退火对TiO2薄膜形貌、结构及光学特性影响

利用射频磁控溅射技术在熔融石英基片上制备TiO<,2>薄膜,采用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱以及透过谱研究了退火温度和退火气氛对TiO<,2>薄膜的结构、形貌和光学特性的影响.实验结果表明:在大气环境下退火,退火温度越.高,薄膜晶化越好,晶粒明显长大,温度高于700℃退火的薄膜,金红石相已明显形成.实验还发现,退火气氛对金红石相的形成是非常重要的,拉曼光谱反应出Ar气氛退火,抑制了金红石晶相的发育,薄膜仍以锐钛矿相为主.Ar气氛退火的薄膜在可见光范围内的透过率比大气退火的要低,并且由透过率曲线推知:金红石的光学带隙约为2.8 eV,比锐钛矿的光学带隙小0.2 eV.     

采用PEABr添加剂获得高效且稳定的碳基CsPbBr3太阳能电池

全无机CsPbBr₃钙钛矿材料因其本征稳定性好、成本低廉从而在光伏领域展现出巨大的应用潜力,但目前CsPbBr₃太阳能电池的光电转换效率仍远低于其他体系的钙钛矿太阳能电池.本文以无空穴传输层结构的碳基CsPbBr₃全无机钙钛矿电池作为研究对象,以多步旋涂法为基础,通过在PbBr₂(DMF)溶液中添加2-苯乙胺溴盐(PEABr)来调控CsPbBr₃薄膜的结晶质量,降低薄膜缺陷态密度,钝化晶粒间界,并对其中的关键工艺参数包括CsBr的用量(旋涂次数)、旋涂PbBr₂薄膜时的衬底预热温度以及退火温度进行了优化.最终在大气环境下获得了兼具稳定和高效的无空穴传输层结构的碳基CsPbBr₃太阳能电池,器件的光电转换效率达到8.25%,并在无封装条件下保存1500 h仍可保持90%以上的效率,对于进一步拓展CsPbBr₃钙钛矿电池的优化设计思路具有重要意义.     

孪生子佯谬

本文从一个新的角度来阐释孪生子佯谬的症结所在，详细分析了由于双胞胎兄弟所在参考系的不对称性导致的荒谬结论，并在两个惯性系下分别做了计算，最后的结论是相同的，并不存在矛盾，同时印证了所有的惯性系是平权的这一大前提!     

金属诱导低温制备多晶硅薄膜工艺新进展

多晶硅薄膜由于兼具稳定性、高光敏性、便于大面积沉积等优势成为目前光伏领域的研究热点.本文综述了近几年金属诱导非晶硅薄膜晶化的新工艺,介绍了各种工艺条件对多晶硅薄膜材料的结构、金属含量的调控规律.最后展望了未来的发展趋势.     

用于太阳电池的表面等离激元陷光技术的研究进展

表面等离激元(SPPs)作为一种新颖的陷光技术成为目前光伏领域的研究热点.本文介绍了近几年国内外SPPs陷光技术的研究进展,并分析了存在的问题.     

一维Ga2O3纳米材料及其光电导性能研究进展

一维纳米材料以其特殊的物理和化学性质成为了现在纳米材料研究的热点.目前国内对一维纳米材料研究主要体现在两方面：一是一维纳米材料的制备;二是纳米材料的功能器件研究,如光电探测器、气敏探测器等.本文综述了一维Ga2O3纳米材料的几种常用的制备方法,包括工艺参数及生长机理,并简单介绍了Ga2O3光电导探测器的工作原理及最近的研究成果.     

利用磁控溅射技术在熔融石英衬底上生长铟锡氧薄膜的结构和形貌特性研究

利用磁控溅射技术在熔融石英衬底上沉积铟锡氧薄膜(ITO),讨论了生长温度、沉积时间、激光辐照和退火对ITO薄膜结构及形貌的影响.随着沉积温度的升高和沉积时间的延长,薄膜的晶化程度得到明显的改善,方块电阻降低,并且薄膜的形貌从光滑表面的圆形多晶颗粒演变到枝杈形貌.短时间的脉冲激光辐照使得枝杈的尖状晶粒变得圆滑,导电性略有改善.ITO薄膜在可见光区的透过率在经过空气中退火处理后明显得以改善,平均透过率可以达到80%.     

磁控溅射技术制备TiO2薄膜的研究进展

介绍了磁控溅射法镀膜的基本原理,综述了近年来关于溅射功率、工作压强、氩氧比例、沉积温度和退火等工艺参数以及掺杂对T iO2薄膜结构、形貌和光学性质影响的研究进展,并对磁控溅射技术制备T iO2薄膜的发展方向进行了展望。     

丰富大学物理课堂内容,提高教学效果

大学物理是自然科学和现代工程技术的基础,对于培养大学生的学习能力和思维能力起着不可替代的作用,所以几乎所有理工科院校都把大学物理课作为必修公共基础课,甚至一些大学给文科学生也增设了一部分学时的普物课.     

用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

采用激光分子束外延技术，利用两步法，在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示， TiN薄膜材料表面光滑，在10 μm×10 μm范围内，均方根粗糙度为0842nm.霍耳效应测量结果显示，TiN薄膜在室温条件下的电阻率为36×10^-5Ω·cm，迁移率达到5830 cm²/V·S，表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ—2θ扫描结果和很高的迁移率均表明，高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底