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1.
从头发的结构和组成出发分析头发形状和颜色改变的可能性,剖析烫发、染发的化学原理,阐释先烫发后染发的本质原因,从化学视角辨证地看待烫发、染发的利弊。  相似文献   
2.
对美国高中《化学概念与应用》和我国高中课程标准人教版、鲁科版、苏教版共4种化学教材里生涯教育内容进行比较,从功能定位、目标定向、对象呈现3个维度对中美2国的价值取向进行了分析,为我国高中化学教科书中生涯教育栏目的设置提出建议.  相似文献   
3.
IntroductionWithcomplexityofthedynamicsofthehigher_dimensionaldissipativesystemsolitarywave ,thereismuchdifficultyinstudyingtheseproblems.Thepapers [1 ]~ [3]mentionedthetwo_dimensionalKdVequationsdrivenbyLaxand [3]obtainedtheexistenceofsolutiontotheequations…  相似文献   
4.
IntroductionInrecentyearsmuchprogresshasbeenmadeonthehigherandinfinitedimensionaldynamicalsystems (see ,e .g .[1 ]~ [1 0 ] ) ,andmainlybasedonreaction_diffusionequations,Kuramoto_SivashinskyequationsNavier_Stokesequations ,etc .Becauseofthefactthattheprincipaloper…  相似文献   
5.
刘玉荣  陈伟  廖荣 《物理学报》2010,59(11):8088-8092
以高掺杂Si单晶片作为衬底且充当栅电极,采用磁控溅射法在硅片上沉积HfTiO薄膜作为栅介质层,聚三己基噻吩(P3HT)薄膜作为半导体活性层,金属Au作为源、漏电极,并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质层表面修饰,在空气环境下成功地制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT).PTFT器件测试结果表明,该晶体管在低的驱动电压(<-1 V)下仍呈现出良好的饱和行为,其阈值电压和有效场效应迁移率分别为0.4 V和2.2×10-2 cm2/V ·s.通过对金属-聚合物-氧化物 关键词: 聚合物薄膜晶体管 聚三己基噻吩 场效应迁移率 k栅介质')" href="#">高k栅介质  相似文献   
6.
刘玉荣  王智欣  虞佳乐  徐海红 《物理学报》2009,58(12):8566-8570
以高掺杂Si单晶片作为栅电极, 热生长SiO2作为栅介质层, 聚三己基噻吩薄膜作为半导体活性层, Au作为源、漏电极, 并采用十八烷基三氯硅烷(OTS)对栅介质表面改性, 在空气环境下成功地制备出高性能聚合物薄膜晶体管. 结果表明, 通过采用OTS对栅介质层表面修饰大幅度地改善了聚合物薄膜晶体管的电性能, 器件的场效应迁移率高达0.02 cm2/(Vs), 开关电流比大于105. 关键词: 聚合物薄膜晶体管 聚三己基噻吩 场效应迁移率 表面修饰  相似文献   
7.
The long-time behaviour of a two-dimensional nonautonomous nonlinear SchrOdinger equation is considered. The existence of uniform attractor is proved and the up per bound of the uniform attractor' s Hausdorff dimension is given.  相似文献   
8.
竹黄多糖的化学研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
竹黄是高等真菌,腐生于箣竹上.子实体经分离后按常规发酵,再分离、纯化得到竹黄多糖SB1及SB2两个组分.物理化学性质测定证明分别为单一的均匀组分.经定性及定量气相层析分析表明SB1含D-葡萄糖、D-半乳糖和L-阿拉伯糖,摩尔比为0.37:1:0.07;SB2含D-葡萄糖、D-半乳糖、D-甘露糖和L-阿拉伯糖,摩尔比为0.25:1:0.47:0.12.经甲基化、过碘酸盐氧化、Smith降解和逐步水解等证明SB1的重复结构中含8种类型的单糖连接方式,非还原末端基团为葡萄糖、半乳糖和阿拉伯糖,主要键的连接方式为1,3-和1,3,6-葡萄糖及1,4-,1,6-和1,3,6-半乳糖.SB2的重复结构中含7种类型的单糖连接方式,非还原末端基团为葡萄糖和阿拉伯糖,主要单糖的连接方式为1,2-和1,3,6-甘露糖及1,4-,1,6-和1,3,6-半乳糖.上述多糖为一种新的杂多糖.  相似文献   
9.
窄域上2D弱阻尼KdV方程的blow-up的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
得到了2D的弱阻尼KdV方程在窄域上blow-up时间估计.  相似文献   
10.
本文考虑保持n-形式(面积、体积的高维推广概念)的n维向量场,应用Lie群方法对其约化问题进行了系统性研究,得到了下列结果,第一,如何保持n-gaaa的n维向量场具有一个单参数保持n-形式的空间对称群,则可具体地构造出一个与向量场无关变换,便得原向量场约化掉一维,并且该约化向量场保持相应的(n-1)形式,特别n=3时可直接得到「1」中的重要结果,第二,上述n维向量场如果具有一个r参数保持n-gaa  相似文献   
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