Characteristics of Sn-Doped Ge2Sb2Te5 Films Used for Phase-Change Memory

Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films deposited on Si（100）/SiO2 substrates by rf magnetron sputtering are investigated by a differential scanning calorimeter, x-ray diffraction and sheet resistance measurement. The crystallization temperatures of the 3.58 at.%, 6.92 at.% and 10.04 at.% Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films have decreases of 5.3, 6.1 and 0.9℃, respectively, which is beneficial to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase transition. Due to Sn-doping, the sheet resistance of crystalline Ge2Sb2Te5 thin films increases about 2-10 times, which may be useful to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase change. In addition, an obvious decreasing dispersibility for the sheet resistance of Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films in the crystalline state has been observed, which can play an important role in minimizing resistance difference for the phase-change memory cell element arrays.     

Dielectric Properties of Multilayered Ba0.5Sr0.5TiO3 Thin Films Deposited on ITO-Coated Corning 1737 Glass by rf Magnetron Sputtering

A new stacking method via variation ofsubstrate temperature in rfmagnetron sputter is used to fabricate polycrystalline/polycrystalline Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films with higher dielectric constant, higher breakdown strength and lower leakage current densities than those prepared by a conventionM deposition method. The improved figure of merit G （ε0εrEb） of the Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films implies that they are a feasible insulation layer for thin film electroluminescent devices.     

Fuzzy半群中的极小Fuzzy理想

本文先给出Ｆｕｚｙ半群中极小Ｆｕｚｙ理想的一些代数性质,进而利用极小Ｆｕｚｙ理想刻划Ｆｕｚｚｙ单半群的一些代数性质     

高电荷态氪离子双电子复合过程的理论研究

本文采用相对论的Flexible Atomic Code (FAC) 程序计算类氦Kr34+离子双电子复合的截面及速率系数,其中用n-3标度律对速率系数作了外推.文中我们还讨论了辐射分支比随不同共振峰的变化以及级联辐射的影响.     

多目标决策非凸锥Λ－有效点的存在性与控制性质

本文提出了多目标决策偏好及最优解的一般概念和集诱导偏好的概念．给出了判断ρ－完备集的一系列条件，从而指出了ρ－完备集是十分广泛的集类．得到了集合的Λ－有效点的存在性定理和ρ－下闭集与截面的Λ－有效点的性质．通过引入函数Λ－下半连续的概念，得到了多目标决策一般集诱导偏好最优解的存在性定理．在这些结果的基础上，最后得到了集合Ｙ关于Λ和多目标决策问题的控制性质．     

掺铒重金属氧氟硅铋酸盐玻璃的光谱性质

研究了重金属氧氟硅铋酸盐玻璃 (50-x)SiO2 xBi2O3 50PbF2(x=0, 3, 5, 8, 10, 13, 15 mol%)中Er3+离子的吸收光谱、荧光光谱、荧光半高宽、荧光 寿命和热稳定性能.应用Judd Ofelt理论计算了玻璃的强度参数Ωt(t=2,4,6)，应用 McCumber计算了能级4I13/2→4I15/2跃迁的受激发射截面. 结果发现荧光半高宽与Ω6有较大联系，Ω6越大，荧光半高宽越宽.对Er3+ 关键词： 重金属氧氟硅铋酸盐玻璃 光谱性质 Er3+离子 Judd Ofelt参数     

微波等离子体离子束刻蚀技术

自行设计研制了一台微波电子回旋共振等离子体刻蚀系统。该系统采用微波直接通过石英窗口产生右旋圆极化波，由Nd—Fe—B永磁磁钢形成高强磁场，通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生均匀的高密度等离子体。利用该系统，结合光刻技术和反应离子束刻蚀技术，在以碳氢（CH）等元素为主要组成的有机聚合物（PMMA）表面制备出线宽3-4μm的光栅形图形。原子力显微镜（AFM）测试结果表明，所得图形线条清晰，侧边比较陡直。     

氧离子与氦、氖原子碰撞中转移电离过程的研究

采用位置灵敏探测和散射离子-反冲离子飞行时间测量技术,测量了氧离子与氖和氦原子碰撞过程中转移电离截面与单电子俘获截面之比.通过比较发现测量结果与文献结果的趋势一致,并对测量结果进行了讨论.     

上协边类纤维丛表示的若干性质

本文研究了底空间为实射影空间时上协边类纤维丛表示的若干性质．     

声频工程专业学术交流会在苏州召开

中国电子学会、中国声学学会声频工程专业学会委员会首届年会暨学术交流会于九○年十一月十九日至甘二日在苏州召开。出席会议的代表共38人,其中委员会委员23人,特邀代表15人。会议回顾了学会自1989年成立以来的工作情况,对组织机构进行了调整并作了人事变动,研究了学会今后工作要点,会议传达了中国电子学会第九次工作会议情况及有关精神,会议期间进行了学术交流,共收到论文18篇,其中在会上宣读17篇,内容包括近代电声测量技术,扩声系统设计,音质评价和产品设计等,论文涉及面广,具有较高的学术水平,一些文章既有较高的理论性,通过实