大尺寸电阻加热式碳化硅晶体生长热场设计与优化

大尺寸低缺陷碳化硅(SiC)单晶体是功率器件和射频(RF)器件的重要基础材料,物理气相传输(physical vapor transport, PVT)法是目前生长大尺寸SiC单晶体的主要方法。获得大尺寸高品质晶体的核心是通过调节组分、温度、压力实现气相组分在晶体生长界面均匀定向结晶,同时尽可能减小晶体的热应力。本文对电阻加热式8英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅大尺寸晶体生长系统展开热场设计研究。首先建立描述碳化硅原料受热分解热质输运及其多孔结构演变、系统热输运的物理和数学模型,进而使用数值模拟方法研究加热器位置、加热器功率和辐射孔径对温度分布的影响及其规律,并优化热场结构。数值模拟结果显示,通过优化散热孔形状、保温棉的结构等设计参数,电阻加热式大尺寸晶体生长系统在晶锭厚度变化、多孔介质原料消耗的情况下均能达到较低的晶体横向温度梯度和较高的纵向温度梯度。     

水平井蒸汽辅助重力驱油藏模拟方法

研究了油藏与水平井段耦合的蒸汽辅助重力驱整体模拟的数学模型及其求解方法.将研制的沿水平井井筒方向有质量、能量损失的一维多相管流模块与油藏模拟主体软件集成,能预测水平井蒸汽辅助重力驱蒸汽腔室的大小及形状的动态变化.通过模拟计算分析了毛管力、蒸汽干度、地层深度等对蒸汽腔室发育程度的影响,并取得了结果.     

平面跨音速叶栅的正、反混合问题

本文在文献[1],[2]的基础上提出了跨音速平面叶栅的一种正、反混合问题并给出了求解方法。根据本方法编制的计算机程序既能用来分析已有跨音速平面叶栅的绕流流场,又能设计兼顾气动,强度等方面要求的叶栅型线,还可以局部修改叶栅型线。应用时灵活方便。文中以Hobson冲击式涡轮叶栅作为例子,考核了此种正、反混合问题的提法和求解方法。结果是满意的。     

钼丝中含氧和氮所引起的内耗峰

一、引言 如所周知,钼中含有微量的杂质(氧、氮和碳)就会大大地降低它的韧性。Olds和Rengstorff曾经系统地研究了氧、氮和碳对铸钼的韧性的影响,结果指出:极少量的氧就会使铸钼变脆,例如1—2×10~(-6)的氧含量(重量比)对室温的韧性已有一定的影响,氮虽然并不象氧那样有害,但它比碳严重一些。关于微量杂质使钼变脆的原因虽然还未有确切的了解,但是一般认为:杂质的沉淀是使钼变脆的主导原因。杂质的沉淀又往往与热处理有密切的联系,因为热处理基本上就是一种控制原子扩散速率的过程。     

大尺寸碳化硅晶体生长热-质输运过程建模及数值仿真

碳化硅(SiC)电子器件的性能和成本受衬底质量影响，因此生长大直径高品质SiC单晶意义重大。物理气相传输(PVT)法是一种常用的生长方法，但其主要面临热场设计与气流控制问题。本工作对电阻加热PVT法生长150 mm SiC单晶完整过程开展数值仿真研究，建立描述SiC原料热解和再结晶及其多孔结构演变、热-质输运、晶体形貌变化的数理模型，用数值模拟手段研究晶体生长、原料演变与热场变化等过程间的耦合关系。结果显示：原料区侧面高温导致气流不均匀，晶面呈“W”形，原料区底部高温得到均匀气流和微凸晶面；长晶界面通过径向温度变化调节气相组分平衡压力，使晶面生长成等温线形状；晶体生长速率与原料温度、剩余原料量呈正相关。模拟结果与已报道实验结果吻合，对优化生长SiC单晶有指导意义。     

用化学发光法测量脂膜过氧化

血清或血浆,各类生物细胞和亚细胞器,普遍存在着自发的、低水平的化学发光现象,一般认为,这类发光是脂质过氧化所引起来的。为了搞清这种现象的本质,本试验选用了平面脂膜、人工囊泡沫—脂质体及生物膜—红细胞影泡为材料,使用了液体闪烁计数器测量脂质的氧化发光,从而以发光强度为准,判定脂膜过氧化的程度。     

高温气冷堆堆芯中子时空动力学模拟计算

研究开发三维圆柱几何堆芯多群中子时空动力学改进准静态方法模拟计算程序.对给定的模块式高温气冷堆模型进行模拟计算.初始状态下,计算结果与中子扩散程序CITATION吻合很好.动态情况下,模拟堆芯反应性、堆内各能群中子平均注量率和堆芯相对功率等物理量随时间变化,计算结果与理论分析一致.