SOME NEW EXTENSIONS OF EDELSTEIN-SUZUKI-TYPE FIXED POINT THEOREM TO G-METRIC AND G-CONE METRIC SPACES

In this paper, we prove some fixed point theorems for generalized contractions in the setting of G-metric spaces. Our results extend a result of Edelstein [M. Edelstein, On fixed and periodic points under contractive mappings, J. London Math. Soc., 37 （1962）, 74-79] and a result of Suzuki [T. Suzuki, A new type of fixed point theorem in metric spaces, Nonlinear Anal., 71 （2009）, 5313-5317]. We prove, also, a fixed point theorem in the setting of G-cone metric spaces.     

双拉盖尔-高斯腔光力系统中的腔内压缩冷却研究

机械振子的冷却是腔光力学研究的重要方向之一。计算光力噪声谱和稳态的最终声子数,对基于耦合光学参量放大器（OPA）的双拉盖尔-高斯腔光力系统中的腔内压缩冷却问题进行研究。在弱耦合条件下,利用微扰近似理论方法得出系统的光力噪声谱,基于费米黄金法则的理论计算出稳态下的最终声子数的解析表达式。利用入射泵浦光驱动腔场内耦合的OPA,使腔场内形成强烈的非线性压缩效应,量子反作用加热过程得到有效抑制,系统净冷却率得到显著提高。此外,讨论了其他系统参数对机械振子冷却的影响。最后研究了系统的稳态声子数,声子数可以在较大参数范围内小于1。该方案能有效地降低机械振子的冷却极限。     

磺化酞菁铝修饰氨基功能化磁性材料及其光敏化降解双酚A

采用溶剂热法制备氨基功能化Fe_3O_4磁性材料(NH_2@nFe_3O_4),通过浸渍法将磺化酞菁铝(AlPcS)负载于NH_2@nFe_3O_4。材料的傅立叶红外、漫反射、X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、振动磁强计等表征表明:AlPcS主要通过静电作用与NH_2@nFe_3O_4结合,AlPcS-NH_2@nFe_3O_4平均粒径为127 nm,饱和磁化强度为75.3 emu·g-1。在可见光和空气作用下,该功能化磁性材料对降解弱碱性水溶液中环境内分泌干扰物双酚A(BPA)具有较高的光敏化活性。随着AlPcS负载量的增加活性呈先升高后下降的趋势,负载量为3.4%(质量分数)的复合材料性能最佳,反应60 min后,20.0 mg·L-1BPA降解率为96%;循环使用10次,BPA降解率仍保持93%以上。通过NaN3猝灭实验探讨了反应机理,证实1O2是光敏化过程中的主要活性物种。     

尾喷焰红外辐射特性的小波压缩

本文针对发动机尾喷焰的目标红外特性开展谱分析研究.采用热流法求解辐射传输方程,获得尾喷焰表观红外辐射特性仿真数据,应用多尺度小波分解红外光谱获得小波压缩系数.考察了不同小波函数及小波尺度下红外特性光谱的压缩效果.研究结果表明,基于小波的尾喷焰红外辐射特性光谱数据压缩方法是可行的,尾喷焰红外光谱主要信息基本保留,变量维数压缩可达10倍以上.     

不同排烟方式HAT循环性能对比

对三种不同排烟方式HAT循环的模拟分析表明,在总压比一定时,排烟方式对比功影响很小,采用引风机排烟的HAT循环比直接排烟及回热法排娴的电效率最多分别高出1和1.5个百分点,最高效率时的引风机压比在1.5～1.6左右.引风机排烟带来的压缩耗功下降和湿化器出水温度降低是效率升高的主要原因.水回收率相对偏低,且性能受烟气冷凝温度和引风机压比影响较大.     

均质混合气压缩着火燃烧过程的模拟研究

本文采用并行计算对HCCI燃烧过程进行三维数值模拟与解析,对比了采用不同数量CPU与不同规模机理时的计算效率,分析了采用不同机理以及单区和三维HCCI模拟的计算结果的影响.结果表明,合理采用并行计算和简化机理可以大幅度提高HCCI模拟计算效率.三维HCCI模拟相比于单区模拟显著提高了燃烧和排放的计算精度; HCCI燃烧过程中缸内存在明显的温度分层,燃烧呈现顺序放热.     

基于磁开关的全固态、高功率、长脉冲发生器的初步研究

大多数电容储能型脉冲功率装置的共同特点是采用了气体开关, 由于气体绝缘恢复的限制和电极的烧蚀, 使得其重复频率都不太高, 而且寿命有限. 而目前广泛研究的磁脉冲压缩技术在脉冲功率系统的长寿命、高平均功率和高重复频率运行方面具有很大的应用前景. 通过对BOOST电路、LC谐振电路和磁脉冲压缩电路详细的理论分析和计算机模拟, 设计了由BOOST电路, LC谐振电路, 脉冲变压器, 磁压缩系统, 负载五大部分组成的脉冲发生器电路系统模型, 使用Pspice软件对系统进行了模拟、优化, 得到了电压幅值为55kV, 脉宽为500ns的输出脉冲.     

Composition-Controlled Low Field Magnetostriction of TbFe Amorphous Films

Amorphous TbFe films are fabricated by dc magnetron sputtering, and their magnetostrictions at low field are examined over a wide range of terbium content （from 32at.% to 70at.%）. It is found that the terbium content plays an important role in the magnetic and magnetostrictive properties of TbFe films. TbFe film soft magnetic properties and low field magnetostriction can be efficiently improved by controlling the terbium at an optimum content. The magnetostriction at lower magnetic field is increased with the increase of terbium content up to 48.2at.%. After reaching the maximum value, further increase of terbium content would result in a great decrease of the low field magnetostriction. By contrast, at higher magnetic field, the magnetostriction is decreased monotonically with the increase of the terbium content.     

Mo Back Contact for Flexible Polyimide Substrate Cu（In,Ga）Se2 Thin-Film Solar Cells

A dc magnetic sputtering process is applied to growth of a Mo back. contact layer onto the flexible polyimide （PI） and rigid soda-lime glass （SLC） substrates. The structural and electrical properties of the Mo layer coated on the two kinds of substrates are investigated by x-ray diffraction （XRD） and Hall effect measurements. The results show that the Mo layer on SLG indicate more better crystal quality and lower resistivity than that on the PI sheets. In contrast to the SLG substrate, the resistivity of the Mo layer on PI is increased by the vacuum annealing process at the substrate temperature of 450℃ under Se atmosphere, which is attributed to the cracked Mo layer induced by the mismatch of the coefficient of thermal expansion between PI and Mo material. The Cu（In,Ga）Se2 （CIGS） solar cells based on the PI and SLO substrates show the best conversion efficiencies of 8.16% and 10.98% （active area, 0.2cm^2）, respectively. The cell efficiency of flexible CIGS solar cells on PI is limited by its relatively lower fill factor caused by the Mo back contact.