、浓度与其电离常数之间存在下述关系:当α很小时,上式可近似表示为:以上两式对应的电离度表达式分别是:其中,(2)式表示浓度越小,即溶液越稀,电...  相似文献   
9.
本文利用紫外光电子能谱和X射线衍射测量研究了非晶Nb100-xNix(x=65,59.8,56.4)合金晶化过程中价带谱的变化。对NbNi3价带谱中出现的双峰进行了讨论。 关键词:  相似文献   
10.
研究了采用低场脉冲核磁共振(NMR)测定二醋酸纤维素丝束油剂的新方法,给出NMR法测定二醋酸纤维素丝束油荆含量的标准曲线。同时对NMR法测量二醋酸纤维素丝束油荆不确定度进行了评估。结果表明,NMR法具有分析速度快、无污染、无损伤和准确度高的优点,适合于二醋酸纤维素丝束油荆的分析。  相似文献   
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