激发双参数变形奇偶相干态的压缩特性

研究了激发奇qs相干态a+mqsα〉oqs和激发偶qs相干态a+mqsα〉eqs的压缩特性,数值计算了参数m,s和q对qs压缩函数的影响.结果表明:(1)当q或s偏离1较远时,态a+mqsα〉oqs和a+mqsα〉eqs都能呈现出强烈的qs压缩,而且随着r²的增大qs压缩函数出现振幅和周期都递增的振荡现象,其振幅不但随q或s的减小而急剧增大,而且也随着m的增大而急剧增大,其周期随q或s的减小而增大但与m无关,从控制光场的压缩效应来看,场模上光子数增加数m可作为第三个独立的调节参数来使用;(2)对于大多数r,qs压缩函数对s的敏感度大于对q的敏感度,即通过调节参数s来控制光场的压缩效应要比通过调节参数q更有效.     

InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究

降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法，本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上，经过钝化和低温两个特殊工艺条件，在高温CaN表面生长了一层低温岛状GaN．形成表面形貌的起伏，进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其徽观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明：InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥，其密度约10^11cm^-2。室温下，InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料。这些现象表明，用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜．有望获得发光效率更高的GaN基发光器件。     

La0.67Pb0.33MnO3的磁性及输运特性

利用固相反应烧结法制备了La067Pb033MnO3单相多晶样品.研究了其结构、磁性及输运特性.结果表明，样品呈菱面相晶体结构，空间群为R3C，居里温度TC(=353K)非常接近TMI(=360K).在居里温度附近，发生铁磁-顺磁转变，导电特性由金属特征向半导体特征过渡.磁电阻在居里点达到极大值.当H=16T时，磁电阻的极大值为145%；当H=08T时，磁电阻的极大值为9%.输运性质表明，TTMI时 关键词： 磁电阻 输运特性 磁极化子 钙钛石     

白光发光二极管的制备技术及主要特性

利用发射波长为470nm的蓝光发光二极管作为基础光源，通过荧光粉转换方法制备白光发光二极管，荧光粉主要采用稀土激活的铝酸盐Y3Al5Ol2：Ce3 (YAG)。在工作电流为15mA条件下，所研制的白光LED的法向光强为2890mcd；色坐标为x=0.29，y=0．33；显色指数为77；流明效率为14．9lm／w。研究制备了不同色温的白光LED，色温范围从2700～8000K，研究了色温与色坐标之间的对应关系。并且与国外同类产品进行比较。部分指标已经超过了国外同类产品水平。     

Vlasov辐射器反射特性研究

 利用矩量法导出Vlasov辐射器端口处各种模式模系数（振幅）的计算方法，并利用此方法通过数值计算研究了斜切形Vlasov辐射器的反射特性，得到了辐射器端口反射系数和斜切角度及直径波长比之间的关系。结果表明斜切形辐射器具有很小的反射系数，并从反射特性上为辐射器结构参数的选择提供了依据。     

Direct Current Hopping Conductivity in One—Dimensional Nanometre Systems

A one-dimensional random nanocrystalline chain model is established.A dc electron-phonon-field conductance model of electron tunnelling transfer is set up,and a new dc conductance formula in one-dimensional nanometre systems is derived.By calculationg the dc conductivity,the relationship among the electric field,temperature and conductivity is analysed.and the effect of the crystalline grain size and the distrotion of interfacial atoms on the dc conductance is discussed.The result shows that the nanometre system appears the characteristic of negative differential dependence of resistance and temperature at low temperature.The dc conductivity of nanometre systems varies with the change of electric field and trends to rise as the crystalline grain size increases and to decrease as the distroted degree of interfacial atoms increases.     

氩气介质阻挡放电的发光特性

本文使用水电极介质阻挡放电装置,采用光学方法测量了氩气介质阻挡放电的发光特性。发现在驱动电压处于一定的范围内时,放电处于丝极模式,在驱动电压的每半周期内,无论是放电的总光还是单个微通道的放电发光均只有一次脉冲,单个微放电的时间为2μs,而总放电时间为2.4μs,这表明在氩气的丝极模式中,各单丝产生与熄灭的时间极其接近,各个放电丝之间有着很好的时间相关性。最后将本文的结果与空气中介质阻挡放电丝极模式的发光特性相比较,空气放电在每半周内的总光信号由多个脉冲组成,而每一个脉冲对应多个放电丝,因而氩气中各个放电微通道之间的时间相关性远强于空气的情况。     

Effects of Correlations Among Multiple Perturbations on Soliton Propagation

Correlations among multiple noise perturbations are considered in a sofiton system. It is found that these perturbations lead to disintegration of soliton, their correlations play important roles and reinforce their effects.Furthermore, there is a limiting case among the multiple noise perturbations in the system, here their effect is the largest. Finally, the nonlinear gain and the narrow band filter are introduced to suppress these effects effectively.     

一种含势阱具有混合交换势形式的平均原子模型

含温有界平均原子模型是研究高温稠密等离子体物理特性的重要工具之一。但平均原子模型在低温等离子系统物性研究方面存在较大的缺陷。为此，对传统的平均原子模型(AAM)作了几点改进：     

15C的中子晕结构研究

实验测量了83A MeV ^14,15C的核反应总截面(σ_R)及¹⁵C产生^14,15C和¹⁴C产生¹³C的动量分布(P_//). 分析得到了¹⁵C产生¹⁴C和¹³C的动量分布半高宽(FWHM)分别为71±9MeV/c和223±28MeV/c, 而¹⁴C产生¹³C的FWHM为195±21MeV/c. 从¹⁵C和¹⁴C产生¹³C的FWHM与Goldhaber模型的预言基本一致. 而¹⁵C产生¹⁴C的FWHM却要比该模型计算小得多. 同时观测到¹⁵C的σ_R比相邻核有反常增加. 在Glauber模型框架中, 对实验测得的P_//和σ_R进行了探讨. P_//和σ_R的分析结果同时显示¹⁵C的最后一个中主要处于s_1/2态, 具有中子晕结构.