首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   11637篇
  免费   1460篇
  国内免费   914篇
化学   649篇
晶体学   21篇
力学   1637篇
综合类   237篇
数学   8739篇
物理学   2728篇
  2024年   26篇
  2023年   116篇
  2022年   140篇
  2021年   216篇
  2020年   305篇
  2019年   287篇
  2018年   363篇
  2017年   367篇
  2016年   443篇
  2015年   298篇
  2014年   512篇
  2013年   930篇
  2012年   551篇
  2011年   636篇
  2010年   597篇
  2009年   683篇
  2008年   728篇
  2007年   718篇
  2006年   708篇
  2005年   634篇
  2004年   555篇
  2003年   513篇
  2002年   484篇
  2001年   364篇
  2000年   379篇
  1999年   332篇
  1998年   254篇
  1997年   269篇
  1996年   194篇
  1995年   217篇
  1994年   147篇
  1993年   151篇
  1992年   136篇
  1991年   104篇
  1990年   96篇
  1989年   54篇
  1988年   50篇
  1987年   40篇
  1986年   43篇
  1985年   46篇
  1984年   50篇
  1983年   23篇
  1982年   49篇
  1981年   27篇
  1980年   32篇
  1979年   28篇
  1978年   22篇
  1977年   25篇
  1976年   20篇
  1974年   13篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
从头发的结构和组成出发分析头发形状和颜色改变的可能性,剖析烫发、染发的化学原理,阐释先烫发后染发的本质原因,从化学视角辨证地看待烫发、染发的利弊。  相似文献   
3.
4.
晶体硅表面钝化是高效率晶体硅太阳能电池的核心技术,直接影响晶体硅器件的性能。本文采用第一性原理方法研究了一种超强酸-双三氟甲基磺酰亚胺(TFSI)钝化晶体硅(001)表面。研究发现,TFSI的四氧原子结构能够与Si(001)表面Si原子有效成键,吸附能达到-5.124 eV。电子局域函数研究表明,TFSI的O原子与晶体硅表面的Si的成键类型为金属键。由态密度和电荷差分密度分析可知,Si表面原子的电子向TFSI转移,从而有效降低了Si表面的电子复合中心,有利于提高晶体硅的少子寿命。Bader电荷显示,伴随着TFSI钝化晶体硅表面的Si原子,表面Si原子电荷电量减少,而TFSI中的O原子和S原子电荷电量相应增加,进一步证明了TFSI钝化Si表面后的电子转移。该工作为第一性原理方法预测有机强酸钝化晶体硅表面的钝化效果提供了数据支撑。  相似文献   
5.
In this paper, we define interval‐valued left‐sided and right‐sided generalized fractional double integrals. We establish inequalities of Hermite‐Hadamard like for coordinated interval‐valued convex functions by applying our newly defined integrals.  相似文献   
6.
利用标量化方法建立对称向量拟均衡问题有效解的存在性定理。作为标量化方法的应用,利用这一方法得到向量变分不等式和拟向量变分不等式有效解的存在性定理。  相似文献   
7.
大尺寸低缺陷碳化硅(SiC)单晶体是功率器件和射频(RF)器件的重要基础材料,物理气相传输(physical vapor transport, PVT)法是目前生长大尺寸SiC单晶体的主要方法。获得大尺寸高品质晶体的核心是通过调节组分、温度、压力实现气相组分在晶体生长界面均匀定向结晶,同时尽可能减小晶体的热应力。本文对电阻加热式8英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅大尺寸晶体生长系统展开热场设计研究。首先建立描述碳化硅原料受热分解热质输运及其多孔结构演变、系统热输运的物理和数学模型,进而使用数值模拟方法研究加热器位置、加热器功率和辐射孔径对温度分布的影响及其规律,并优化热场结构。数值模拟结果显示,通过优化散热孔形状、保温棉的结构等设计参数,电阻加热式大尺寸晶体生长系统在晶锭厚度变化、多孔介质原料消耗的情况下均能达到较低的晶体横向温度梯度和较高的纵向温度梯度。  相似文献   
8.
9.
This paper studies the asymptotic behavior of coexistence steady-states of the Shigesada-Kawasaki-Teramoto model as both cross-diffusion coefficients tend to infinity at the same rate. In the case when either one of two cross-diffusion coefficients tends to infinity, Lou and Ni [18] derived a couple of limiting systems, which characterize the asymptotic behavior of coexistence steady-states. Recently, a formal observation by Kan-on [10] implied the existence of a limiting system including the nonstationary problem as both cross-diffusion coefficients tend to infinity at the same rate. This paper gives a rigorous proof of his observation as far as the stationary problem. As a key ingredient of the proof, we establish a uniform L estimate for all steady-states. Thanks to this a priori estimate, we show that the asymptotic profile of coexistence steady-states can be characterized by a solution of the limiting system.  相似文献   
10.
This work is concerned with the extension of the Jacobi spectral Galerkin method to a class of nonlinear fractional pantograph differential equations. First, the fractional differential equation is converted to a nonlinear Volterra integral equation with weakly singular kernel. Second, we analyze the existence and uniqueness of solutions for the obtained integral equation. Then, the Galerkin method is used for solving the equivalent integral equation. The error estimates for the proposed method are also investigated. Finally, illustrative examples are presented to confirm our theoretical analysis.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号