ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响

本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程.发现制备过程中Mn2+、Cu1、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响.光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果.本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用.     

ZnS晶体的化学气相沉积生长

本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素.结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的透过性能极其优异,在6.2μm处无吸收峰,在中、长波红外透过率可达70;以上.     

成型压力对PMNT多晶体取向生长的影响

采用添加PbO的TGG方法定向生长PMNT多晶体,研究了素坯成型压力对PMNT多晶体取向生长的影响规律.结果表明,成型压力直接影响PMNT多晶体的取向生长速度和取向程度.随着成型压力逐渐增大,PMNT多晶体的取向生长速度呈先增加后减小的趋势.低于临界成型压力(在本文实验条件下,临界成型压力为600MPa)时,随成型压力增大,PMNT多晶体的取向生长速度越来越快;高于临界成型压力时,随成型压力增大,PMNT多晶体的取向生长速度越来越慢,但是多晶体的取向程度却越来越好.     

Effects of concentration and annealing on the performance of regioregular poly（3-hexylthiophene） field-effect transistors

This paper investigates the effects of concentration on the crystalline structure, the morphology, and the charge carrier mobility of regioregular poly(3-hexylthiophene) (RR-P3HT) field-effect transistors (FETs). The RR-P3HT FETs with RR-P3HT as an active layer with different concentrations of RR-P3HT solution from 0.5~wt% to 2~wt% are prepared. The results indicate that the performance of RR-P3HT FETs improves drastically with the increase of RR-P3HT weight percentages in chloroform solution due to the formation of more microcrystalline lamellae and bigger nanoscale islands. It finds that the field-effect mobility of RR-P3HT FET with 2~wt% can reach 5.78× 10^-3~cm²/Vs which is higher by a factor of 13 than that with 0.5~wt%. Further, an appropriate thermal annealing is adopted to improve the performance of RR-P3HT FETs. The field-effect mobility of RR-P3HT FETs increases drastically to 0.09~cm²/Vs by thermal annealing at 150~℃, and the value of on/off current ratio can reach 10^4.     

Temperature field at time of pulse current discharge in metal structure with elliptical embedding crack

Theoretical analysis is made on the temperature field at the time of pulse current discharge in a metal structure with an elliptical embedding crack. In finding the temperature field, analogy between the current flow through an elliptical embedding crack and the fluid flow through a barrier is made based on the similarity principle. Boundary conditions derived from this theory are introduced so that the distribution of current density and the temperature field expressions can be obtained. The study provides a theoretic basis to the applications of stopping spatial crack with electromagnetic heating.     

Bi_2O_3对MnCoNiO基NTC热敏半导体陶瓷显微结构和电性能影响

采用Bi2O3作烧结助剂,研究了Bi2O3含量,烧结温度对MnCoNiO基NTC热敏半导体陶瓷显微结构与电性能。结果表明:添加0.25 wt%~1.5 wt%Bi2O3可以显著促进烧结,烧结温度可降低至1000℃。随着Bi2O3含量的增加,陶瓷样品的粒径先减小,后增大,含有1.0wt%Bi2O3的样品晶粒最大,伴随着显微结构的变化,材料的电阻率和材料常数(B)先减小,后增大;烧结温度对上述材料体系的电性能有着较大的影响,其影响主要来自于烧结温度对晶粒大小和体系内部阳离子分布的改变。     

基于分支设置的质量导引相位展开算法

二维相位展开方法是近年来较为活跃、引起关注的一个研究课题,它在许多测量应用中有着重要的作用。尽管掩膜阻断算法在多个领域都有成功应用实例,该算法存在着固有的缺陷。为了克服掩膜阻断算法的缺陷,综合分支阻断方法和质量导引方法的优点,提出一种基于分支设置的质量导引相位展开新算法。它先以一个初始质量图来引导分支的设置,然后把分支对应的相位质量设置为最低,从而产生一个新的质量图,最后按新质量图来引导相位展开,并使用几个包裹相位图来验证此方法的有效性。计算机模拟相位图和实际相位图的相位展开结果表明,在存在复杂轮廓不连续和高噪声的情况下,该算法优于模板阻断算法,能得到较好的相位展开结果。     

考虑转速影响的滚珠丝杠副摩擦系数计算与试验研究

针对目前滚珠丝杠副摩擦系数选取多以轴承经验值为依据的现状,基于滚珠丝杠副的结构特点建立滚珠与滚道的运动学及动力学模型,得到滚珠丝杠副摩擦系数与预紧力及摩擦力矩之间的关系,并推导出滚珠丝杠副摩擦系数计算公式.通过新型设计的预紧力可调机构可实现对双螺母滚珠丝杠副预紧力的任意加载与实时监测.利用该机构,结合摩擦力矩测量系统便可实现对滚珠丝杠副摩擦力矩和预紧力的直接测量,从而计算不同预紧力和转速下的实际摩擦系数.由于测量系统转速限制,试验在转速400 r/min以下的低速条件进行,最终得到摩擦系数随转速与预紧力的变化规律,并给出了滚珠丝杠副低速下摩擦系数的选用范围.通过试验得到合理的滚珠丝杠副摩擦系数取值对今后研究其摩擦特性有着重要的意义.     

椭圆一类内接多边形的一个有趣共性

文[1]证明了椭圆的内接三角形、以椭圆长轴为一底边的椭圆内接梯形及以椭圆短轴为一底边的椭圆内接梯形,其面积有相同的最大值．笔者最近也对椭圆内接多边形进行了研究,在这对文[1]进行推广．     

多脉冲激光增强太赫兹辐射的PIC模拟

 模拟了强激光和稀薄非均匀等离子体相互作用在界面辐射超强太赫兹波的物理过程,提出了利用多脉冲激光增强太赫兹辐射的方案,详细研究了多脉冲激光的脉冲个数（取１～４个）、脉冲间距等因素对太赫兹辐射功率和频率的影响。当入射激光包含4个脉冲时,辐射最强,此时的辐射功率是相同条件下单脉冲的6倍,可达到7.16 MW,辐射的太赫兹波的脉宽约为330 fs,总能量约为1 μJ。研究结果表明:多脉冲激光可以显著增强太赫兹辐射,且随着脉冲个数的增加,激起的电子静电波振幅变大,辐射功率也随之变大,直到尾流场饱和;当脉冲间距等于入射激光脉宽时辐射最强。