有机层界面对双层有机发光二极管复合效率的影响

建立了双层有机发光二极管中载流子在有机层界面复合的无序跳跃理论模型.由于有机分子材料的空间及能带结构的无序性，采用刚体模型处理有机层界面问题是不恰当的，而采用无序跳跃模型比较合理.复合效率及复合电流由载流子跳跃距离、有机层界面的有效势垒高度及该界面处的电场强度分布所决定：在双层器件ITO/α-NPD/Alq₃/Al中，当所加电压小于19.5V时，复合效率随着载流子跳跃距离的增加而增加，而大于19.5V时，复合效率随着其距离的增加而减少；复合效率随着有机层界面有效势垒高度的增加而增加； 关键词： 有机层界面 双层有机发光二极管 复合效率 有效势垒高度 无序跳跃模型     

ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点发光光谱特性的研究

ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点是一种无毒,无重金属的“绿色”半导体纳米材料。在研究中,制备了三种尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS核壳量子点,其直径分别为3.3,2.7,2.3 nm。通过测量不同尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的光致发光光谱,其发射峰值波长随尺寸的减小而蓝移。其吸收峰值波长和发射峰值波长分别是510,611(3.3 nm),483,583(2.7 nm)以及447,545 nm(2.3 nm)。ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点具有显著的尺寸依赖效应。ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的斯托克斯位移分别为398 meV(3.3 nm),436 meV(2.7 nm)以及498 meV(2.3 nm),这样大的斯托克斯位移证明,ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的发光机制与缺陷能级有关。同时,对直径为3.3 nm的ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点进行了温度依赖的光致发光光谱的测量,当温度为15～90 ℃时,该量子点发射峰值波长随温度的升高而红移,发光强度随温度的升高而降低,说明ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点是以导带能级与缺陷能级之间跃迁为主的复合发光。     

采用复合母体的高效高显色指数白光有机发光二极管

采用复合母体技术制备了一种高效率高显色指数白光有机发光二极管。驱动电压在8 V到12 V变化时,器件的CIE-1931色坐标由(0.343 2, 0.339 7)变化到(0.324 3, 0.321 8),相关色温由5 035 K变化到5 915 K,其显色指数均保持在90以上。器件在14 V时达到最大亮度,为27 853 cd/m²,在7.5 V时达到最大效率为9.58 cd/A。实验中通过调节绿色和红色发光层的厚度来调节器件的发光光谱,通过敏化绿色和红色发光成分以实现电致发光效率的提高,器件的最大效率比没有采用敏化机制的参比器件提高了73.6%。     

高纯硅中补偿性杂质的光热电离光谱

首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱,确定了硅样品的最佳光热电离温度范围. 在该温度范围内,在有本征带隙光照射条件下,测量了样品的高分辨率光热电离光谱,同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿性杂质硼的正信号. 随后,应用外加磁场,对硼的光热电离光谱进行了研究,发现来自硼的光热电离信号,在外加磁场作用下,发生了由正向负信号的转变. 通过对该现象进行分析讨论,排除了该现象是温度效应的可能,指出普遍用来解释补偿性杂质光热电离响应的Darken模型存在不足,而少数载流子快速复合模 关键词： 高纯硅 光热电离光谱 元素半导体中的杂质和缺陷能级 少数载流子快速复合     

浅析陷阱和复合中心与能级位置的关系

利用单一能级复合中心理论，分析了杂质和缺陷作为陷阱和复合中心与能级位置的依赖关系。     

InP中和C带有关深能级的近红外光致发光

本文用红外光致发光方法研究了InP中与C带有关的深能级的性质和起源。峰值位于价带上0.34eV(77K)附近的宽谱带普遍存在于不同方式生长的InP外延层和掺Sn与不掺杂的衬底中,且与P空位引起的复合缺陷有关。 通过红外光致发光强度对温度的依赖关系得到C带的热激活能为0.17eV。这刚好与采用σ函数来描述深能级的Locovsky模型相吻合,光谱线型与温度猝灭的量子力学位形坐标模型拟合,得到与C带有关的深能级hv=0.02eV,S=8。     

模拟分析少子复合速率及吸收层对HIT太阳电池性能的影响

采用AMPS-1D程序模拟分析了前后接触少子复合速率以及吸收层的厚度和少子迁移率对非晶硅/单晶硅异质结太阳电池光伏性能的影响.模拟发现,与太阳电池的前接触少子复合速率相比,背接触少子复合速率对太阳电池光伏性能的影响更为显著.吸收层单晶硅的厚度对太阳电池光伏性能的影响要受到单晶硅隙间缺陷态密度以及背接触少子复合速率的制约.当背接触复合占主要地位时,吸收层越厚电池的转换效率越高;当吸收层隙间缺陷复合占主要地位时,电池的转换效率在某一厚度处达到峰值.吸收层的少子迁移率对太阳电池性能的影响,也要受到背接触少子复合速率的制约.当背接触复合速率较低时,少子迁移率越大,电池的转换效率越高;当背接触复合速率较高时,少子迁移率越小,电池的转换效率越高.     

