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1.
We investigate the thermal stresses for GaAs layers grown on V-groove patterned Si substrates by the finite-element method. The results show that the thermal stress distribution near the interface in a patterned substrate is nonuniform,which is far different from that in a planar substrate. Comparing with the planar substrate, the thermal stress is significantly reduced for the Ga As layer on the patterned substrate. The effects of the width of the V-groove, the thickness, and the width of the SiO2 mask on the thermal stress are studied. It is found that the SiO2 mask and V-groove play a crucial role in the stress of the Ga As layer on Si substrate. The results indicate that when the width of V-groove is 50 nm, the width and the thickness of the SiO2 mask are both 100 nm, the Ga As layer is subjected to the minimum stress. Furthermore,Comparing with the planar substrate, the average stress of the Ga As epitaxial layer in the growth window region of the patterned substrate is reduced by 90%. These findings are useful in the optimal designing of growing high-quality Ga As films on patterned Si substrates. 相似文献
2.
以正十八胺为核的1.0代超支化大分子和β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酰氯为原料,通过酰胺化缩合反应,合成了一种具有长链烷基和2个受阻酚基团的新型超支化分子桥联受阻酚类抗氧化剂.通过正交实验确定了超支化分子桥联受阻酚类抗氧化剂的最佳合成体系为:3,5-丙酰氯为酰化剂、K_2CO_3为缚酸剂、苯和水为反应溶剂.通过条件优化实验确定了超支化分子桥联受阻酚类抗氧化剂的最佳合成条件为:3,5-丙酰氯与1.0代超支化大分子的物质的量比为6∶1、反应温度为25 ℃、反应时间为12 h、体系苯与水体积比为6∶1、3,5-丙酰氯与缚酸剂K_2CO_3的物质的量比为1∶1,在此条件下,超支化分子桥联受阻酚类抗氧化剂的收率高达75.5%.FT-IR和1H NMR证实了合成抗氧化剂的化学结构与其理论结构相符.超支化分子桥联受阻酚类抗氧化剂在聚乙烯树脂中的抗氧化性能优于抗氧化剂1076,且随着烷基链长度的增加,抗氧化性能增强. 相似文献
3.
一个学生听了高斯求1+2+3+…+100=5050的故事后,提出这样一个问题:1+1/2+1/3+…+1/n=?
这个看似简单的问题,竟让笔者一时难以回答,感到用中学数学知识很难求解,于是笔者尝试引导学生课内外结合展开进一步探究.
一、探究
1.查阅文献,发现结论
一个学生在360百科检索“1+1/2+1/3…+1/n”后发现:“调和级数”∑1/x是发散的,当n→+∞时,此式趋向于+∞. 相似文献
4.
<正>数学知识的学习离不开习题,甚至在很多学生的头脑里学习完数学最后只留下了习题的印象,虽然这是不好的现象,但也充分说明了习题的重要性,那么如何让习题的作用不仅仅只停留在帮助学生解题上呢?回到教育的目标,数学教学是为了让学生学会学习,掌握学习方法,理解数学思想,在习题讲解的过程中也要体现这样的目标追求. 相似文献
5.
利用筛选的B3PW91密度泛函方法在CC-PVQZ基组下优化出氨分子的基态稳定构型,并考察了不同外电场对NH3分子的特性及红外光谱(IR)的影响,在此基础上利用TD-DFT考察了不同外电场对NH3分子前9个激发态的影响.结果表明:电场由0 a.u.增加至0.04 a.u.时,NH3的构型参数与电场强度有明显的依赖关系;总能量(ET)呈下降的趋势;偶极矩(μ)呈增加的趋势;最高占据分子轨道(HOMO)的能级呈降低的趋势,最低空分子轨道(LUMO)的能级呈增加的趋势;能隙(EG)呈增加的趋势,即外电场会影响NH3参与化学反应的能力;IR在电场考察范围内的特征峰位置及强度均会受到电场的影响,即可利用电场对分子的IR进行调控,从而便于对相关谱图信息的捕捉;外电场对NH3分子的激发能及振子强度均有影响,因此,可以利用外电场来调控NH3的激发特性. 相似文献
6.
7.
8.
生物质焦油模拟物重整制取富氢气体实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以流化床作为反应器,进行生物质焦油模拟物(苯)催化重整制取富氢气体的实验研究,主要探究实验温度(780℃~900℃)、水蒸气/焦油模拟物质量比S/T (3.0~6.0)、床高(5.0cm~20.0cm)和床料(催化剂)对焦油模拟物重整制取富氢气体过程的影响。实验结果表明,焦油模拟物重整制取富氢气体的理想操作工况分别是温度为860℃~900℃,S/T 值为5.0,床层高度为15.0cm~20.0cm;通过比较,在上述理想操作条件下,合成的碱土金属催化剂(20CaAl)具有较好的催化活性,而其改性后的SCaFeNiAl催化剂具有更好的活性。在SCaFeNiAl作用下,焦油模拟物重整过程的活化能为58.87kJ/mol,指前因子为1.36×107h-1,且获得较好的实验效果,H2体积分数为67.28%,H2产率为303.50g/kg-tar,焦油模拟物转化率为95.93%,总气体产率为5.05m3/kg-tar。 相似文献
9.
10.
镍和铬是生物体必需的微量元素,但是大量地摄入它们会对人体产生许多不良的影响。如镍有致敏性、致癌性、生物毒性、胚胎毒性和免疫毒性等[1];铬摄入过多可发生肝、肺、肾功能障碍,还可引起上呼吸道炎症和黏膜溃疡、肝肾毒性、遗传毒性、生殖毒性及致癌性[2]等。镍铬烤瓷牙事件使镍和铬的毒 相似文献