集成免疫磁珠富集和免疫层析的黄曲霉毒素M1快速检测法

以喷涂了检测抗原黄曲霉毒素M1-BSA和驴抗鼠二抗形成检测线和质控线的硝酸纤维膜制备免疫层析试纸条,采用EDC/NHS法制备偶联了抗黄曲霉毒素M1单克隆抗体的免疫磁珠。免疫磁珠与待检样本混合,经捕获、磁分离后,浓缩重悬液直接用免疫层析试纸条检测,首次建立了集浓缩样本与免疫层析于一体的黄曲霉毒素M1快速检测法。该方法用于检测原料乳中黄曲霉毒素M1,检出限为0.1μg/L,低于我国制定的黄曲霉毒素M1限量标准(0.5μg/L),与其它真菌毒素和原料乳中常检违法添加物无交叉反应,分析结果与酶联免疫吸附法(ELISA)结果一致。本方法适合现场快速检测原料乳中黄曲霉毒素M1。     

并行求解周期性三对角方程组的谢-莫方法

针对工程计算中出现的周期性三对角线性方程组,本文利用谢尔曼-莫里森方法修正周期性三对角线性方程组,将其转化为求解两个三对角线性方程组的问题,结合分治法进行并行计算。在对周期性三对角线性方程组并行化分析的基础上,在集群系统中利用可移植消息传递标准MPI进行并行程序设计。结果表明,使用该方法求解周期性三对角线性方程组,既具有数值稳定性,又收到较好的并行效果。     

妙用"1"巧解繁杂分数的大小比较问题

"1"是沟通整数和分数的重要桥梁,是求解繁杂分数的大小比较问题的重要工具.怎样利用"1"求解繁杂分数的大小比较问题呢?本文结合例题介绍"1"在繁杂分数的大小比较问题中的五点应用,供借鉴.     

从一道习题谈应用高斯公式须注意的问题

针对一道典型的曲面积分习题,分析并给出其求解过程,从中讨论应用高斯公式时应该注意的问题和解此类问题的方法与技巧.     

电感耦合等离子体质谱法分析大鼠血、毛发及脏器中铅浓度及同位素比值

建立了电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)同时测定铅浓度及同位素比值的方法,并应用于染毒大鼠血、毛发及组织脏器测定,以考察大鼠体内铅浓度及同位素比值分布情况及染毒剂量对其的影响.标准物质牛全血铅浓度测定结果为(278±4) μg/L,在证书标准值(283±18)μg/L范围内;测定10 μg/L Pb标准溶液的RSD<...     

金催化的吲哚与末端炔烃的分子间烷基化反应

尝试了用金(Au)催化吲哚和炔烃的Friedel-Crafts烷基化反应, 具体探讨了金(I)配合物催化吲哚与末端炔烃的烷基化反应的条件, 并制备了一系列尚未见文献报道的双取代β-吲哚烷基化衍生物. 产物的结构经1H NMR, 13C NMR, MS和元素分析确证. 并对其反应机理可能性进行了推测.     

高效液相色谱法测定松节油深加工产物中松油醇含量

采用高效液相色谱法测定了松节油深加工产物中松油醇的含量,以Waters porasil硅胶柱为固定相,正己烷-乙酸乙酯(99+1)混合溶液为流动相,检测波长为238nm,外标法定量,在室温条件下分离α-松油醇的左旋、右旋异构体及其他组分,并且准确测定左旋α-松油醇及右旋α-松油醇含量.线性范围分别为0.61～11.20 g·L-1和0.8～13.0 g·L-1,回归方程分别为A=0.806+15.90 C,相关系数为0.999 8和A=0.108 6+17.63 C,相关系数为0.999 7,相对标准偏差分别为1.54%和1.06%,回收率分别为90%～112%和93%～112%.     

热氧化铜箔中的起皱和CuO纳米线的生长机

在500 oC大气条件下热氧化0.5 mm厚的铜箔0.5～10 h有起皱现象,且皱的大小随氧化时间的增加而增大,在皱的侧面和顶部均有生长CuO纳米线,皱侧面生长纳米线的长度比皱顶部的纳米线的长,密度也高;CuO纳米线的生长方向垂直于纳米线的生长表面. 通过计算波动阶段中皱内部的局部电场,发现皱的侧面和顶部的电场强度的数值相差很小,表明在CuO纳米线生长过程中驱动铜离子扩散的主要驱动力不是局部的电场力而是内应力.     

2.0 MJ脉冲功率源的500 kA气体开关系统

介绍了用于2.0 MJ激光泵浦源的新型高功率闭合开关系统的主要功能部件及其设计、研制和测试过程,分析给出了该气体开关系统的关键器件设计所依据的数学原理。在2.0 MJ电容储能的模拟脉冲电源平台上的实际测试表明,该气体开关系统的峰值通流能力达到500 kA,单次放电转移电荷量不低于150 C,累积寿命超过200 kC,理论上能同时支持20对（40只）氙灯工作。开关本体的石墨电极头还可以更换,能进一步延长寿命。该气体开关系统的总体性能接近同期国外同类型产品的指标要求。     

ZnO Nanobelts and Hollow Microspheres Grown on Cu Foil

采用低温热蒸发法在铜箔衬底上制备了大量ZnO纳米带、空心微米球和“海胆”状球．采用XRD、激光拉曼光谱仪、SEM和荧光光谱仪分别对ZnO纳米结构的微结构、形貌和光致发光性质进行研究．分析表明,纳米带的宽度大约为500 nm且长度超过10μm,而空心微米球的直径为5～10μm;ZnO纳米结构的发光主要是较强的蓝绿缺陷态发光,以及弱的紫外带隙态发光．铜衬底上ZnO纳米结构的制备使得ZnO纳米结构和导电衬底之间具有良好黏着性和电接触性．