模拟分析少子复合速率及吸收层对HIT太阳电池性能的影响

采用AMPS-1D程序模拟分析了前后接触少子复合速率以及吸收层的厚度和少子迁移率对非晶硅/单晶硅异质结太阳电池光伏性能的影响.模拟发现,与太阳电池的前接触少子复合速率相比,背接触少子复合速率对太阳电池光伏性能的影响更为显著.吸收层单晶硅的厚度对太阳电池光伏性能的影响要受到单晶硅隙间缺陷态密度以及背接触少子复合速率的制约.当背接触复合占主要地位时,吸收层越厚电池的转换效率越高;当吸收层隙间缺陷复合占主要地位时,电池的转换效率在某一厚度处达到峰值.吸收层的少子迁移率对太阳电池性能的影响,也要受到背接触少子复合速率的制约.当背接触复合速率较低时,少子迁移率越大,电池的转换效率越高;当背接触复合速率较高时,少子迁移率越小,电池的转换效率越高.     

界面空间电荷对双层有机电致发光器件效率的影响

本文建立了双层有机电致发光器件中载流子在有机/有机界面复合的无序跳跃理论模型.计算表明:①内界面处电子和空穴的有效势垒高义决定OLEDs中的电子和空穴密度的分布,而电子与空穴密度又决定了电场强度的大小;且复合效率随着有效势垒高度的增加而增加;②当电压较低时,复合效率随载流子有效跳跃距离的增加而增加;当电压较高时,复合效率随载流子的有效跳跃距离的增加而减少;③当界面场强差较小时,有机层界面场强突变增大,复合效率增大,当界面场强差达临界值时,复合效率反而随着界面场强差的增大而减小.该理论模型可较好地解释相关的实验现象.     

Sr离子自终止和复合激光交替振荡的动力学模型

建立了一个反映高重复率脉冲放电激励的Sr离子自终止激光和复合激光交替振荡的动力学模型，得到了与实测光电脉冲波形相一致的模拟结果.给出了He-Sr放电等离子中长寿命粒子、激光上下能级粒子数密度和电子温度随时间的演化过程.分析了两种激光交替振荡的发射过程、脉冲宽度特性和粒子数反转机理，认为在放电早期和余辉期电子温度的急剧升高和降低是Sr离子自终止和复合激光实现交替振荡的关键所在. 关键词： 自终止激光 复合激光 交替振荡 动力学模型     

注入和输运对单层有机发光器件复合发光的影响

通过分析聚合物电致发光器件中载流子注入、输运、激子的解离与复合过程,提出了激子解离与复合的理论模型. 基于电流连续性方程和Poisson方程,给出了激子复合密度、电流密度及复合效率表达式.研究两电极与有机层之间在Ohmic和Fowler-Nordheim接触条件下载流子迁移率对器件中激子的复合密度及外加电压和注入势垒对器件电流和复合效率的影响.结果表明:1)在一个较宽的注入势垒和迁移率范围内,复合密度不是由两个注入电极的相对注入比决定而是由有机层电子和空穴迁移率之比所支配;2)固定阴极势垒,而阳极势垒由小变大时,器件电流由接触限制向空间电荷限制转变;3)复合效率随外电压升高先增加,当电压达一临界值时而陡降,存在一个最佳的注入势垒值.结果说明:电极与有机层的能带匹配及有机层间的迁移率匹配对器件复合发光有着极其重要的影响.其计算值与所报道的理论结果相符.     

