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991.
992.
Introduction Ahomogeneous,isotropicplateoccupiestheregion Ω=(x1,x2,x3)|(x1,x2)∈D,|x3|≤h/2,(1) whereDisthecross_sectionoftheplatewhichhasthicknessh.Supposethattwofaces,x3= ±h/2,(x1,x2)∈Darefreeoftractions. Ifstressstateoftheplateisanti_symmetricalaboutmid_planex3=0,thisinducesσ11,σ22, σ33andσ12aretheoddfunctionsaboutx3,σ31andσ23aretheevenfunctionsaboutx3.Usually,theyarecalledtheplate“bending”. Manyauthorsgavevariousplatetheories.TheClassicplatetheoryandReissner’splate theory… 相似文献
993.
弹性板中精化理论与分解定理的等价性 总被引:4,自引:0,他引:4
将Cheng氏精化理论和Gregory分解定理联系起来,获得了两者的等价性(Cheng利用算子矩阵行列式求解多元偏微方程组的方法,得到了一个方程,他认为这个方程的解是3个微分方程的解的和,没有证明这种分解的合理性).从Papkovich-Neuber通解出发给出一个完整的精化理论的证明.首先将板内的位移利用中面上位移及其沿板厚方向的梯度表示出来,并获得板内应力张量.再利用附录中给出的定理,由边界条件和Lur'e算子方法获得精化理论.最后利用基本的数学工具分别证明了,Cheng氏精化理论中的3个方程分别与Gregory分解定理的三个应力状态的等价性.即:Cheng氏精化理论的双调和方程、剪切方程、超越方程与Gregory分解定理的内应力状态、剪切应力状态、Papkovich-Fadle应力状态一一等价. 相似文献
994.
寡肽类化合物一般具有较强的生物活性,多数可作为药物或药物前体,因此成为人们的研究热点之一.目前寡肽的合成方法主要有液相法、固相法及酶促合成法,这些合成方法往往需要对氨基酸的活性基团进行选择性保护,步骤繁琐.近期研究发现,在水-醇体系中α-氨基酸被磷酰化为N-磷酰-α-氨基酸后,可发生自组装聚合肽反应;在无水条件下,N,O-二(三甲基硅基)-α-氨基酸可与磷酰化试剂如O,O-亚苯基磷酰氯反应生成N-磷酰-α-氨基酸,后者也可通过自组装反应得到二~八肽,但这些N-磷酰-α-氨基酸的制备均需使用有机磷试剂.我们发现,在无机磷试剂如PCl5等辅助下,α-氨基酸同样可以发生自组装反应,得到一系列寡聚肽,这既可为寡聚肽的合成提供一种新的方法,同时,因无机磷试剂在原始地球条件下更可能存在,因而对于揭示多肽及蛋白质的起源具有重要意义.氨基酸的自组装反应具有链锁反应的特点,因此必须控制反应条件实现对反应的控制。 相似文献
995.
从问题的变分方程和协调方程出发,选取扁锥壳中心最大振幅为摄动参数,采用摄动变分法,对周边简支的扁薄锥壳在周边弯矩和横向载荷共同作用下的非线性振动问题进行了求解.一次近似得到了扁薄锥壳在静载荷作用下的线性固有频率,二次近似得到了扁薄锥壳在静载荷作用下的精确度较高的非线性固有频率.并给出了小变形时固有频率与周边弯矩、横向载荷、振幅以及锥底角之间非线性关系的三次近似解析表达式,数值结果的图形反映了在一定范围内固有频率和各参数之间非线性关系的复杂性和规律性. 相似文献
997.
998.
温度和电压对双层有机发光二极管复合效率的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了双层有机电致发光二极管ITO/PPV/PBD/Ca复合的理论模型。计算并讨论了温度和电压对其复合效率的影响:在电压为6~7.5 V时,复合效率随温度变化出现两个峰值,但随着电压升高,两峰值相互靠拢,当电压达到9 V时,峰值位置重叠,我们认为这一现象除了浅缺陷能级和深缺陷能级贡献的结果以外,还由于复合区域发生变化引起的。该模型较好地解释了有关实验现象。 相似文献
999.
The Si on SiC heterojunction is still poorly understood,
although it has a number of potential applications in electronic and
optoelectronic devices, for example, light-activated SiC power
switches where Si may play the role of an light absorbing layer. This
paper reports on Si films heteroepitaxially grown on the Si face of
(0001) n-type 6H-SiC substrates and the use of B2H_6 as a
dopant for p-Si grown at temperatures in a range of
700--950~\du. X-ray diffraction (XRD) analysis and transmission
electron microscopy (TEM) tests have demonstrated that the samples
prepared at the temperatures ranged from 850~℃ to 900~℃ are
characterized as monocrystalline silicon. The rocking XRD curves
show a well symmetry with FWHM of 0.4339° Omega. Twin
crystals and stacking faults observed in the epitaxial layers might
be responsible for widening of the rocking curves. Dependence of the
crystal structure and surface topography on growth temperature is
discussed based on the experimental results. The energy band structure
and rectifying characteristics of the Si/SiC heterojunctions are
also preliminarily tested. 相似文献
1000.
旋转火箭弹高速自旋的特点限制了传统惯性导航系统在旋转弹上的应用,针对此问题研究了一种具有横滚隔离功能的捷联惯性导航系统.通过引入一个与自旋轴平行的隔离环可避免横滚轴向陀螺输出饱和,同时可极大的减少陀螺刻度系数误差及安装偏差引起的测量误差.着重研究了隔离环稳定回路的一种校正方案,通过采用超前滞后网络对横滚隔离光纤捷联惯导稳定回路进行校正.仿真结果表明稳定回路可有效跟踪阶跃信号,系统超调量小于,调节时间小于0.15 s;在2N·m常值干扰力矩作用下,平台稳态偏差角为0.67′.该方案具有一定的工程实用价值. 相似文献