校直误差对平面镜偏折术面形测量的影响

偏折术中的几何结构标定误差是制约低阶面形测量精度的主要因素。分析几何结构标定中校直误差与平面镜低阶面形测量误差之间的关系,给出描述校直误差与面形测量误差之间关系的灵敏度方程和权重因子,并通过模拟和实验结果对其进行验证。结果表明,校直误差会在面形测量结果中引入倾斜、离焦、像散和彗差等像差项,且面形测量误差与校直误差成正比。本研究有助于选择合适的偏折术系统结构,以提高低阶面形测量精度,同时可为偏折术测量中面形误差的评估和分析提供理论指导。     

环境气氛压强对熔石英紫外激光损伤阈值的影响

 利用1∶1, S∶1, R∶1方法,测试了不同真空度（10-3～105 Pa）和不同气氛（空气、氮气、氧气）环境下熔石英351 nm激光损伤阈值,测试结果表明,用1∶1, S∶1方法测试得到的阈值在不同气氛压强下几乎相等;R∶1损伤阈值受气压的影响较大,在小于等于10³ Pa气压下,较105 Pa气压的阈值降低28%～41%;但R∶1损伤阈值同气氛的关系不大,在同气压下差别小于10%,在测量值误差范围内。利用50%破坏几率对应的损伤阈值Fth（R∶1）一半的激光能量密度辐照样品,考察其抗多脉冲辐照的能力,分析表明,在同样的能量密度辐照下,10³ Pa空气及氮气环境和105 Pa氮气环境下同样具有高的寿命;而10^-3 Pa高真空环境下其寿命较短,在10^-1 Pa低真空环境下其寿命最短。     

层间热处理对SiO2/ZrO2双层膜的影响

 以正硅酸乙酯和丙醇锆为前驱体,用溶胶-凝胶法在K9基片上提拉镀制SiO₂/ZrO₂双层膜。采用不同实验步骤制备了2个样品,样品1镀完SiO₂后直接镀ZrO₂ ,样品2镀完SiO₂经热处理后再镀ZrO₂。采用原子力显微镜、椭偏仪、紫外-可见分光光度计对薄膜进行表征。针对SiO₂/ZrO₂双层膜,考虑到膜间渗透的影响,采用３层Cauchy模型进行椭偏模拟,椭偏参数的模拟值曲线与椭偏仪的测量值曲线十分吻合,进而发现热处理可以使SiO₂/ZrO₂双层膜之间的渗透减少近23 nm,从而提高其峰值透射率。利用输出波长1.064 mm,脉宽8.1 ns的激光束对样品进行了损伤阈值的测试,用光学显微镜观察损伤形貌,结果发现两者损伤阈值分别为13.6 J/c2和14.18 J/cm²,均为膜的本征损伤。     

聚乙烯醇/二氧化硅复合增透膜的制备和可清除性

 用溶胶-凝胶法制备了易清洗的聚乙烯醇/二氧化硅(PVA/SiO₂)复合增透膜。先在K9玻璃基片上镀制PVA薄膜,然后在PVA薄膜上镀上二氧化硅增透膜。用紫外可见光分光光度计、椭偏仪、光学显微镜、扫描探针显微镜和静滴接触角测量仪分别分析了膜层和基片的透射率、膜层厚度和折射率、表面形貌、水接触角等性质,用去离子水作溶剂对复合膜层进行清洗。结果表明：聚乙烯醇/二氧化硅复合增透膜峰值透射率达到99.8％,峰值透射率位置可以随SiO₂厚度而调节。复合膜层能够被热水清除,清除后基片完好,其透射率、表面形貌和水接触角与镀膜前一致。     

Pattern Formation in a Vibrated Granular Layer on an Inclined Base

We carry out the simulations of pattern formation in a two-dimensional vibrated granular layer on an inclined base by molecular dynamics. It is found that the maximum amplitude of the pattern is greater at the lower part than at the higher part of the base, and is proportional to the thickness of the layer. Meanwhile, the wavelength varies non-monotoniclly as the inclined angle of the base is increased.     

Effects of Vacuum on Fused Silica UV Damage

Damage points induced by 355 nm laser irradiation increase more quickly on the surface of fused silica in vacuum of about 10^-3 Pa than in atmospheric air at the same fluence. The larger concentration of point defects in vacuum is confirmed by photoluminescence intensity. X-ray photoelectron spectroscopy and infrared absorption indicate the formation of sub-stoichiometric silica on the surface. The degradation mechanism of fused silica in vacuum is discussed.     

基于局部优化方法的半导体激光器反源技术

为了解半导体激光器的传播模近场分布,利用远场分布的光强和逼近信赖域的局部优化方法,提出了一种新的计算传播模近场分布的方法.模拟实验表明,只需很少几个展开函数的线性组合,就能逼近源场函数,是一种稳定性好,精度较高的方法.     

与两等同Bell态纠缠原子相互作用光场的量子场熵

利用全量子理论,并通过数值计算,研究了初始处于Fock态的单模光场与两等同双能级纠缠原子单光子共振相互作用过程中单模光场量子场熵的时间演化特性.结果发现:当两原子初始处于第一种Bell态时,光场量子场熵的时间演化周期为π/g2(2n+1);随着初始光强的增大,光场与原子之间的量子纠缠现象减弱;特别是当时间t为演化周期的整数倍时,场－原子系统处于退纠缠状态.当两原子初始处于第二种Bell态时,光场量子场熵不随时间变化,恒为零.当两原子初始分别处于第三种和第四种Bell态时,光场量子场熵的时间演化曲线呈现不等幅周期振荡现象;并且随着初始光场光子数的增加,光场量子场熵的振荡周期逐渐增大,但振荡幅值逐渐减小.     

小尺寸平面源的误差精确分析

基于Helmholtz方程的严格远场解和源的“误差面积”描述方法,讨论了大发散角光辐射远场振幅和相位对于源包络扰动的依赖关系,讨论了由于源振幅扰动而产生的远场误差,建立了一种恰当的描述远场误差的方法.模拟实验表明,在“相对误差面积”的基础上,可以结合利用“离轴距离”来精确描述源误差和分析远场误差,利用“判据点”可以判断离轴误差的存在.     

Investigation on the intensity noise characteristics of the semiconductor ring laser

Based on the frequency-domain multimode theoretical model, detailed investigations on the noise characteristic of the semiconductor ring laser （SRL） are first performed in this paper. The comprehensive nonlinear terms related to the third order nonlinear susceptibility Z3 are included in this model; the Langevin noise sources for electric field and carrier density fluctuations are also taken into account. As the injection current increases, the SRL may present several operation regimes. Remarkable and unusual low frequency noise enhancement in the form of a broad low frequency tail extending all the way to the relaxation oscillation peak is observed in any of the operation regimes of SRLs. The influences of the backscattering coefficient on the relative intensity noise （RIN） spectrum in typical operation regimes are investigated in detail.