输运层厚度对双层有机器件复合发光的影响

采用ITO/PVK/Alq/Al双层电致发光（EL）结构,制备了三种载流子输运层厚度分别为30、60、120nm,发光层厚度均为300nm的有机薄膜EL器件,测试其EL谱及J-V特性曲线。根据有机EL器件中载流子的产生和输运过程导出了载流子复合几率及电子和空穴密度分布表示式,用以解释其发光强度随输运层厚度的变化关系,用一维无序结构载流子随机跃迁模型讨论输运层厚度对器件电流密度及启动电压的影响,探讨了载流子在薄膜中的输运过程,其理论与实验符合得很好。     

Recombination zone shift in phosphorescent white organic light-emitting devices with single host structure of multi-emission layers

We have investigated the recombination zone in the phosphorescent white organic light-emitting devices with single host structure of multi-emission layers. Blue, green, and orange-red phosphorescent emitters were doped into the separate layers of single host material for fabricating the white devices with multi-emission layers. The electroluminescence spectrum was substantially modified by the shift of the recombination zone that was dependent upon the thickness of the electron transport layer. We investigated the recombination zone shift in terms of electric field distribution and carrier injection. A maximum external quantum efficiency of 15.9% and a maximum power efficiency of 28.9 lm/W were achieved by optimizing the recombination zone.     

载流子迁移率对单层有机发光二极管复合效率的影响

建立了在单层有机发光二极管中电场强度不太大(E≤104Vcm)的情况下,载流子注入、传输和复合的理论模型.通过求解非线性Painleve方程得出了电场强度随坐标变化的解析函数关系式以及电流密度随电压变化关系,给出了电流密度以及器件的复合效率在不同的载流子迁移率情况下随电压变化关系图像.结果表明,复合效率受载流子迁移率影响较大,在器件中多数载流子应具有较低的迁移率,而少数载流子应具有较高的迁移率,这样有利于载流子的注入和传输,从而可提高发光效率.并且得出当空穴迁移率大于电子迁移率时,复合区域偏向阴极,反之亦 关键词： 单层有机发光二极管 复合效率 迁移率     

The effects of two-dimensional bifurcations and quantum beats in a system of combined atomic force and scanning tunneling microscopes with quantum dots

The field and temperature dependence of the probability of two-dimensional dissipative tunneling is studied in the framework of one-instanton approximation for a model double-well oscillator potential in an external electric field at finite temperature with account for the influence of two local phonon modes for quantum dots in a system of a combined atomic force and a scanning tunneling microscope. It is demonstrated that in the mode of synchronous parallel transfer of tunneling particles from the cantilever tip to the quantum dot the two local phonon modes result in the occurrence of two stable peaks in the curve of the 2D dissipative tunneling probability as a function of the field. Qualitative comparison of the theoretical curve in the limit of weak dissociation and the experimental current–voltage characteristic for quantum dots that grow from colloidal gold under a cantilever tip at the initial stage of quantum-dot formation when the quantum dot size does not exceed 10 nm is performed. It is established that one of the two stable peaks that correspond to interaction of tunneling particles with two local phonon modes in the temperature dependence of the 2D dissipative tunneling probability can be split in two, which corresponds to the tunneling channel interference mechanism. It is found that the theoretically predicted and experimentally observed mode of quantum beats occurs near the bifurcation point.     

Effect of the postimplantation-annealing temperature on the properties of silicon light-emitting diodes fabricated through boron ion implantation into <Emphasis Type="Italic">n</Emphasis>-Si

The effect of the temperature of postimplantation annealing on the electroluminescence and the electrophysical and structural properties of light-emitting diodes fabricated by the implantation of boron ions into n-Si with a resistivity of 0.5 and 500 Ω cm is studied. All spectra contain strong electroluminescence (EL) peaks associated with band-to-band radiative transitions. An increase in the annealing temperature from 700 to 1100°C is accompanied by a monotonic increase in the quantum efficiency for the dominating EL peak and in the effective minority-carrier lifetime in the base of the light-emitting diodes and by the transformation of extended structural defects. Analysis of the experimental data shows that the extended structural defects formed are most likely to affect the EL properties via the formation or gettering of the radiative or nonradiative recombination centers rather than via preventing the removal of charge carriers to nonradiative recombination centers. The maximum internal quantum efficiency is reached after annealing at 1100°C (where extended structural defects are absent) and is estimated to be 0.4% at 300 K.     

玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱

对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500～800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe_1-xS_x纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300～800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600～650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。     

Model calculations of diffusion limited trapping dynamics in quantum well laser structures

We present a phenomenological theoretical model to treat the trapping of carriers into quantum wells of semiconductor laser structures. We consider explicitely the transport within the barrier layers by solving the continuity equation with the appropriate boundary conditions taking into account surface recombination, radiative and nonradiative recombination in the barrier layers and trapping of carriers into the quantum wells. The experimental findings for the trapping dynamics in GaAs/AlGaAs quantum well structures can be consistently interpreted by the model calculations.