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对0.18 μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究. 结果表明: 在相同累积剂量, SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损伤, 并且低剂量率辐照损伤要远大于高剂量率辐照加与低剂量率辐照时间相同的室温退火后的损伤. 虽然NMOSFET 低剂量率辐照损伤略小于高剂量率辐照损伤, 但室温退火后, 高剂量率辐照损伤同样要远小于低剂量率辐照损伤. 研究结果表明0.18 μm CMOS工艺器件的辐射损伤不是时间相关效应. 利用数值模拟的方法提出了解释CMOS器件剂量率效应的理论模型. 相似文献
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冯志刚 《中国惯性技术学报》2007,(8)
全球定位系统为公路勘测设计工作者提供了一个可靠的提高外业测量精度及进度的工具,随着GPS越来越多地出现在人们的生产、生活中,这一先进的测量手段会被更广泛地应用到公路勘测工作中,从而可提高作业效率,缩短设计周期,推动交通事业的发展和公路的建设。 相似文献
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短波长相变光盘记录介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备及静态性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了632.8nm波长下适用的相变光盘介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性,发现该薄膜可在100ns条件下实现直接重写,在优化膜层结构后,写擦循环次数高达10^6,反射率对比度在15%以上。 相似文献
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研究了磁控溅射制备的Ag5In5Te47Sb33相变薄膜的光谱及短波长静态记录性能。研究结果表明,晶态薄膜反射率较高,并在600~900nm波长范围内,晶态与非晶态的反射率和折射率相差很大。在CD-E系统的工作波长780nm处,晶态反射率高达50%,光学常数为5.34-1.0i;非晶态反射率为23%,光学常数为2.5-1.03i。从这一角度讲,Ag5In5Te47Sb33相变薄膜适于做CD-E系统的记录介质。另外,采用波长为514.4nm的短波长光学静态记录测试仪对Ag5In5Te47Sb33薄膜的记录性能进行了测试,结果表明,这种薄膜短波长记录性能较好,它在较低功率和短脉宽的激光束作用下就可得到较高的反射率对比度。 相似文献
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利用霍尔元件测永磁材料的静态特征石环英,石琳(长沙铁道学院410075)(湖南大学)在大学物理实验中有一利用霍尔效应测永磁材料磁场的实验,测量C型电磁铁空隙中的磁感应强度.本人以此实验为基础,设计了一种利用霍尔元件测永磁材料静态磁特性的设备.一、实验... 相似文献
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