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991.
LBO晶体上1064 nm,532 nm二倍频增透膜的制备和性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用电子束蒸发方法在三硼酸锂(LBO)晶体上制备了1064 nm,532 nm二倍频增透膜.利用Lambda900分光光度计、MTSNanoIndenter纳米力学综合测试系统以及调Q脉冲激光装置对样品的光学性能、附着力和激光损伤阈值进行了分析测试.结果表明,通过多次实验,不断改进薄膜沉积工艺条件,在LBO晶体上获得了综合性能优异的二倍频增透膜.样品在1064 nm,532 nm波长的剩余反射率分别为0.07%和0.16%,薄膜粘附失效的临界附着力和激光损伤阈值分别为137.4 mN和15.14 J/cm2,薄膜激光损伤发生在Al2O3膜层. 相似文献
992.
介绍了HL-2A装置会切场桶式离子源在实验平台运行时某些放电参数的变化对离子源放电特性的影响。分析并讨论了产生这些现象的原因。这对于提高源的可靠性和稳定性,提高饱和离子流密度,增大引出电流和提高弧效率有一定的指导作用。 相似文献
993.
采用磁控溅射的方法制备了Co/FeMn/Co多层膜,研究了Co(底部)/FeMn和FeMn/Co(顶部)界面插入Pt层后磁矩的变化情况.通过测量磁滞回线可知,Co(底部)/FeMn界面的Pt插层改变了体系的饱和磁化强度Ms,随着Co层厚度(tCo)的增加Ms不断趋近于Co块体结构理论值1440 kA/m.这是因为Co(底部)/FeMn界面产生了净磁矩,而界面处的Pt插层可以减少这种净磁矩的产生.但是
关键词:
磁性多层膜
垂直磁各向异性
交换耦合 相似文献
994.
介绍了采用新课标地区的高考试卷中实验部分试题的背景和发展趋势,分析了该类试题的特点,并对备考提出了相应的建议. 相似文献
995.
利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了YBa2Cu3O7-x薄膜的外延生长.在外延YBa2Cu3O7-x薄膜前,依次沉积了钇稳定的立方氧化锆和CeO2作为缓冲层.利用X射线衍射2θ扫描、φ扫描、Ω扫描和极图分析测定了这些膜的结构和双轴织构取向,利用Raman光谱表征了其超导相的品质和取向特性,利用扫描电镜和原子力显微镜观测了薄膜的表面形貌和粗糙度.考察了不同厚度的CeO2层对YBa2Cu3O7-x生长和性质的影响.发现了YBa2Cu3O7-x薄膜的外延生长和性能对CeO2的不同厚度具有显著而独特依赖性.讨论了其可能的机理. 相似文献
996.
聚合物分散液晶增强散射的理想模型 总被引:7,自引:0,他引:7
介绍聚合物分散液晶技术新进展,应用光学原理对液晶微滴增强散射问题进行研究,提出液晶微滴最佳间距判据,液晶微滴间隔处聚合物材料光学厚度满足增反膜条件;提出液晶微滴最佳直径判据,液晶微滴直径满足双折射相消干涉条件;提出聚合物与液晶最佳配比的计算方法,应用晶体学原子堆积致密度知识给出最佳配比的计算结果.建立一种聚合物分散液晶增强散射的理想模型,进而从更基本的光学原理出发对异常散射理论模拟计算和实验上确定的液晶微滴最佳直径和聚合物与液晶最佳配比问题给出十分简单明确的理论解释. 相似文献
997.
由于X射线对高级相变和电子相变不够敏感,致使很多物质的相变和新的性质被忽略。对物质电阻的变化进行分析可以很好地弥补这一缺陷。通过金刚石对顶砧上原位电阻测量方法,在0~88.7 GPa的压强范围内,在300~443 K的温度条件下,基于范德堡法电阻测量原理,对硫化铁的电导率进行了测量。通过对电导率的分析发现,在零压、温度为408 K的条件下,硫化铁转变成了NiAs结构相。在34.7 GPa和61.3 GPa压强处发现了两个新的突变点,为了印证这两处相变的可靠性,分别测量了在不同压强下样品电导率随温度的变化情况。 相似文献
998.
含有偶氮苯和1,3,4-噁二唑结构聚合物的合成及性能 总被引:1,自引:1,他引:0
合成了同时含有偶氮苯和1,3,4-噁二唑结构的新型共轭聚合物(LPOXD),采用FT-IR、UV-Vis、1H NMR、GPC、TGA和DSC测试技术对其结构进行了表征。 结果表明,所得共轭聚合物的特性粘数为0.02960 L/g,Mw和分子量分布指数PDI分别为8500 g/mol和1.55。 质量损失5%的温度为290 ℃,Tg为92.8 ℃。 长烷氧基侧链的引入极大地提高了LPOXD在氯仿和四氢呋喃等有机溶剂中的溶解性。 采用紫外-可见吸收光谱、荧光光谱及循环伏安对LPOXD的光电性能进行了研究。 结果表明,在365 nm紫外光照射下,LPOXD中偶氮苯发生反-顺异构化;350 nm光激发下,LPOXD在蓝紫光波长范围内发射荧光;循环伏安测试得出LPOXD最高占有轨道(HOMO)能量和最低空轨道(LUMO)能量分别为-5.96和-3.17 eV。 相似文献
999.
<正> 反射全息图在记录时物光和参考光自两侧投射在记录介质上,记录介质必须是厚的。记录介质的厚薄是相对于条纹面间距Λ而言,粗略的说δ>Λ是厚的,δ<Λ是薄的。用厚记录介质记录的全息图,称为体积全息图或厚全息图,用薄记录介质记录的全息图则称为平面全息图或薄全息图。一、体积全息图的几何结构用厚银盐干板记录体积全息图,在线性记录条件下,乳胶中的银粒密度是按余弦规律变化的层状结构。在透射全息图的情形,条纹面的形成如图3-1所示。设xoz面与入射面平行, 相似文献
1000.
本文研究了双参数变形量子代数SU(2)q,s相干态的压缩效应和反聚束效应. 相似文献