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全无机CsPbBr3钙钛矿材料因其本征稳定性好、成本低廉从而在光伏领域展现出巨大的应用潜力,但目前CsPbBr3太阳能电池的光电转换效率仍远低于其他体系的钙钛矿太阳能电池.本文以无空穴传输层结构的碳基CsPbBr3全无机钙钛矿电池作为研究对象,以多步旋涂法为基础,通过在PbBr2(DMF)溶液中添加2-苯乙胺溴盐(PEABr)来调控CsPbBr3薄膜的结晶质量,降低薄膜缺陷态密度,钝化晶粒间界,并对其中的关键工艺参数包括CsBr的用量(旋涂次数)、旋涂PbBr2薄膜时的衬底预热温度以及退火温度进行了优化.最终在大气环境下获得了兼具稳定和高效的无空穴传输层结构的碳基CsPbBr3太阳能电池,器件的光电转换效率达到8.25%,并在无封装条件下保存1500 h仍可保持90%以上的效率,对于进一步拓展CsPbBr3钙钛矿电池的优化设计思路具有重要意义. 相似文献
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在对不同晶相比硅薄膜的实验研究的基础上,利用有效介质理论估算了这种两相材料的光吸 收系数、迁移率寿命乘积及带隙宽度等参量,计算机模拟了不同结晶比硅薄膜电池的伏安特 性及光谱响应;结果为随着本征层微晶成分的增多,电池的开路电压逐渐减小,短路电流逐 渐增大,本征层的最佳厚度逐渐增大,填充因子有降低的趋势,电池的效率随晶相比的增大 而减小. 电池的光谱响应曲线表明,随晶相比的增大电池的长波响应明显提高. 根据这些模 拟结果,分析讨论了在考虑Lambertian背反射的情况下,非晶/微晶叠层电池的底电池采用 晶相比为40%—50%的两相硅薄膜材料做本征层是最佳选择.
关键词:
两相硅薄膜
太阳能电池
计算机模拟 相似文献
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采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)法,成功制备出从非晶到微晶过渡区 域的硅薄膜. 样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜 兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性. 用这种两相结构的材料作为本征层制备了p- i-n太阳能电池,并测量了其稳定性. 结果在AM15(100mW/cm2) 的光强下曝光 800—5000min后,开路电压略有升高,转换效率仅衰退了29%.
关键词:
相变域硅薄膜
光电特性
太阳能电池 相似文献
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利用甚高频等离子体增强化学气相沉积法(VHF-PECVD),通过改变氢稀释比制备出一系列硅薄膜样品。由弱光条件下光电导谱分析了材料的吸收系数及缺陷态密度,结果表明随着氢稀释比的增加,材料的长波响应增大,缺陷态密度(NS)逐渐减小,当大于16.7时,NS开始增加,这是杂质与晶粒间界相互作用的结果。 相似文献
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